IS61LV12824
128K ×24高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间： 8 ， 10纳秒
CMOS低功耗运行
- 756毫瓦（最大）操作@ 8纳秒
- 36毫瓦（最大）待机@ 8纳秒
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
提供119引脚塑料球栅阵列
（ PBGA ）和100引脚TQFP封装。
工业应用温度
无铅可
ISSI
2005年6月
描述
该
ISSI
IS61LV12824是一个高速，静态RAM组织
如131,072字由24位。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量AC-
塞斯倍快8 ns的低功耗。
当
CE1 ， CE2
高， CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率耗散
化能与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE1,
CE2,
CE2
和
OE 。
活跃
LOW写使能（ WE）控制着写作和阅读的
的存储器。
该IS61LV12824打包在JEDEC标准
119引脚PBGA和100引脚TQFP封装。
功能框图
A0-A16
解码器
128K X 24
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O23
列I / O
CE2
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
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Rev. D的
06/22/05
1
IS61LV12824
ISSI
引脚说明
6
A4
A3
NC
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
NC
A1
A2
7
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
V
CCQ
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
NC
NC
A0-A16
CE1 ， CE2
CE2
OE
WE
NC
VCC
V
CCQ
GND
地址输入
芯片使能输入低
I / O0 -I / O23数据输入/输出
3
A14
A13
CE2
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A8
A7
4
A15
CE1
NC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
NC
WE
OE
5
A16
A5
CE2
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A0
A6
引脚配置 - 119引脚PBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
V
CCQ
I/O22
I/O23
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
NC
NC
2
A11
A12
NC
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
GND
V
CCQ
NC
A10
A9
芯片使能输入高
输出使能输入
写使能输入
无连接
动力
I / O电源
地
2
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IS61LV12824
引脚配置
100引脚TQFP
NC
NC
A11
A12
A13
A14
A15
CE2
VCC
GND
CE2
CE1
A16
A5
A4
A3
NC
NC
NC
NC
ISSI
1
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
VCC
GND
I/O0
I/O1
GND
VCC
Q
I/O2
I/O3
GND
VCC
Q
I/O4
I/O5
VCC
NC
NC
GND
I/O6
I/O7
VCC
Q
GND
I/O8
I/O9
VCC
Q
GND
I/O10
I/O11
VCC
GND
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
VCC
GND
I/O16
I/O17
GND
VCC
Q
I/O18
I/O19
GND
VCC
Q
I/O20
I/O21
VCC
NC
NC
GND
I/O22
I/O23
VCC
Q
GND
I/O12
I/O13
VCC
Q
GND
I/O14
I/O15
VCC
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O23
CE1 ， CE2
CE2
OE
WE
NC
VCC
V
CCQ
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入低
芯片使能输入高
输出使能输入
写使能输入
无连接
动力
I / O电源
地
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NC
NC
NC
NC
A10
A9
A8
A7
OE
GND
VCC
WE
A6
A0
A1
A2
NC
NC
NC
NC
3
IS61LV12824
真值表
模式
未选择
WE
X
X
X
H
H
L
CE1
H
X
X
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
CE2
X
X
H
L
L
L
OE
X
X
X
H
L
X
I/O0-I/O23
高-Z
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
ISSI
高-Z
D
OUT
D
IN
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
写
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流
价值
-0.5 5.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+ 150
-10至+ 85
-45至+ 90
2.0
±20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
（ 8 NS ）
3.3V + 10%, – 5%
3.3V + 10%, – 5%
V
CC
（ 10纳秒）
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
4
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IS61LV12824
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
分钟。
马克斯。
ISSI
-10 NS
分钟。
马克斯。
单位
mA
mA
—
—
—
—
—
—
210
240
70
80
10
20
—
—
—
—
—
—
180
210
50
55
10
20
1
2
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
， F =最大值。
IND 。
CE1 ， CE2 ，
≥
V
IH
， CE2
≤
V
IL
V
CC
=最大，
COM 。
CE1 ， CE2
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
I
SB
2
mA
3
4
5
6
7
8
9
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
2纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
319
10
11
353
Z
O
= 50
产量
50
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1.5V
12
图1
图2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
06/22/05
5
QQ：2880707522 复制
