IS61LV12816
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间： 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V ± 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
描述
2003年2月
该
ISSI
IS61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这
高度可靠的工艺加上创新的电路设计
技术，产量的存取时间快10纳秒的低
功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV12816打包在JEDEC标准44-
销400万SOJ ， 44引脚TSOP （ II型） ， 44引脚LQFP封装，并
48针Mini- BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
02/05/2003
1
IS61LV12816
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ （ K）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
44引脚TSOP - II （ T）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48引脚小型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
44引脚LQFP （ LQ ）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
OE
UB
LB
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 345
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
NC
A5
A6
A7
A8
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
02/05/2003
IS61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
ISSI
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.3 4.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到+ 150
1.0
±20
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响了可靠性
性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
02/05/2003
3
IS61LV12816
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
V
DD
操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
110
120
35
45
10
20
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
90
100
30
40
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
02/05/2003
IS61LV12816
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
-10 NS
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
10
—
10
4
4
—
4
—
4
4
—
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
12
—
12
5
5
—
5
—
5
5
—
-15 NS
分钟。
马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
—
15
—
15
6
6
—
8
—
6
6
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入
0V的脉冲电平为3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。不
100 ％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
02/05/2003
5
IS61LV12816
特点
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
高速存取时间：8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
3.3V单电源+ 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
描述
该
1+51
IS61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
1+51
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61LV12816打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ ， 44引脚400mil TSOP - 2 ，以及48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR023_0C
1
IS61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
!
＆ QUOT ;
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到4.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+150
-65到+85
-45至+90
2.0
+20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
#
$
%
＆放大器;
'
分钟。
2.4
2
0.3
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
3
1
5
1
5
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
集成电路解决方案公司
SR023_0C
IS61LV12816
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
CC
I
CC
写
I
CC
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
I
CC
I
SB
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。马克斯。
220
230
30
40
10
15
-10 NS
分钟。马克斯。
200
210
30
40
10
15
-12 NS
分钟。马克斯。
180
190
30
40
10
15
-15 NS
分钟。马克斯。
165
175
30
40
10
15
单位
mA
mA
I
SB
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成电路解决方案公司
SR023_0C
IS61LV12816
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
8
3
8
0
0
3
0
0
-8
马克斯。
8
3
3
3
3
3
-10
分钟。马克斯。
10
3
0
0
3
0
0
10
10
4
4
4
4
4
-12
分钟。马克斯。
12
3
0
0
3
0
0
12
12
5
5
5
5
5
-15
分钟。马克斯。
15
3
0
0
0
3
0
0
15
15
6
6
8
6
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
!
＆ QUOT ;
#
$
%
＆放大器;
'
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZCE
CE
到输出高阻态
t
LZCE
CE
以低Z输出
t
BA
t
HZB
t
LZB
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0至图1中指定的3.0V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
注意事项：
1. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
AC测试负载
319
3.3V
319
3.3V
353
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5
图1 。
集成电路解决方案公司
SR023_0C
图2中。
IS61LV12816
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间：8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V ± 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
描述
2000年11月
该
ISSI
IS61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61LV12816打包在JEDEC标准的44引脚
400万SOJ ， 44引脚TSOP ， 44引脚LQFP封装，以及48引脚小型
BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
1
IS61LV12816
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ （ K）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
44引脚TSOP （T ）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48引脚小型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
44引脚LQFP （ LQ ）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
OE
UB
LB
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 345
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
WE
A0
A1
A2
A3
A4
NC
A5
A6
A7
A8
IS61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
ISSI
工作范围
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流
价值
-0.5 5.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+ 150
-10至+ 85
-45至+ 90
2.0
±20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
3
IS61LV12816
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
CE
- V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
150
160
50
60
10
20
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
110
120
35
45
10
20
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
90
100
30
40
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
IS61LV12816
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
8
—
3
8
—
—
0
0
3
—
0
0
最大
—
8
—
—
3
3
—
3
—
3
3
—
-10 NS
分钟。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
10
—
10
4
4
—
4
—
4
4
—
-12 NS
分钟。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
12
—
12
5
5
—
5
—
5
5
—
-15 NS
分钟。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
15
—
15
6
6
—
8
—
6
6
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
在0V至图1中指定的3.0V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
3.3V
319
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1 。
图2中。
5
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
IS61LV12816
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间：8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V ± 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
描述
2000年11月
该
ISSI
IS61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61LV12816打包在JEDEC标准的44引脚
400万SOJ ， 44引脚TSOP ， 44引脚LQFP封装，以及48引脚小型
BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
1
IS61LV12816
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ （ K）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
44引脚TSOP （T ）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48引脚小型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
44引脚LQFP （ LQ ）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
OE
UB
LB
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 345
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
WE
A0
A1
A2
A3
A4
NC
A5
A6
A7
A8
IS61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
ISSI
工作范围
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流
价值
-0.5 5.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+ 150
-10至+ 85
-45至+ 90
2.0
±20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
3
IS61LV12816
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
CE
- V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
150
160
50
60
10
20
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
110
120
35
45
10
20
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
90
100
30
40
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
IS61LV12816
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
8
—
3
8
—
—
0
0
3
—
0
0
最大
—
8
—
—
3
3
—
3
—
3
3
—
-10 NS
分钟。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
10
—
10
4
4
—
4
—
4
4
—
-12 NS
分钟。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
12
—
12
5
5
—
5
—
5
5
—
-15 NS
分钟。
15
—
3
—
—
0
0
0
3
—
0
0
马克斯。
—
15
—
15
6
6
—
8
—
6
6
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
在0V至图1中指定的3.0V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
3.3V
319
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1 。
图2中。
5
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/30/00
QQ：2880707522 复制
