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IS43 / 46DR86400B ， IS43 / 46DR16320B

512MB （ X8 ， X16 ） DDR2 SDRAM

特点

时钟频率高达400MHz

中科院发布

可编程CAS延时： 3 ，4，5和6中

可编程的附加延迟： 0，1， 2 ，3，4和5

写延时=读延时-1

可编程突发顺序：顺序或

交错

可编程突发长度： 4和8

自动和控制预充电命令

掉电模式

自动刷新和自刷新

刷新间隔： 7.8

（ 8192次/ 64毫秒）

OCD （片外驱动器阻抗调整）

ODT （片上终端）

实力弱数据输出驱动器选件

双向差分数据选通（单

端数据选通是一个可选功能）

片DLL对齐DQ和DQS与过渡

CK转换

差分时钟输入CK和CK ＃

VDD和VDDQ = 1.8V ± 0.1V

PASR （部分阵列自刷新）

SSTL_18接口

tRAS的锁定支持

读数据选通支持（ X8只）

内置4组操作与单脉冲

RAS

工作温度：

商业（T

= 0 ° C至+ 70°C ;牛逼

= 0°C至+ 85°C ）

工业（T

= -40 ° C至+ 85°C ;牛逼

= -40 ° C至+ 95 ° C）

汽车， A1 （T

= -40 ° C至+ 85°C ;牛逼

= -40 ° C至

+95°C)

汽车， A2 （T

= -40 ° C至+ 105°C ;牛逼

= -40°C

至+ 105 ° C）

2012年8月

选项

CON组fi guration ：

64Mx8 （ 16M ×8× 4组）

32Mx16 （ 8M ×16× 4组）

包装：

60球TW -BGA的X8

84球TW -BGA的X16

地址表

参数

行寻址

列寻址

银行地址

预充电解决

64Mx8

A0-A13

A0-A9

BA0-BA1

A10

32Mx16

A0-A12

A0-A9

BA0-BA1

A10

时钟周期时序

-5B

速度等级

CL- tRCD的-TRP

TCK （CL = 3）的

TCK （CL = 4）的

TCK （ CL = 5 ）

TCK （ CL = 6）

频率（最大）

DDR2-400B

3-3-3

200

-37C

DDR2-533C

4-4-4

3.75

266

-3D

DDR2-667D

5-5-5

3.75

333

-25E

DDR2-800E

6-6-6

3.75

2.5

400

-25D

DDR2-800D

5-5-5

3.75

2.5

400

单位

TCK

兆赫

注： -5B设备规格显示仅供参考。

恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户

之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。

集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效

合理预期造成的生命支持系统的故障，或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类用途

除非应用程序集成的芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：

。一）损伤或损坏的风险被最小化;

。 b）使用者承担所有风险;和

角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，

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我牧师， 2012年8月1日

IS43 / 46DR86400B ， IS43 / 46DR16320B

包装球出和说明

DDR2 SDRAM （ 64Mx8 ） 60球TW- BGA球出（俯视图）（10.00毫米× 10.50毫米机身，0.8毫米间距）

符号

CK ， CK ＃

CKE

CS ＃

RAS ＃， CAS ＃， WE＃

A[13:0]

BA [ 1：0]

DQ [7：0 ]

DQS ， DQS ＃

RDQS ， RDQS ＃

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

ODT

描述

输入时钟

时钟使能

芯片选择

指挥控制引脚

地址

银行地址

I / O

数据选通

冗余数据选通

输入数据屏蔽

电源电压

地

DQ电源

DQ地面

参考电压

DLL电源

DLL地面

片上终端启用

无连接

注意事项：

1.引脚B3和A2具有相同的电容量为销B7

和A8 。

2.对于一个读使能时，闪光灯对RDQS & RDQS ＃

在功能和定时相同选通一对的DQS &

DQS ＃和输入掩码功能。

3.糖尿病或RDQS / RDQS ＃的功能是通过启用

EMRS命令。

4. VDDL和VSSDL的电源和接地的DLL。

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我牧师， 2012年8月1日

IS43 / 46DR86400B ， IS43 / 46DR16320B

DDR2 SDRAM （ 32Mx16 ） 84球TW- BGA球出（顶视图）（ 10.50毫米X 13.00毫米机身，0.8毫米间距）

符号

CK ， CK ＃

CKE

CS ＃

RAS ＃， CAS ＃， WE＃

A[12:0]

BA [ 1：0]

DQ [15：0 ]

UDQS ， UDQS ＃

LDQS ， LDQS ＃

UDM ， LDM

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

ODT

描述

输入时钟

时钟使能

芯片选择

指挥控制输入

地址

银行地址

I / O

高字节数据选通

低字节数据选通

输入数据屏蔽

电源电压

地

DQ电源

DQ地面

参考电压

DLL电源

DLL地面

片上终端启用

无连接

注意：

VDDL和VSSDL的电源和接地的DLL。

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我牧师， 2012年8月1日

IS43 / 46DR86400B ， IS43 / 46DR16320B

功能说明

上电和初始化

的DDR2 SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。非指定的操作程序可能

导致不确定的操作。

上电和初始化顺序

下面的序列是必需的启动和初始化。

需要按下列顺序1的任一个为电：

A.当通电后，试图维持CKE低于0.2× VDDQ和ODT处于较低状态（所有其他输入可能

不确定的。） VDD电压上升时间必须不大于200毫秒时，从VDD斜坡300 mV至

VDD （最小值） ;并在VDD电压斜坡， | VDD ， VDDQ |

≥

0.3 V.一旦电源电压的斜坡是

完成（当VDDQ穿越VDDQ （最小值）），在表中提供的电源电压的规格

建议的直流

工作条件（ SSTL_1.8 ）

为准。

VDD和VDDL和VDDQ的是从单个电源转换器的输出驱动，与

VTT被限制为0.95V max时，与

VREF跟踪VDDQ / 2 ， VREF必须在

300mV的用在电源斜坡时间就VDDQ / 2 。

VDDQ ≥ VREF必须在任何时候都得到满足

B.当通电后，试图维持CKE低于0.2× VDDQ和ODT处于较低状态（所有其他输入可能

未定义的，电压等级为I / O和输出必须小于在VDDQ电压斜坡时间，以避免DRAM闩

了。在电源电压（VDD）的斜坡

≥

VDDL

≥

VDDQ必须保持并且同时适用于交流

和DC电平，直到电源电压的斜率结束，这是当VDDQ跨越VDDQ分钟。一旦

斜坡的电源电压是完整的，在表中所提供的电源电压的规格

建议的直流

工作条件（ SSTL - 1.8 ）

为准。

之前或同时为VDDQ施加VDD / VDDL 。

VDD / VDDL电压斜坡上升时间必须不大于200毫秒时，从斜VDD 300 mV至VDD （最小值）。

之前或同时为VTT应用VDDQ 。

从当VDD （最小值）在VDD到VDDQ （最小值），实现了VDDQ电压斜坡时间上实现了VDDQ

不能超过500毫秒以上。

2.启动时钟和保持稳定的状态。

3.对于200微秒的稳定的电力后的最小（VDD和VDDL ， VDDQ ，VREF和VTT值是在最小的范围内，并

在表中指定的最大值

建议的直流工作条件（ SSTL - 1.8 ））

和稳定的时钟（ CK ， CK ＃），然后应用

NOP或取消，并断言逻辑高电平到CKE 。

4.等待至少400 ns的话发出预充电所有命令。在400 ns周期，一个NOP或取消命令必须是

颁发给DRAM 。

5.发出的EMRS命令EMR （ 2 ）。

6.发行的EMRS命令EMR （ 3 ）。

7.发行EMRS使DLL。

8. Issue一个模式寄存器组命令复位DLL 。

9.发出预充电所有命令。

10.问题2或更多自动刷新命令。

11.发行低到A8 A太太命令初始化设备操作。（即程序无需重新设定工作参数

该DLL ）。

第8步后12.等待至少200个时钟周期，然后执行OCD校准（片外驱动器阻抗调整）。如果强迫症

校准不使用， EMRS默认命令（ A9 = A8 = A7 =高），其次是EMRS OCD校准模式退出命令

（ A9 = A8 = A7 = LOW ）必须与电子病历的其它工作参数发行（ 1 ）。

13. DDR2 SDRAM现在可以正常运行。

注意：

1.为了保证ODT关闭， VREF必须是有效和低电平必须应用到所述ODT管脚。

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我牧师， 2012年8月1日

IS43 / 46DR86400B ， IS43 / 46DR16320B

加电后，图初始化序列

总胆固醇

TCL

TIS

NOP

PRE

所有

EMRS

太太

PRE

所有

REF

tRFC

REF

tRFC

太太

超过tMRD

EMRS

按照OCD

流程图

EMRS

TIS

CK ＃

ODT

TOIT

任何

COM

命令

400ns

激进党

超过tMRD

激进党

最小200个循环

DLL

启用

DLL

RESET

强迫症

默认

OCD校准。

模式退出

编程模式寄存器和扩展模式寄存器

对于应用程序的灵活性，突发长度，突发类型， CAS ＃延迟， DLL复位功能，写入恢复时间（ WR ）是用户定义的

变量并且必须与模式寄存器设置（ MRS）的指令进行编程。此外， DLL禁用功能，驱动器阻抗，

添加剂CAS延迟时间， ODT （片上终端），单端闪灯和OCD （片外驱动器阻抗调整）也是用户

定义的变量，必须用扩展模式寄存器设置（ EMRS ）命令进行编程。模式寄存器的内容

（MR）或扩展模式寄存器的EMR [1]和EMR [2]可以通过重新执行MRS或EMRS命令来改变。即使用户

选择修改MR的一个子集， EMR [1]，或EMR [2]的变量，被寻址的寄存器中的所有变量必须是

重新发行的MRS或EMRS命令时。在X16选项没有A13 ，所以这个地址的所有引用即可

忽略此选项。

刘健， EMRS和复位DLL不影响存储阵列的内容，这意味着重新初始化包括那些可以在任何被执行

上电后不影响存储阵列的内容的时间。

DDR2模式寄存器（ MR）设定

模式寄存器中存储的数据，用于控制的DDR2 SDRAM的各种操作模式。它控制CAS ＃延迟，突发

长度，脉冲串序列，复位DLL ， tWR的，和活性断电退出时间作出的DDR2 SDRAM可用于各种应用。该

模式寄存器的缺省值没有被定义，因此该模式寄存器必须写入电后进行正确的操作。

该模式寄存器写的是在CS ＃， RAS ＃， CAS ＃， WE＃， BA0和BA1宣称较低，而控制的地址引脚A0状态

- A13 。在DDR2 SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入模式寄存器之前高。模式

寄存器组指令周期时间（超过tMRD ）来完成写入操作模式寄存器。模式寄存器中

内容可以通过在正常操作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行都在改变

预充电状态。模式寄存器分为取决于功能性的各种领域。突发长度由A0定义 - A2

与4个选项和8位突发长度。突发长度解码与DDR SDRAM兼容。突发地址序列类型

由A3定义; CAS延迟是由A4定义 - A6 。在DDR2不支持半钟延迟模式。 A7的用于测试模式。 A8是

用于DLL复位。 A7必须设置为低于正常MRS操作。写恢复tWR是由A9定义 - A11 。参阅

表中的特定代码。

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我牧师， 2012年8月1日