IS61LV6416
64K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间： 8，10， 12，15，和20纳秒
CMOS低功耗运行
- 250毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
2000年10月
描述
该
ISSI
IS61LV6416是一个高速， 1048576位
静态RAM （16位）组织为65,536字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量访问时间
尽可能快8 ns的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片提供
启用和输出使能输入，
CE
和
OE 。
活跃
LOW写使能（WE ）控制写入和读
该memory.A数据字节允许高字节（ UB ）和
低字节（ LB ）的访问。
该IS61LV6416打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP和48针微型BGA
（ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司
Rev. D的
10/20/00
1
IS61LV6416
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
ISSI
44针TSOP
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
2
集成的芯片解决方案，公司
Rev. D的
10/20/00
IS61LV6416
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
— 210
— 215
—
—
—
—
25
30
10
15
-10 NS
分钟。马克斯。
— 190
— 210
—
—
—
—
25
30
10
15
-12 NS
分钟。马克斯。
— 150
— 170
—
—
—
—
15
25
10
15
-15 NS
分钟。马克斯。
— 130
— 150
—
—
—
—
15
25
10
15
ISSI
-20 NS
分钟。马克斯。
— 120
— 140
—
—
—
—
15
25
10
15
单位
mA
mA
I
SB
2
V
CC
=最大，
COM 。
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-8 NS
分钟。马克斯。
8
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
8
—
8
5
5
—
4
—
6
4
—
-10 NS
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
10
—
10
5
5
—
5
—
6
5
—
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
12
—
12
6
6
—
6
—
6
6
—
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
—
15
—
15
7
6
—
6
—
7
6
—
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
—
20
—
20
8
8
—
8
—
8
8
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
4
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