IS61LV25616AL

256K ×16高速异步

采用3.3V电源CMOS静态RAM

特点

高速存取时间：

— 10, 12 ns

CMOS低功耗运行

低待机功耗：

— Less than 5 m

A

（典型值） CMOS待机

TTL兼容接口电平

单3.3V电源

全静态操作：无时钟或刷新

需要

三态输出

为上下字节的数据控制

工业应用温度

无铅可

2011年12月

static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is

使用制造

ISSI

的高性能CMOS技

术。这再加上创新的高度可靠的工艺

电路设计技术，产量高性能和低

电力消耗装置。

什么时候？

CE

为高（取消） ，器件处于

待机模式下，在该功率耗散可以重新

duced下来CMOS输入电平。

易内存扩展，通过使用芯片使能提供

和输出使能输入， CE和OE 。该低电平有效

写使能（WE ）控制写入和读出的

内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下

字节（ LB ）的访问。

The IS61LV25616AL is packaged in the JEDEC standard

44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP

and 48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).

描述

该

ISSI

IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit

功能框图

A0-A17

解码器

256K ×16

存储阵列

VDD

GND

I/O0-I/O7

低字节

I/O8-I/O15

高字节

I / O

数据

电路

列I / O

CE

OE

WE

UB

LB

控制

电路

Copyright 2011 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without

通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-

该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。

集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理

巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用

除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：

。一）损伤或损坏的风险被最小化;

。 b）使用者承担所有风险;和

角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，

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1

IS61LV25616AL

真值表

模式

未选择

输出禁用

读

写

WE

X

H

X

H

H

H

L

L

L

CE

H

L

L

L

L

L

L

L

L

OE

X

H

X

L

L

L

X

X

X

LB

X

X

H

L

H

L

L

H

L

UB

X

X

H

H

L

L

H

L

L

I / O引脚

I/O0-I/O7

I/O8-I/O15

高-Z

高-Z

高-Z

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

In

高-Z

D

In

高-Z

高-Z

高-Z

高-Z

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

In

D

In

V

DD

当前

I

sb

1

, I

sb

2

I

cc

I

cc

I

cc

销刀豆网络gurations

44引脚TSOP （ II型）和SOJ

引脚说明

A0-A17

I/O0-I/O15

CE

OE

WE

LB

UB

NC

V

DD

GND¤

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

Lower-byte Control (I/O0-I/O7)

Upper-byte Control (I/O8-I/O15)

无连接

动力

地

A0

A1

A2

A3

A4

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VDD

GND

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A5

A6

A7

A8

A9

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A17

A16

A15

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

GND

VDD

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A14

A13

A12

A11

A10

2

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IS61LV25616AL

销刀豆网络gurations

44引脚LQFP

48引脚小型BGA

1

2

3

4

5

6

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VDD

GND

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34

33

1

32

2

31

3

30

4

29

5

顶视图

28

6

27

7

26

8

25

9

24

10

23

11

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

WE

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A17

A16

A15

A14

A13

A12

A11

A10

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

GND

VDD

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A

B

C

D

E

F

G

H

LB

I / O

8

I / O

9

GND

V

DD

I / O

14

I / O

15

NC

OE

UB

I / O

10

I / O

11

I / O

12

I / O

13

NC

A8

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

A2

CE

I / O

1

I / O

3

I / O

4

I / O

5

WE

A11

N / C

I / O

0

I / O

2

V

DD

GND

I / O

6

I / O

7

NC

引脚说明

A0-A17

I/O0-I/O15

CE

OE

WE

LB

UB

NC

V

DD

GND¤

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

Lower-byte Control (I/O0-I/O7)

Upper-byte Control (I/O8-I/O15)

无连接

动力

地

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IS61LV25616AL

绝对最大额定值

(1)

符号参数

V

TERM

t

英镑

P

t

相对于GND端子电压

储存温度

功耗

价值

–0.5 to V

DD

+0.5

–65 to +150

1.0

单位

V

°C

W

注意：

1.应力超过绝对最大额定值可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作

该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能会影响其可靠性。

工作范围

V

DD

范围

广告

产业

环境温度

0°C to +70°C

–40°C to +85°C

10ns

3.3V +10%, -5%

3.3V +10%, -5%

12ns

3.3V + 10%

3.3V + 10%

DC电气特性

（以上经营范围）

符号

V

oH

V

oL

V

IH

V

IL

I

LI

I

Lo

参数

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

(1)

输入漏

输出泄漏

测试条件

V

DD

=

分钟，我

oH

=

–4.0 mA

V

DD

=

分钟，我

oL

=

8.0 mA

GND ≤ V

In

≤

V

DD

GND ≤ V

OUT

≤

V

DD

输出禁用

COM 。

IND 。

COM 。

IND 。

分钟。

2.4

—

2.0

–0.3

–2

–5

–2

–5

马克斯。

—

0.4

V

DD

+ 0.3

0.8

2

5

2

5

单位

V

V

V

V

A

A

注意事项：

1.

V

IL

（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。

4

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IS61LV25616AL

电源特性

(1)

（以上经营范围）

符号

I

cc

I

sb

参数

V

DD

工作动态

电源电流

TTL待机电流

（ TTL输入）

TTL待机电流

（ TTL输入）

CMOS待机

电流（ CMOS输入）

测试条件

V

DD

=

最大，

COM 。

I

OUT

= 0

毫安，女= F

最大

IND 。

V

DD

=

最大，

COM 。

V

In

= V

IH

or≥V

IL

IND 。

CE ≥ V

IH

, f = f

最大

.

V

DD

=

最大，

V

In

= V

IH

or≥V

IL

CE ≥ V

IH

, f = 0

V

DD

=

最大，

CE ≥ V

DD

– 0.2V,

V

In

≥

V

DD

– 0.2V,

or

V

In

≤

0.2V,

f = 0

COM 。

IND 。

COM 。

IND 。

-10

分钟。马克斯。

— 100

— 110

—

50

— 55

—

—

—

—

20

25

15

20

-12

分钟。马克斯。

— 90

— 100

—

45

— 50

—

—

—

—

20

25

15

20

单位

mA

mA

I

sb

1

I

sb

2

mA

mA

注意：

1. At f = f

最大

, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.

在发展中阴影区域的产品

电容

(1)

符号

c

In

c

OUT

参数

输入电容

输入/输出电容

条件

V

In

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

pF

注意：

1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

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