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IS61LV256
IS61LV256
32K ×8低压CMOS静态RAM
ISSI
ISSI
1996年2月
特点
高速存取时间: 12 , 15 , 20 , 25纳秒
自动断电,当芯片被取消
CMOS低功耗运行
- 345 mW工作(最大)
- 7毫瓦(最大) CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作:无时钟或刷新
需要
三态输出
描述
ISSI
IS61LV256是一个非常高速,低功耗,
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术,产量
存取时间快最多12纳秒。
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在其中的功耗减小到
50
W
(典型值), CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能(
CE
) 。该低电平有效写使能(
WE
)控制
写入和读取的存储器。
该IS61LV256是JEDEC标准28引脚,
300mil的DIP和SOJ ,再加上450密耳的TSOP封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1996年,集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案,公司
牧师F 0296
SR81995LV61
2-1
IS61LV256
引脚配置
28引脚DIP和SOJ
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
28引脚TSOP
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+4.6
-55到+125
-65到+150
0.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2-2
集成的芯片解决方案,公司
牧师F 0296
SR81995LV61
IS61LV256
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V +10%, –5%
3.3V
±
5%
ISSI
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F = 0
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-12 NS
分钟。马克斯。
50
100
10
2
-15 NS
分钟。马克斯。
50
60
90
100
10
20
2
5
-20 NS
分钟。马克斯。
50
60
80
90
10
20
2
5
-25 NS
分钟。马克斯。
50
60
70
80
10
20
2
5
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
mA
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案,公司
牧师F 0296
SR81995LV61
2-3
IS61LV256
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-12 NS
分钟。马克斯。
12
2
0
3
0
12
12
6
7
5
13
-15 NS
分钟。马克斯。
15
2
0
3
0
15
15
7
8
6
15
-20 NS
分钟。马克斯。
20
2
0
3
0
20
20
8
9
9
18
-25 NS
分钟。马克斯。
25
2
0
3
0
25
25
9
10
10
20
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。未经100%测试。
3.未经100%测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
635
3.3V
635
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
图1A 。
图1B 。
2-4
集成的芯片解决方案,公司
牧师F 0296
SR81995LV61
IS61LV256
AC波形
读周期1号
(1,2)
ISSI
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
D
OUT
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
CE
t
ACE
t
LZCE
t
LZOE
t
HZCE
数据有效
D
OUT
高-Z
t
PU
t
PD
50%
50%
ICC
供应
当前
ISB
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE
,
CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
集成的芯片解决方案,公司
牧师F 0296
SR81995LV61
2-5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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IS61LV256-15N
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IS61LV256-15N
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ISSI
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ISSI
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