IS61C64B
8K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10，12，和15纳秒
自动断电时芯片
取消
CMOS低功耗运行
- 450毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
提高速度的一个芯片启用（ CE ）
ISSI
2001年7月
描述
该
ISSI
IS61C64B是一个非常高速，低功耗，
8192字×8位的静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
存取时间快10纳秒的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易内存扩展是利用一个芯片提供
使能输入，
CE 。
该低电平有效写使能（ WE）控制
写入和读取的存储器。
该IS61C64B打包在JEDEC标准的28引脚，
300密耳DIP和SOJ和TSOP 。
功能框图
A0-A12
解码器
256 X 256
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2001年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
07/17/01
1
IS61C64B
引脚配置
28引脚DIP和SOJ
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
ISSI
引脚配置
28引脚TSOP （类型1 ）
OE
A11
A9
A8
WE
VCC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
*
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
*
引脚说明
A0-A12
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
*
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
必须连接至任一
VCC和GND
动力
地
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE
H
X
L
L
L
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
速度
10纳秒
12纳秒
15纳秒
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-10至+85
-65到+150
1.0
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2
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版本C
07/17/01
IS61C64B
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
–2
–2
ISSI
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
1
2
3
4
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
V
IH
or
CE2 - V
IL
, f = 0
V
CC
=最大，
CE1
V
CC
– 0.2V,
CE2 - 0.2V ，
V
IN
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
-10ns
分钟。马克斯。
—
—
185
30
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
175
30
-15ns
分钟。马克斯。
—
—
135
30
单位
mA
mA
5
6
7
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
—
10
—
10
—
10
mA
8
9
10
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
符号
C
IN
C
OUT
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
11
12
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
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版本C
07/17/01
3
IS61C64B
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
–10ns
分钟。马克斯。
10
—
2
—
—
0
—
2
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
-12ns
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
—
12
—
12
6
—
6
—
7
-15ns
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
—
15
—
15
7
—
6
—
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
480
5V
480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1A 。
图1B 。
4
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版本C
07/17/01
IS61C64B
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
ISSI
1
t
AA
t
OHA
地址
t
OHA
数据有效
2
3
4
D
OUT
以前的数据有效
读周期2号
(1,3)
t
RC
5
t
OHA
地址
t
AA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
6
7
CE
t
ACE
t
LZCE
t
LZOE
t
HZCE
数据有效
D
OUT
高-Z
8
9
10
11
12
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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版本C
07/17/01
5
IS61C64B
8K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10，12，和15纳秒
自动断电时芯片
取消
CMOS低功耗运行
- 450毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
提高速度的一个芯片启用（ CE ）
ISSI
2002年7月
描述
该
ISSI
IS61C64B是一个非常高速，低功耗，
8192字×8位的静态RAM 。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量AC-
塞斯倍的速度为10 ns低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易内存扩展是利用一个芯片使能提供
输入，
CE 。
该低电平有效写使能（ WE）控制着
写入和读取的存储器。
该IS61C64B打包在JEDEC标准的28引脚，
300密耳SOJ和TSOP 。
功能框图
A0-A12
解码器
256 X 256
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI
承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得该设备的最新版本
规范之前依靠任何公开信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
Rev. D的
07/01/02
IS61C64B
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE
H
X
L
L
L
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
引脚配置
28引脚SOJ
引脚配置
28引脚TSOP （类型1 ）
*
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
*
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
WE
VCC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
*
*
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A12
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
*
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
必须连接至任一
VCC和GND
动力
地
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Rev. D的
07/01/02
IS61C64B
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-10至+85
-65到+150
1.0
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
1
2
3
4
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
速度
10纳秒
12纳秒
15纳秒
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
5
6
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
7
8
9
10
11
12
–2
–2
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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Rev. D的
07/01/02
IS61C64B
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
V
IH
or
CE2 - V
IL
, f = 0
V
CC
=最大，
CE1
V
CC
– 0.2V,
CE2 - 0.2V ，
V
IN
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
-10ns
分钟。马克斯。
—
—
185
30
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
175
30
-15ns
分钟。马克斯。
—
—
135
30
ISSI
单位
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
—
10
—
10
—
10
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
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IS61C64B
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
–10ns
分钟。马克斯。
10
—
2
—
—
0
—
2
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
-12ns
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
—
12
—
12
6
—
6
—
7
-15ns
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
—
15
—
15
7
—
6
—
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
1
2
3
4
5
6
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
7
8
9
AC测试负载
480
5V
480
5V
10
255
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
11
12
图1A 。
图1B 。
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IS61C64B
8K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10，12，和15纳秒
自动断电时芯片
取消
CMOS低功耗运行
- 450毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
提高速度的一个芯片启用（ CE ）
ISSI
2002年7月
描述
该
ISSI
IS61C64B是一个非常高速，低功耗，
8192字×8位的静态RAM 。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量AC-
塞斯倍的速度为10 ns低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易内存扩展是利用一个芯片使能提供
输入，
CE 。
该低电平有效写使能（ WE）控制着
写入和读取的存储器。
该IS61C64B打包在JEDEC标准的28引脚，
300密耳SOJ和TSOP 。
功能框图
A0-A12
解码器
256 X 256
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI
承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得该设备的最新版本
规范之前依靠任何公开信息及订货产品之前。
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07/01/02
IS61C64B
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE
H
X
L
L
L
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
引脚配置
28引脚SOJ
引脚配置
28引脚TSOP （类型1 ）
*
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
*
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
WE
VCC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
*
*
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A12
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
*
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
必须连接至任一
VCC和GND
动力
地
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IS61C64B
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-10至+85
-65到+150
1.0
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
1
2
3
4
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
速度
10纳秒
12纳秒
15纳秒
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
5
6
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
7
8
9
10
11
12
–2
–2
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
V
IH
or
CE2 - V
IL
, f = 0
V
CC
=最大，
CE1
V
CC
– 0.2V,
CE2 - 0.2V ，
V
IN
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
-10ns
分钟。马克斯。
—
—
185
30
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
175
30
-15ns
分钟。马克斯。
—
—
135
30
ISSI
单位
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
—
10
—
10
—
10
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
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读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
–10ns
分钟。马克斯。
10
—
2
—
—
0
—
2
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
-12ns
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
—
12
—
12
6
—
6
—
7
-15ns
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
—
15
—
15
7
—
6
—
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
1
2
3
4
5
6
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
7
8
9
AC测试负载
480
5V
480
5V
10
255
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
11
12
图1A 。
图1B 。
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07/01/02
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