IS42S83200C
IS42S16160C
引脚说明
符号
TYPE
描述
时钟： CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样，在正
CLK的边缘。 CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。停用
时钟提供了预充电断电和自刷新操作（所有银行闲置）
ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行） ，深度掉电（所有银行闲置） ，或
时钟挂起操作（正在进行中突发/接入） 。 CKE是同步的，除了后
器件进入掉电和自刷新模式，在CKE变成异步的，直到
后退出同一模式。输入缓冲器，包括CLK ，是在断电禁用
和自刷新模式，提供低待机功耗。 CKE可连接到高电平。
芯片选择： / CS启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。当/ CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 / CS为外部
在与多家银行系统，银行的选择。 / CS被认为是命令代码的一部分。
输入命令： / CAS ， / RAS和/ WE （连同/ CS ）定义所输入的命令。
输入/输出面膜： DQM采样为高，是一个输入掩码信号的写访问和
输出使能信号，用于读访问。在写周期的输入数据被屏蔽。输出
缓冲区在读周期置于高阻抗状态（双时钟延迟）时。 LDQM
对应于DQ0 - DQ7 ， UDQM对应DQ8 - DQ15 。 LDQM和UDQM是
考虑相同的状态时，作为DQM引用。
银行地址输入（ S） ： BA0和BA1定义到银行ACTIVE ，读，写或
预充电命令被应用。这些引脚也将模式寄存器之间选择
扩展模式寄存器。
A0-12与BA0,1一起指定行/列地址。该行地址是
通过A0-12规定。列地址由A0-9 （ X8 ）和A0-8 （ X16 ）指定。 A10还
用于指示预充电选项。当A10为高，一个读/写命令时，自动
预充电被执行。当A10为高电平时预充电命令，所有银行都预充电。
CLK
输入
CKE
输入
/ CS
/ CAS ，
/ RAS ，
/ WE
LDQM ，
UDQM （ X16 ）
DQM （ X8 ）
输入
输入
输入
BA0 ， BA1
输入
A0–A12
输入
DQ0 - DQ15 （ X16 ）
DQ0 - DQ7 （ X8 ）
I / O
–
供应
供应
供应
供应
数据输入/输出：数据总线。
内部不相连：这些可以悬空，但建议他们可
连接或V
SS
.
DQ电源：提供隔离电源的DQ ，以提高抗噪声能力。
DQ地：提供隔离地面的DQ ，以提高抗噪声能力。
核心供电。
地面上。
NC
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
启示录
C
04/02/09
QQ：2881677436 复制
