IS61LV25616
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
- 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
2001年11月
描述
该
ISSI
IS61LV25616是一个高速， 4194304位静态
RAM （16位）组织为262,144字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，收益率的高性能和低功耗
设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制着写作的memory.A和阅读
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）的访问。
该IS61LV25616打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP和
48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV.C
11/01/01
1
IS61LV25616
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP （ II型）和SOJ
44引脚LQFP
ISSI
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
11/01/01
IS61LV25616
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
1
2
3
4
5
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号参数
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-45至+90
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
6
7
8
9
10
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
10纳秒
V
CC
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12纳秒， 15纳秒
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
11
12
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
11/01/01
3
IS61LV25616
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
, 4
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
ISSI
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
260
300
85
95
20
25
10
15
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
240
280
75
85
20
25
10
15
-15
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
220
250
65
75
20
25
10
15
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
CC
=最大，
COM 。
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
11/01/01
IS61LV25616
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
电时间
关机时间
-10
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
—
10
—
10
4
4
—
4
—
4
3
—
—
10
-12
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
—
12
—
12
5
5
—
6
—
5
4
—
—
12
-15
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
0
—
—
15
—
15
7
6
—
8
—
7
5
—
—
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
1
2
3
4
5
6
7
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
t
PU
t
PD
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，
0V输入脉冲电平为3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
8
9
10
319
AC测试负载
Z
O
= 50
产量
50
1.5V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3.3V
11
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
12
图1
图2
5
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
11/01/01
IS61LV25616
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
- 7，8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
2000年8月
描述
该
ISSI
IS61LV25616是一个高速， 4194304位静态
RAM （16位）组织为262,144字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，收益率的高性能和低功耗
设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制着写作的memory.A和阅读
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）的访问。
该IS61LV25616打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP和
48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
09/29/00
1
IS61LV25616
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP （ II型）和SOJ
44引脚LQFP
ISSI
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
09/29/00
IS61LV25616
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
1
2
3
4
5
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号参数
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-45至+90
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
6
7
8
9
10
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
7，8， 10纳秒
V
CC
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12纳秒， 15纳秒
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
11
12
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
09/29/00
3
IS61LV25616
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
, 4
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
ISSI
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-7, -8
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
260
300
85
95
20
25
10
15
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
260
300
85
95
20
25
10
15
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
240
280
75
85
20
25
10
15
-15
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
220
250
65
75
20
25
10
15
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
CC
=最大，
COM 。
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
09/29/00
IS61LV25616
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
电时间
关机时间
-7
分钟。马克斯。
7
—
3
—
—
—
0
0
2.5
—
0
0
0
—
—
7
—
7
3.5
2.5
—
3
—
3
2.5
—
—
7
-8
分钟。马克斯。
8
—
3
—
—
—
0
—
3
—
0
0
0
—
—
8
—
8
3.5
3
—
3
—
3.5
3
—
—
8
-10
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
—
10
—
10
4
4
—
4
—
4
3
—
—
10
-12
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
—
12
—
12
5
5
—
6
—
5
4
—
—
12
ISSI
-15
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
0
—
—
15
—
15
7
6
—
8
—
7
5
—
—
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
2
3
4
5
6
7
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
t
PU
t
PD
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，
0V输入脉冲电平为3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。
在发展中阴影区域的产品
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
8
9
10
319
AC测试负载
Z
O
= 50
产量
50
1.5V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3.3V
11
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
12
图1
图2
5
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
09/29/00
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