IS61LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
— 10, 12 ns
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
— Less than 5 m
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
无铅可
2011年12月
static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
什么时候？
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以重新
duced下来CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入， CE和OE 。该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
The IS61LV25616AL is packaged in the JEDEC standard
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP
and 48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).
描述
该
ISSI
IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
Copyright 2011 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without
通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。
集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理
巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用
除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：
。一）损伤或损坏的风险被最小化;
。 b）使用者承担所有风险;和
角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，
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1
IS61LV25616AL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
In
高-Z
D
In
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
In
D
In
V
DD
当前
I
sb
1
, I
sb
2
I
cc
I
cc
I
cc
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP （ II型）和SOJ
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
2
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IS61LV25616AL
销刀豆网络gurations
44引脚LQFP
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
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IS61LV25616AL
绝对最大额定值
(1)
符号参数
V
TERM
t
英镑
P
t
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
价值
–0.5 to V
DD
+0.5
–65 to +150
1.0
单位
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
V
DD
范围
广告
产业
环境温度
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
10ns
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12ns
3.3V + 10%
3.3V + 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
oH
V
oL
V
IH
V
IL
I
LI
I
Lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
DD
=
分钟，我
oH
=
–4.0 mA
V
DD
=
分钟，我
oL
=
8.0 mA
GND ≤ V
In
≤
V
DD
GND ≤ V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1.
V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
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IS61LV25616AL
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
cc
I
sb
参数
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=
最大，
COM 。
I
OUT
= 0
毫安，女= F
最大
IND 。
V
DD
=
最大，
COM 。
V
In
= V
IH
or≥V
IL
IND 。
CE ≥ V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=
最大，
V
In
= V
IH
or≥V
IL
CE ≥ V
IH
, f = 0
V
DD
=
最大，
CE ≥ V
DD
– 0.2V,
V
In
≥
V
DD
– 0.2V,
or
V
In
≤
0.2V,
f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
— 100
— 110
—
50
— 55
—
—
—
—
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
— 90
— 100
—
45
— 50
—
—
—
—
20
25
15
20
单位
mA
mA
I
sb
1
I
sb
2
mA
mA
注意：
1. At f = f
最大
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
c
In
c
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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