IS61LV6432
IS61LV6432
64K ×32同步
管道静态RAM
描述
该
ICSI
IS61LV6432是一种高速，低功耗的同步的
知性静态RAM设计为提供一个可破裂的，高性
曼斯，为奔腾 ， 680X0 二级缓存，并
的PowerPC 微处理器。它是作为65,536字
由32位，制成与
ICSI
先进的CMOS技术。
该器件集成了2位串计数器，高速SRAM
芯和高驱动能力输出到单个单片
电路。所有同步输入通过寄存器CON-
由一个正边沿触发的单时钟输入控制。
写周期是内部自定时的，由发起
时钟输入的上升沿。写周期可以是从1到
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单独的字节使能允许写入单个字节。
BW1
控制DQ1 - DQ8 ，
BW2
控制DQ9 - DQ16 ，
BW3
控制DQ17 - DQ24 ，
BW4
控制DQ25 - DQ32 ，空调
by
BWE
为低。一个低电平
GW
输入将使所有字节
被写入。
连发可以启动或者
ADSP
（地址状态
处理器）或
ADSC
（地址状态缓存控制器）输入
销。随后一阵地址可以内部产生
由IS61LV6432和由受控
ADV
（突发地址
提前）输入引脚。
异步信号包括输出使能（OE ） ，休眠模式
输入（ZZ ） ，时钟（CLK）和突发模式输入（模式） 。一个高
输入的ZZ引脚放SRAM在掉电状态。
当ZZ被拉低（或无连接） ，则通常SRAM
之后的唤醒阶段的三个循环运行。一个低电平
输入，即，接地
Q
， MODE引脚上选择线性突发。 A V
CCQ
（或无连接） MODE引脚选择交错突发。
特点
内部自定时写周期
单个字节写入控制和全局写
时钟控制，注册地址，数据和
控制
奔腾或线性突发序列控制
使用MODE输入
三个芯片使简单的深度扩张
和地址流水线
常见的数据输入和数据输出
通过ZZ输入断电控制
JEDEC 100引脚LQFP和PQFP封装
3.3V V
CC
和2.5V V
CCQ
2.5 I / O的
两个时钟使能和一个时钟禁用
消除多个银行总线争用。
在上电时控制引脚模式：
- 模式的交错突发模式
- ZZ在正常操作模式
这些控制引脚可以连接到GND
Q
或V
CCQ
改变自己的电状态
工业应用温度
快速访问时间
符号
t
KQ
t
KC
—
参数
CLK访问时间
周期
频率
-166
5
6
166
-133
5
7.5
133
-117
5
8.5
117
-5
5
10
100
-6
6
12
83
-7
7
13
75
-8
8
15
66
单位
ns
ns
兆赫
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
1
IS61LV6432
引脚配置
100引脚LQFP和PQFP （顶视图）
A6
A7
CE1
CE2
BW4
BW3
BW2
BW1
CE3
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
DQ17
DQ18
VCCQ
GNDQ
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
GNDQ
VCCQ
DQ23
DQ24
VCCQ
VCC
NC
GND
DQ25
DQ26
VCCQ
GNDQ
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
GNDQ
VCCQ
DQ31
DQ32
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
模式
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
DQ16
DQ15
VCCQ
GNDQ
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
GNDQ
VCCQ
DQ10
DQ9
GND
NC
VCC
ZZ
DQ8
DQ7
VCCQ
GNDQ
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GNDQ
VCCQ
DQ2
DQ1
NC
引脚说明
A0-A15
CLK
ADSP
ADSC
ADV
BW1-BW4
BWE
GW
CE1,
CE2,
CE3
OE
地址输入
时钟
处理器地址状态
控制器地址状态
突发地址进展
同步字节写使能
字节写使能
GND
Q
全局写使能
NC
同步芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
隔离输出缓冲地
DQ1-DQ32
ZZ
模式
V
CC
GND
V
CCQ
数据输入/输出
睡眠模式
突发序列模式
+ 3.3V电源
地
隔离输出缓冲器供应：
+3.3V
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
3
IS61LV6432
真值表
手术
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
CE1
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE2
X
L
X
L
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE3
X
X
H
X
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ADSP ADSC
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV写
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
OE
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
注意事项：
1.除非所有输入
OE
必须满足建立和保持时间的时钟（ CLK ）的低到高的转变。
2.等待状态，暂停爆裂插入。
3， X表示不关心。
写= L
是指任何一个或多个字节的写使能信号（ BW1 - BW4 ）和
BWE
不足或
GW
is
低。
写= H
意味着所有的字节写使能信号为高。
4.下列读操作写操作，
OE
输入数据所需的建立时间和保持之前必须为高电平
在整个输入数据的高保持时间。
5.
ADSP
LOW总是在启动时钟的由低到高边缘的内部读。进行写操作，通过设置一个或执行
多字节写使能信号和
BWE
或低
GW
低为时钟的后续L-H边缘。
部分真理表
功能
读
读
写字节1
写的所有字节
写的所有字节
GW
H
H
H
X
L
BWE
H
X
L
L
X
BW1
X
H
L
L
X
BW2
X
H
H
L
X
BW3 BW4
X
H
H
L
X
X
H
H
L
X
4
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
IS61LV6432
交错突发地址表（ MODE = V
CCQ
或无连接）
外部地址
A1 A0
00
01
10
11
第一个突发地址
A1 A0
01
00
11
10
第二届突发地址
A1 A0
10
11
00
01
第三突发地址
A1 A0
11
10
01
00
线性突发地址表（ MODE = GND
Q
)
0,0
A1’, A0’ = 1,1
0,1
1,0
绝对最大额定值
(1)
符号
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
V
IN
, V
OUT
V
IN
参数
在偏置温度
储存温度
功耗
输出电流（每个I / O）
电压相对于GND为I / O引脚
电压相对于GND为
对于地址和控制输入
价值
-10至+85
-55到+150
1.8
100
-0.5到V
CCQ
+ 0.3
-0.5到4.6
单位
°C
°C
W
mA
V
V
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.此设备包含迂曲，以防止损伤的投入，由于高静
电压或电场;然而，注意事项，可能要注意避免应用程序的任何
电压超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。
3.该设备包含电路，这将确保在输出设备中高Z在加电时。
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
5
IS61LV6432
IS61LV6432
64K ×32同步
管道静态RAM
描述
该
ICSI
IS61LV6432是一种高速，低功耗的同步的
知性静态RAM设计为提供一个可破裂的，高性
曼斯，为奔腾 ， 680X0 二级缓存，并
的PowerPC 微处理器。它是作为65,536字
由32位，制成与
ICSI
先进的CMOS技术。
该器件集成了2位串计数器，高速SRAM
芯和高驱动能力输出到单个单片
电路。所有同步输入通过寄存器CON-
由一个正边沿触发的单时钟输入控制。
写周期是内部自定时的，由发起
时钟输入的上升沿。写周期可以是从1到
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单独的字节使能允许写入单个字节。
BW1
控制DQ1 - DQ8 ，
BW2
控制DQ9 - DQ16 ，
BW3
控制DQ17 - DQ24 ，
BW4
控制DQ25 - DQ32 ，空调
by
BWE
为低。一个低电平
GW
输入将使所有字节
被写入。
连发可以启动或者
ADSP
（地址状态
处理器）或
ADSC
（地址状态缓存控制器）输入
销。随后一阵地址可以内部产生
由IS61LV6432和由受控
ADV
（突发地址
提前）输入引脚。
异步信号包括输出使能（OE ） ，休眠模式
输入（ZZ ） ，时钟（CLK）和突发模式输入（模式） 。一个高
输入的ZZ引脚放SRAM在掉电状态。
当ZZ被拉低（或无连接） ，则通常SRAM
之后的唤醒阶段的三个循环运行。一个低电平
输入，即，接地
Q
， MODE引脚上选择线性突发。 A V
CCQ
（或无连接） MODE引脚选择交错突发。
特点
内部自定时写周期
单个字节写入控制和全局写
时钟控制，注册地址，数据和
控制
奔腾或线性突发序列控制
使用MODE输入
三个芯片使简单的深度扩张
和地址流水线
常见的数据输入和数据输出
通过ZZ输入断电控制
JEDEC 100引脚LQFP和PQFP封装
3.3V V
CC
和2.5V V
CCQ
2.5 I / O的
两个时钟使能和一个时钟禁用
消除多个银行总线争用。
在上电时控制引脚模式：
- 模式的交错突发模式
- ZZ在正常操作模式
这些控制引脚可以连接到GND
Q
或V
CCQ
改变自己的电状态
工业应用温度
快速访问时间
符号
t
KQ
t
KC
—
参数
CLK访问时间
周期
频率
-166
5
6
166
-133
5
7.5
133
-117
5
8.5
117
-5
5
10
100
-6
6
12
83
-7
7
13
75
-8
8
15
66
单位
ns
ns
兆赫
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
1
IS61LV6432
引脚配置
100引脚LQFP和PQFP （顶视图）
A6
A7
CE1
CE2
BW4
BW3
BW2
BW1
CE3
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
DQ17
DQ18
VCCQ
GNDQ
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
GNDQ
VCCQ
DQ23
DQ24
VCCQ
VCC
NC
GND
DQ25
DQ26
VCCQ
GNDQ
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
GNDQ
VCCQ
DQ31
DQ32
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
模式
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
DQ16
DQ15
VCCQ
GNDQ
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
GNDQ
VCCQ
DQ10
DQ9
GND
NC
VCC
ZZ
DQ8
DQ7
VCCQ
GNDQ
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GNDQ
VCCQ
DQ2
DQ1
NC
引脚说明
A0-A15
CLK
ADSP
ADSC
ADV
BW1-BW4
BWE
GW
CE1,
CE2,
CE3
OE
地址输入
时钟
处理器地址状态
控制器地址状态
突发地址进展
同步字节写使能
字节写使能
GND
Q
全局写使能
NC
同步芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
隔离输出缓冲地
DQ1-DQ32
ZZ
模式
V
CC
GND
V
CCQ
数据输入/输出
睡眠模式
突发序列模式
+ 3.3V电源
地
隔离输出缓冲器供应：
+3.3V
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
3
IS61LV6432
真值表
手术
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
CE1
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE2
X
L
X
L
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE3
X
X
H
X
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ADSP ADSC
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV写
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
OE
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
注意事项：
1.除非所有输入
OE
必须满足建立和保持时间的时钟（ CLK ）的低到高的转变。
2.等待状态，暂停爆裂插入。
3， X表示不关心。
写= L
是指任何一个或多个字节的写使能信号（ BW1 - BW4 ）和
BWE
不足或
GW
is
低。
写= H
意味着所有的字节写使能信号为高。
4.下列读操作写操作，
OE
输入数据所需的建立时间和保持之前必须为高电平
在整个输入数据的高保持时间。
5.
ADSP
LOW总是在启动时钟的由低到高边缘的内部读。进行写操作，通过设置一个或执行
多字节写使能信号和
BWE
或低
GW
低为时钟的后续L-H边缘。
部分真理表
功能
读
读
写字节1
写的所有字节
写的所有字节
GW
H
H
H
X
L
BWE
H
X
L
L
X
BW1
X
H
L
L
X
BW2
X
H
H
L
X
BW3 BW4
X
H
H
L
X
X
H
H
L
X
4
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
IS61LV6432
交错突发地址表（ MODE = V
CCQ
或无连接）
外部地址
A1 A0
00
01
10
11
第一个突发地址
A1 A0
01
00
11
10
第二届突发地址
A1 A0
10
11
00
01
第三突发地址
A1 A0
11
10
01
00
线性突发地址表（ MODE = GND
Q
)
0,0
A1’, A0’ = 1,1
0,1
1,0
绝对最大额定值
(1)
符号
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
V
IN
, V
OUT
V
IN
参数
在偏置温度
储存温度
功耗
输出电流（每个I / O）
电压相对于GND为I / O引脚
电压相对于GND为
对于地址和控制输入
价值
-10至+85
-55到+150
1.8
100
-0.5到V
CCQ
+ 0.3
-0.5到4.6
单位
°C
°C
W
mA
V
V
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.此设备包含迂曲，以防止损伤的投入，由于高静
电压或电场;然而，注意事项，可能要注意避免应用程序的任何
电压超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。
3.该设备包含电路，这将确保在输出设备中高Z在加电时。
集成电路解决方案公司
SSR005-0B
5
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