【IS61LV642464K ×24高速CMOS静态RAM采用3.3V电源特点高速存取时间： 9，10】,IC型号IS61LV6424-10TQ,IS61LV6424-10TQ PDF资料,IS61LV6424-10TQ经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS61LV6424

64K ×24高速CMOS静态RAM

采用3.3V电源

特点

高速存取时间： 9，10， 12，15纳秒

CMOS低功耗运行

—

594毫瓦（最大）操作@ 9 NS

—

36毫瓦（最大） CMOS待机

TTL兼容接口电平

单3.3V电源

全静态操作：无时钟或刷新

需要

三态输出

提供100引脚LQFP

描述

该

ICSI

IS61LV6424是一个高速，静态RAM组织

为65,536字由24位。它是使用制造

ICSI

的高

高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程

再加上创新的电路设计技术，产量AC-

塞斯倍快9纳秒的低功耗。

当

CE1

为HIGH和CE2为低（未选中）时，器件

假设待机模式，在该功率耗散能

与CMOS输入电平降低下来。

易内存扩展，通过使用芯片使能提供，

输出使能输入，

CE1,

CE2和

OE 。

该低电平有效

写使能（WE ）控制写入和读出的

内存。

该IS61LV6424打包在JEDEC标准

100针14 * 20 * 1.4毫米LQFP封装。

功能框图

V

CC

GND

64K ×24

存储阵列

A0-A14

ROW

解码器

A15

X / Y

V / S

多工

地址

控制

COLUMN

解码器

CE1

CE2

OE

WE

控制

电路

I / O数据

电路

I/O0-I/O23

ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-95

IS61LV6424

引脚配置

100引脚LQFP

A14

A15

CE1

CE2

NC

X / Y

V / S

V

CC

GND

NC

WE

NC

OE

NC

A0

A1

NC

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

GNDQ

V

CCQ

I/O16

I/O17

NC

V

CC

NC

GND

I/O18

I/O19

V

CCQ

GNDQ

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

80

1

79

2

78

3

77

4

76

5

75

6

74

7

73

8

72

9

71

10

70

11

69

12

68

13

67

14

66

15

65

16

64

17

63

18

62

19

61

20

60

21

59

22

58

23

57

24

56

25

55

26

54

27

53

28

52

29

51

30

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

NC

A13

A12

A11

A10

A9

A8

NC

GND

V

CC

NC

A7

A6

A5

A4

A3

A2

NC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

GNDQ

V

CCQ

I/O7

I/O6

GND

NC

V

CC

NC

I/O5

I/O4

V

CCQ

GNDQ

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

NC

引脚说明

A0-A14

A15 ， X / Y

CE1 ， CE2

OE

WE

V / S

NC

VCC

V

CCQ

GND

GNDQ

地址输入

复用的地址

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

地址多路复用器

无连接

动力

隔离输出缓冲器供应

地

solated输出缓冲地

I / O0 -I / O23数据输入/输出

S2-96

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

IS61LV6424

真值表

模式

未选择

阅读使用X / Y

阅读使用A15

编写使用X / Y

编写使用A15

输出禁用

CE1

H

X

L

CE2

X

H

OE

X

L

X

H

WE

X

H

L

H

V / S

S

X

H

L

H

L

X

I/O0-I/O23

高-Z

D

OUT

D

OUT

D

IN

D

IN

高-Z

VCC电流

ISB1 ， ISB2

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

绝对最大额定值

(1)

符号

V

CC

V

TERM

T

英镑

T

BIAS

P

T

I

OUT

参数

电源电压相对于GND

相对于GND端子电压

储存温度

在偏压温度：

COM 。

IND 。

功耗

直流输出电流

价值

-0.5 5.0

-0.5 VCC + 0.5

-65到+ 150

-10至+ 85

-45至+ 90

2.0

±20

单位

V

°C

W

mA

注意：

1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或

任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

工作范围

范围

产业

环境温度

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

V

CC

（9 ， 10纳秒）

3.3V + 10%, – 5%

V

CC

（ 12，15纳秒）

3.3V ± 10%

DC电气特性

（以上经营范围）

符号

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

LI

I

LO

参数

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

(1)

输入漏

输出漏

GND

≤

V

IN

≤

V

CC

GND

≤

V

OUT

≤

V

CC

，输出禁用

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

分钟。

2.4

—

2.2

–0.3

–1

马克斯。

—

0.4

V

CC

+ 0.3

0.8

1

单位

V

A

10

11

12

注意：

1. V

IL

（分钟） = -0.3V DC ; V

IL

（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度

≤

2.0纳秒）。

V

IH

（最大值） - V

CC

+ 0.3V DC ; V

IH

（最大值） - V

CC

+ 2.0V AC（脉冲宽度

≤

2.0纳秒）。

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-97

IS61LV6424

电源特性

(1)

（以上经营范围）

-9 NS

符号参数

I

CC

I

SB

1

测试条件

COM 。

IND 。

COM 。

IND 。

分钟。马克斯。

-10ns

分钟。马克斯。

-12 NS

分钟。马克斯。

-15 NS

分钟。马克斯。

单位

mA

VCC动态工作V

CC

=最大，

电源电流

I

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

TTL待机电流

（ TTL输入）

CMOS待机

电流（ CMOS输入）

V

CC

=最大，

V

IN

= V

IH

或V

IL

， F =最大值。

CE1

＆ GT ; V

IH

， CE2 < V

IL

—

165

170

40

45

10

15

—

150

155

40

45

10

15

—

125

130

35

40

10

15

—

100

105

30

25

10

15

I

SB

2

V

CC

=最大，

COM 。

CE1

＆ GT ; V

CC

– 0.2V,

IND 。

CE2 < 0.2V ，V

IN

＆ GT ; V

CC

– 0.2V,

或V

IN

＆ LT ; 0.2V ， F = 0

mA

注意：

1.在f = F

最大

，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。

电容

(1)

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输入/输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注意：

1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序

和参考电平

输出负载

单位

0V至3.0V

2纳秒

1.5V

参见图1和2

AC测试负载

Z

O

= 50

产量

50

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

353

319

3.3V

1.5V

图1

图2

S2-98

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

IS61LV6424

读周期开关特性

(1)

（以上经营范围）

符号

参数

读周期时间

地址访问时间

V / S访问时间

输出保持时间

从MUX变化

输出保持时间

从地址变更

CE1Access

时间

CE2访问时间

OE

存取时间

-

9

分钟。马克斯。

9

—

3

—

0

3

—

9

—

9

5

3

—

5

—

-10

分钟。马克斯。

10

—

3

—

0

3

—

10

—

10

5

3

—

5

—

-12

分钟。

12

—

3

—

0

3

马克斯。

—

12

—

12

6

3

—

6

—

-15

分钟。马克斯。

15

—

3

—

0

3

—

15

—

15

7

3

—

7

—

单位

ns

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

t

RC

t

AA

t

AV

t

OH

t

OHA

t

ACE

t

ACE

2

t

美国能源部

t

HZOE

(2)

OE

到输出高阻态

t

LZOE

(2)

OE

以低Z输出

t

HZCE

(2)

CE1

到输出高阻态

t

HZCE

2

(2)

CE2到输出高阻态

t

LZCE

(2)

CE

以低Z输出

t

LZCE

2

(2)

CE2为低-Z输出

注意事项：

1.测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V

并规定在图1的输出负载。

2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。未经100％测试。

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-99

IS61LV6424

64K ×24高速CMOS静态RAM

采用3.3V电源

特点

高速存取时间： 9，10， 12，15纳秒

CMOS低功耗运行

—

594毫瓦（最大）操作@ 9 NS

—

36毫瓦（最大） CMOS待机

TTL兼容接口电平

单3.3V电源

全静态操作：无时钟或刷新

需要

三态输出

提供100引脚LQFP

描述

该

ICSI

IS61LV6424是一个高速，静态RAM组织

为65,536字由24位。它是使用制造

ICSI

的高

高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程

再加上创新的电路设计技术，产量AC-

塞斯倍快9纳秒的低功耗。

当

CE1

为HIGH和CE2为低（未选中）时，器件

假设待机模式，在该功率耗散能

与CMOS输入电平降低下来。

易内存扩展，通过使用芯片使能提供，

输出使能输入，

CE1,

CE2和

OE 。

该低电平有效

写使能（WE ）控制写入和读出的

内存。

该IS61LV6424打包在JEDEC标准

100针14 * 20 * 1.4毫米LQFP封装。

功能框图

V

CC

GND

64K ×24

存储阵列

A0-A14

ROW

解码器

A15

X / Y

V / S

多工

地址

控制

COLUMN

解码器

CE1

CE2

OE

WE

控制

电路

I / O数据

电路

I/O0-I/O23

ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-95

IS61LV6424

引脚配置

100引脚LQFP

A14

A15

CE1

CE2

NC

X / Y

V / S

V

CC

GND

NC

WE

NC

OE

NC

A0

A1

NC

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

GNDQ

V

CCQ

I/O16

I/O17

NC

V

CC

NC

GND

I/O18

I/O19

V

CCQ

GNDQ

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

80

1

79

2

78

3

77

4

76

5

75

6

74

7

73

8

72

9

71

10

70

11

69

12

68

13

67

14

66

15

65

16

64

17

63

18

62

19

61

20

60

21

59

22

58

23

57

24

56

25

55

26

54

27

53

28

52

29

51

30

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

NC

A13

A12

A11

A10

A9

A8

NC

GND

V

CC

NC

A7

A6

A5

A4

A3

A2

NC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

GNDQ

V

CCQ

I/O7

I/O6

GND

NC

V

CC

NC

I/O5

I/O4

V

CCQ

GNDQ

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

NC

引脚说明

A0-A14

A15 ， X / Y

CE1 ， CE2

OE

WE

V / S

NC

VCC

V

CCQ

GND

GNDQ

地址输入

复用的地址

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

地址多路复用器

无连接

动力

隔离输出缓冲器供应

地

solated输出缓冲地

I / O0 -I / O23数据输入/输出

S2-96

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

IS61LV6424

真值表

模式

未选择

阅读使用X / Y

阅读使用A15

编写使用X / Y

编写使用A15

输出禁用

CE1

H

X

L

CE2

X

H

OE

X

L

X

H

WE

X

H

L

H

V / S

S

X

H

L

H

L

X

I/O0-I/O23

高-Z

D

OUT

D

OUT

D

IN

D

IN

高-Z

VCC电流

ISB1 ， ISB2

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

绝对最大额定值

(1)

符号

V

CC

V

TERM

T

英镑

T

BIAS

P

T

I

OUT

参数

电源电压相对于GND

相对于GND端子电压

储存温度

在偏压温度：

COM 。

IND 。

功耗

直流输出电流

价值

-0.5 5.0

-0.5 VCC + 0.5

-65到+ 150

-10至+ 85

-45至+ 90

2.0

±20

单位

V

°C

W

mA

注意：

1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或

任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

工作范围

范围

产业

环境温度

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

V

CC

（9 ， 10纳秒）

3.3V + 10%, – 5%

V

CC

（ 12，15纳秒）

3.3V ± 10%

DC电气特性

（以上经营范围）

符号

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

LI

I

LO

参数

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

(1)

输入漏

输出漏

GND

≤

V

IN

≤

V

CC

GND

≤

V

OUT

≤

V

CC

，输出禁用

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

分钟。

2.4

—

2.2

–0.3

–1

马克斯。

—

0.4

V

CC

+ 0.3

0.8

1

单位

V

A

10

11

12

注意：

1. V

IL

（分钟） = -0.3V DC ; V

IL

（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度

≤

2.0纳秒）。

V

IH

（最大值） - V

CC

+ 0.3V DC ; V

IH

（最大值） - V

CC

+ 2.0V AC（脉冲宽度

≤

2.0纳秒）。

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-97

IS61LV6424

电源特性

(1)

（以上经营范围）

-9 NS

符号参数

I

CC

I

SB

1

测试条件

COM 。

IND 。

COM 。

IND 。

分钟。马克斯。

-10ns

分钟。马克斯。

-12 NS

分钟。马克斯。

-15 NS

分钟。马克斯。

单位

mA

VCC动态工作V

CC

=最大，

电源电流

I

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

TTL待机电流

（ TTL输入）

CMOS待机

电流（ CMOS输入）

V

CC

=最大，

V

IN

= V

IH

或V

IL

， F =最大值。

CE1

＆ GT ; V

IH

， CE2 < V

IL

—

165

170

40

45

10

15

—

150

155

40

45

10

15

—

125

130

35

40

10

15

—

100

105

30

25

10

15

I

SB

2

V

CC

=最大，

COM 。

CE1

＆ GT ; V

CC

– 0.2V,

IND 。

CE2 < 0.2V ，V

IN

＆ GT ; V

CC

– 0.2V,

或V

IN

＆ LT ; 0.2V ， F = 0

mA

注意：

1.在f = F

最大

，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。

电容

(1)

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输入/输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注意：

1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序

和参考电平

输出负载

单位

0V至3.0V

2纳秒

1.5V

参见图1和2

AC测试负载

Z

O

= 50

产量

50

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

353

319

3.3V

1.5V

图1

图2

S2-98

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

IS61LV6424

读周期开关特性

(1)

（以上经营范围）

符号

参数

读周期时间

地址访问时间

V / S访问时间

输出保持时间

从MUX变化

输出保持时间

从地址变更

CE1Access

时间

CE2访问时间

OE

存取时间

-

9

分钟。马克斯。

9

—

3

—

0

3

—

9

—

9

5

3

—

5

—

-10

分钟。马克斯。

10

—

3

—

0

3

—

10

—

10

5

3

—

5

—

-12

分钟。

12

—

3

—

0

3

马克斯。

—

12

—

12

6

3

—

6

—

-15

分钟。马克斯。

15

—

3

—

0

3

—

15

—

15

7

3

—

7

—

单位

ns

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

t

RC

t

AA

t

AV

t

OH

t

OHA

t

ACE

t

ACE

2

t

美国能源部

t

HZOE

(2)

OE

到输出高阻态

t

LZOE

(2)

OE

以低Z输出

t

HZCE

(2)

CE1

到输出高阻态

t

HZCE

2

(2)

CE2到输出高阻态

t

LZCE

(2)

CE

以低Z输出

t

LZCE

2

(2)

CE2为低-Z输出

注意事项：

1.测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V

并规定在图1的输出负载。

2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。未经100％测试。

集成电路解决方案公司

AHSR012-0D

S2-99