IS61LV6424
64K ×24高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间： 9，10， 12，15纳秒
CMOS低功耗运行
594毫瓦（最大）操作@ 9 NS
36毫瓦（最大） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
提供100引脚TQFP
工业应用温度
ISSI
2000年12月
描述
该
ISSI
IS61LV6424是一个高速，静态RAM组织
为65,536字由24位。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量AC-
塞斯倍快9纳秒的低功耗。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE1,
CE2和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。
该IS61LV6424打包在JEDEC标准
100引脚TQFP
功能框图
V
CC
GND
64K ×24
存储阵列
A0-A14
ROW
解码器
A15
X / Y
V / S
多工
地址
控制
COLUMN
解码器
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
I / O数据
电路
I/O0-I/O23
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
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1
IS61LV6424
ISSI
A14
A15
CE1
CE2
NC
NC
NC
X / Y
V / S
V
CC
GND
NC
WE
NC
OE
NC
NC
NC
A0
A1
引脚配置
100引脚TQFP
NC
NC
NC
NC
NC
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
GNDQ
V
CCQ
I/O16
I/O17
NC
V
CC
NC
GND
I/O18
I/O19
V
CCQ
GNDQ
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
10
71
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
NC
NC
NC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
GNDQ
V
CCQ
I/O7
I/O6
GND
NC
V
CC
NC
I/O5
I/O4
V
CCQ
GNDQ
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
NC
NC
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A14
A15 ， X / Y
I/O0-I/O23
CE1,
CE2
OE
WE
V / S
NC
V
CC
V
CCQ
GND
GNDQ
地址输入
复用的地址
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
地址多路复用器
无连接
动力
隔离输出缓冲器供应
地
隔离输出缓冲地
2
NC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
GND
V
CC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
NC
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IS61LV6424
真值表
模式
未选择
阅读使用X / Y
阅读使用A15
编写使用X / Y
编写使用A15
输出禁用
CE1
H
X
L
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
H
OE
X
X
L
L
X
X
H
WE
X
X
H
H
L
L
H
V / S
X
X
H
L
H
L
X
I/O0-I/O23
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
ISSI
VCC电流
ISB1 ， ISB2
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
1
2
3
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流
价值
-0.5 5.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+ 150
-10至+ 85
-45至+ 90
2.0
±20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
4
5
6
7
8
9
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
（9 ， 10纳秒）
3.3V + 10%, – 5%
3.3V + 10%, – 5%
V
CC
（ 12，15纳秒）
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
10
11
12
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
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IS61LV6424
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-9 NS
符号参数
I
CC
I
SB
1
测试条件
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。马克斯。
ISSI
-10ns
分钟。马克斯。
-12 NS
分钟。马克斯。
-15 NS
分钟。马克斯。
单位
mA
mA
VCC动态工作V
CC
=最大，
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
， F =最大值。
CE1
V
IH
， CE2 - V
IL
—
—
—
—
—
—
165
170
40
45
10
15
—
—
—
—
—
—
150
155
40
45
10
15
—
—
—
—
—
—
125
130
35
40
10
15
—
—
—
—
—
—
100
105
30
25
10
15
I
SB
2
V
CC
=最大，
COM 。
CE1
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2 - 0.2V ，V
IN
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
- 0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
2纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
319
3.3V
Z
O
= 50
产量
50
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
1.5V
图1
图2
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IS61LV6424
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-9
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
V / S访问时间
输出保持时间
从MUX变化
输出保持时间
从地址变更
CE1Access
时间
CE2访问时间
OE
存取时间
分钟。
9
—
—
3
3
—
—
0
0
0
3
马克斯。
—
9
9
—
—
9
5
3
—
5
—
-10
分钟。马克斯。
10
—
—
3
3
—
—
0
0
0
3
—
10
10
—
—
10
5
3
—
5
—
-12
分钟。
12
—
—
3
3
—
—
0
0
0
3
马克斯。
—
12
12
—
—
12
6
3
—
6
—
-15
分钟。马克斯。
15
—
—
3
3
—
—
0
0
0
3
—
15
15
—
—
15
7
3
—
7
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
t
RC
t
AA
t
AV
t
OH
t
OHA
t
ACE
t
ACE
2
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE1
到输出高阻态
t
HZCE
2
(2)
CE2到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
注意事项：
1.测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。未经100％测试。
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