【IS42S16100EIS45S16100E512K字×16位×2组16Mb的同步动态RAM特点时钟】,IC型号IS45S16100E-7TLA1,IS45S16100E-7TLA1 PDF资料,IS45S16100E-7TLA1经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS42S16100E

IS45S16100E

512K字×16位×2组

16Mb的同步动态RAM

特点

时钟

频率：200 ，166， 143兆赫

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

两个银行可以同时操作，

独立地

通过A11双控制内部银行（银行选择）

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度

– (1, 2, 4, 8, full page)

可编程突发序列：

顺序/交错

每32毫秒 2048刷新周期（ COM ，印第安纳州， A1

grade) or 16ms (A2 grade)

随机列地址每个时钟周期

可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发站，

预充电命令

字节由LDQM和UDQM控制

套餐： 400万50针TSOP -II和60球

TF -BGA

温度等级：

Commercial (0

C至+70

Industrial (-40

C to +85

Automotive A1 (-40

C to +85

Automotive A2 (-40

C to +105

2009年9月

描述

ISSI

’s 16Mb Synchronous DRAM IS42/4516100E is

organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for

改进的性能。该同步DRAM

使用流水线实现高速数据传输

架构。所有输入和输出信号的参考

时钟输入的上升沿。

销刀豆网络gurations

50引脚TSOP （ II型）

VDD

DQ0

DQ1

GNDQ

DQ2

DQ3

VDDQ

DQ4

DQ5

GNDQ

DQ6

DQ7

VDDQ

LDQM

CAS

RAS

A11

A10

VDD

GND

DQ15

DQ14

GNDQ

DQ13

DQ12

VDDQ

DQ11

DQ10

GNDQ

DQ9

DQ8

VDDQ

UDQM

CLK

CKE

GND

引脚说明

A0-A10

A11

A0-A7

DQ0 to DQ15

CLK “

CKE =

RAS =

行地址输入

银行选择地址

列地址输入

数据DQ

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址

选通命令

CAS

LDQM

VDD “

GND¤

VDDQ

列地址选通命令

写使能

低再见，输入/输出面膜

动力

地

电源的DQ引脚

无连接

UDQM上再见，输入/输出面膜

GNDQ接地DQ引脚

通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-

该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。

集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com

Rev. D的

08/24/09

IS42S16100E ， IS45S16100E

引脚配置

封装代码： B 60球TF- BGA （顶视图）（10.1毫米× 6.4毫米身体， 0.65毫米焊球间距）

1 2 3 4 5 6 7

引脚说明

a0-a10

a0-a7

a11

DQ0到DQ15

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

LDQM ， UDQM

GND

DDQ

GND

写使能

X16输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

GND DQ15

DQ14 GND

DQ13 VDDQ

DQ12 DQ11

DQ10 GNDQ

DQ9 VDDQ

DQ8

DQ0

VDD

VDDQ DQ1

GNDQ DQ2

DQ4

DQ3

VDDQ DQ5

GNDQ DQ6

VDD

LDQM

RAS

DQ7

CAS

A10

VDD

NC UDQM

CKE

A11

GND

CLK

集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com

Rev. D的

08/24/09

IS42S16100E ， IS45S16100E

引脚功能

TSOP引脚号符号

20 to 24

27 32

A0-A10

TYPE

输入引脚

功能（详细）

A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入

在读或写命令输入命令输入和A0 -A7为列地址输入。

A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果是A10

LOW during precharge command, the bank selected by A11 is precharged, but if A10 is

高，两家银行将预充电。

When A10 is HIGH in read or write command cycle, the precharge starts automatically

后突发访问。

这些信号成为操作码的过程模式寄存器设置命令的输入部分。

A11

输入引脚

A11 is the bank selection signal. When A11 is LOW, bank 0 is selected and when high,

bank 1 is selected. This signal becomes part of the OP CODE during mode register set

指令输入。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。

所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。如果是

CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，并且当低的，无效的。

当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，时钟暂停

模式，或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备的

同步于该引脚的上升沿取得。

在CS

输入决定了装置内的指令输入是否被使能。

指令输入时启用

CS为低，失效和CS为高电平。该装置

保持在以前的状态时

CS为高电平。

DQ0 to DQ15 are DQ pins. DQ through these pins can be controlled in byte units

使用LDQM和UDQM引脚。

LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读

模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，

相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去

高阻抗状态，当LDQM / UDQM高。此功能对应OE

在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制输入缓冲器。当

LDQM UDQM或为低，相应的缓冲区字节使能，数据可以

写入器件。当LDQM或UDQM为高电平时，输入数据被屏蔽而不能

写入器件。

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。请参阅“命令

真值表“关于设备命令的详细信息资料。

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。请参阅“命令

真值表“关于设备命令的详细信息资料。

VDDQ是输出缓冲器的电源。

VDD

是设备内部电源。

GNDQ是输出缓冲器地面。

GND

是设备内部的地面上。

CAS ↓

CKE =

输入引脚

CLK “

输入引脚

2，第3 ，第5， 6，8， 9，11 DQ0至

12 ， 39 ， 40 ， 42 ， 43 ， DQ15

45, 46, 48, 49

14, 36

LDQM ，

UDQM

DQ引脚

输入引脚

7, 13, 38, 44

1, 25

4, 10, 41, 47

26, 50

RAS =

VDDQ

VDD “

GNDQ

GND¤

输入引脚

电源引脚

集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com

Rev. D的

08/24/09

IS42S16100E ， IS45S16100E

功能框图

CLK

CKE

RAS

CAS

A11

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

行解码器

模式

ROW

地址

卜FF器

2048

记忆细胞

ARRAY

BANK 0

DQM

SENSE AMP I / O GATE

A10

刷新

调节器

·自

刷新

调节器

COLUMN

地址缓冲器

串计数器

COLUMN

地址锁存器

DATA- IN

卜FF器

256

列解码器

DQ 0-15

256

SENSE AMP I / O GATE

刷新

计数器

行解码器

DATA -OUT

卜FF器

多路复用器

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

2048

记忆细胞

ARRAY

VDD / VDDQ

GND / GNDQ

银行1

集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com

Rev. D的

08/24/09

IS42S16100E ， IS45S16100E

绝对最大额定值

(1)

符号

DD MAX

DDQ

OUT

MAX

OPR

最大

参数

最大电源电压

最大电源电压为输出缓冲

输入电压

输出电压

允许功耗

输出短路电流

工作温度

储存温度

商用

产业

等级

单位

-1.0到+4.6 V

0 to +70

-40 to +85

-40 to +105

°C

英镑

-55至+150°C

DC推荐工作条件

(2)

(

在？吨

= 0

C至+70

下商用温度T

= -40

C to +85

C for Industrial and A1 temperature, T

= -40

C到

+105

下A2温度）

符号

, V

DDQ

参数

电源电压

输入高电压

(3)

输入低电压

(4)

分钟。

3.0

2.0

-0.3

典型值。

3.3

—

马克斯。

3.6

+ 0.3

+0.8

单位

电容特性

(1,2)

（当T

= 0 to +25°C, VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V, f = 1 MHz)

符号

CI / O

参数

输入电容： A0 -A11

输入电容（ CLK ， CKE ，

CS ， RAS ， CAS，WE ， LDQM ， UDQM ）

数据输入/输出电容： DQ0 - DQ15

典型值。

—

马克斯。

单位

注意事项：

1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a

值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性

的能力。

2. All voltages are referenced to GND.

3. V

（最大值） = V

DDQ

+ 1.2V with a pulse width ≤

3纳秒。

4. V

（分钟） = V

DDQ

- 1.2V with a pulse width ≤

3纳秒。

集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com

Rev. D的

08/24/09