IS43R83200D
IS43 / 46R16160D ， IS43 / 46R32800D
8Mx32,16Mx16,32Mx8
256MbDDRSDRAM
特点
VDD和VDDQ ： 2.5V ± 0.2V
SSTL_2兼容的I / O
双数据速率的架构;两种数据传输
在每个时钟周期
双向，数据选通（ DQS）被发送/
与接收的数据，在数据采集中使用
在接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读取和
中心对齐与写入数据
差分时钟输入（ CK和CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
四个内部银行的并发操作
数据掩码写入数据。 DM口罩写入数据
在数据选通信号的上升沿和下降沿
突发长度： 2 ， 4和8
突发类型：顺序和交错模式
可编程CAS延时： 2 ， 2.5和3
自动刷新和自刷新模式
自动预充电
T
RAS
支持锁定（T
RAP
= t
RCD
)
JUNE2012
器件概述
ISSI’s 256-Mbit DDR SDRAM achieves high speed data
传输使用流水线架构和两个数据字
accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory
array is internally organized as four banks of 64Mb to
允许并发操作。该管道可以读
和写突发访问是几乎连续的，有
该选项来连接或截断爆裂。该
突发长度的可编程特性，爆序列
和CAS延迟使更多的优势。该装置
is available in 8-bit, 16-bit and 32-bit data word size
输入数据被寄存在两个边缘上的I / O引脚
数据选通脉冲信号（多个）中，而输出数据被引用
到数据选通的两个边缘和CLK的两个边缘。
命令被注册在CLK的上升沿。
一个自动刷新模式设置，以及一个自
Refresh mode. All I/Os are SSTL_2 compatible.
地址表
参数
CON组fi guration
8Mx32
2M x 32 x 4
银行
16Mx16
4M x 16 x 4
银行
BA0, BA1
A10/AP
32Mx8
8M x 8 x 4
银行
BA0, BA1
A10/AP
银行地址BA0 ， BA1
引脚
Autoprecharge A8 / AP
引脚
行地址
列→
地址
4K(A0 – A11)
512(A0 – A7,
A9)
选项
8K （ A0 - A12 ） 8K （ A0 - A12 ）
512(A0 – A8)
8K / 64ms
8K / 16ms
1K(A0 – A9)
8K / 64ms
配置（ S） ： 8Mx32 ， 16Mx16 ， 32Mx8
包（ S） ：
144 Ball BGA (x32)
66-pin TSOP-II (x8, x16) and 60 Ball BGA (x8, x16)
无铅封装
温度范围：
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Automotive, A1 (-40°C to +85°C)
Automotive, A2 (-40°C to +105°C)
刷新计数
COM /个/ A1 4K / 64ms的
A2
4K / 16ms
关键时序参数
速度等级
-5
-6
单位
F
Ck
Max CL = 3
F
Ck
Max CL = 2.5
F
Ck
Max CL = 2
200
200
133
167
167
133
- 兆赫
- 兆赫
- 兆赫
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版本B
06/19/2012
1
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