IS61C1024AL
IS64C1024AL
128K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年1月
特点
高速存取时间： 12日， 15纳秒
低有功功率： 160毫瓦（典型值）
低待机功耗： 1000 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
商用，工业和汽车温度
TURE适用范围
无铅可
描述
该
ISSI
IS61C1024AL / IS64C1024AL是一个非常高速，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ISSI公司
高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量更高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散
可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
该IS61C1024AL / IS64C1024AL可在32引脚300-
万SOJ ， 32引脚400密耳SOJ ， 32引脚TSOP （I型， 8x20 ） ，
和32引脚sTSOP （I型， 8× 13.4 ）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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版本B
01/24/05
1
IS61C1024AL ， IS64C1024AL
引脚配置
32引脚SOJ
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚配置
32引脚的TSOP （类型1） （T）和sTSOP （类型1） （H）的
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VDD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
工作范围（ IS61C1024AL ）
工作范围（ IS64C1024AL ）
范围
汽车
环境温度
-40°C至+ 125°C
V
DD
5V ± 10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
2
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版本B
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IS61C1024AL ， IS64C1024AL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的tional部分将得不到保证。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–5
–1
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
A
I
LO
输出漏
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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3
IS61C1024AL ， IS64C1024AL
ISSI
-12 NS
分钟。马克斯。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
35
40
—
45
50
—
32
1
1.5
—
—
—
—
400
450
—
200
500
2
A
mA
55
45
mA
-15 NS
分钟。马克斯。
单位
mA
IS61C1024AL / IS64C1024AL电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE1
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE1
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
I
CC
2
I
SB
1
TTL待机电流
（ TTL输入）
V
DD
= V
DD MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE1
≥
V
DD
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
4
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IS61C1024AL ， IS64C1024AL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE1
以低Z输出
CE2为低-Z输出
CE1
或CE2到输出高阻态
CE1
或为CE2上电
CE1
或CE2掉电
-12
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
12
—
12
12
6
—
6
—
—
7
—
12
-15
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
15
—
15
15
7
—
6
—
—
8
—
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲
0在图1中规定的水平至3.0V ，输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1
图2
5
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版本B
01/24/05
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