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IS42S32800B

2M字× 32位×4银行（ 256兆位）

同步动态RAM

特点

·并发自动预充电

·时钟频率：一百四十三分之一百六十六兆赫

完全同步操作

·内部流水线结构

·四个内部银行（ 2M X 32位X 4bank ）

·可编程模式

-CAS ＃延迟： 2或3的

-Burst长度： 1,2,4,8或整页

-Burst类型：交错式或线性爆裂

-Burst - 读单写

·突发停止功能

·单个字节由DQM0-3控制

自动刷新和自刷新

· 4096刷新周期/ 64ms的（值为15.6μs /行）

单+ 3.3V ± 0.3V电源

·接口： LVTTL

·封装： 86引脚TSOP- 2,0.50mm引脚节距

8x13mm ， 90球BGA封装，焊球间距0.8毫米

无铅封装。

ISSI

2006年7月

描述

该

ISSI

IS42S32800B是一个高速

CMOS

配置为四2M ×32 DRAM与

同步接口（所有信号被登记在

时钟信号CLK ）的上升沿。

每一个2M ×32位的银行组织的4096行

由512列由32 bits.Read和写入访问开始

在编程序列中的所选择的位置。

访问开始用BankActive的注册

命令，然后接着读或写

命令

该

ISSI

IS42S32800B

为

可编程

读或写的1,2,4,8突发长度，或

整页，带有

一阵终止操作。自动

预充电

功能可被使能，以提供一个自定时

ROW

预充电在脉冲串的末端被启动，它将

sequence.The刷新功能，无论是自动或

自

刷新易于使用。

通过具有可编程的模式寄存器，系统

可以选择最合适的模式，以最大限度地发挥其

性能。

这些器件非常适合需要的应用

高内存带宽。

集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774

启示录

05/24/06

IS42S32800B

功能框图

ISSI

列解码器

行解码器

4096 X 512 X 32

权证L L一R R AY

（BANK ＃0）

SENSE

扩音器

CLK

时钟

卜FF器

控制

信号

摹简è R成为

CKE

CS ＃

RAS ＃

CAS ＃

WE＃

SENSE

行解码器

扩音器

命令

解码器

模式

4096 X 512 X 32

权证L L一R R AY

（ BANK ＃ 1 ）

山口嗯

解码器

COLUMN

C 0加利德

A10/AP

列解码器

行解码器

A 11

BS0

BS1

地址

卜FF器

4096 X 512 X 32

电池阵列

（BANK 2 ）

检测放大器

刷新

计数器

SENSE

卜FF器

解码器

扩音器

Q 31

ROW

DQ0

4096 X 512 X 32

电池阵列

（ BANK ＃ 3 ）

COLUMN

解码器

DQM0~3

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启示录

05/24/06

IS42S32800B

引脚说明

IS42S32800B表1.Pin详细

符号类型

描述

ISSI

CLK

CKE

输入

钟： CLK

由系统clock.All SDRAM的输入信号进行采样的正沿从动

CLK.CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。

时钟使能： CKE

激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CLK signal.If CKE变低同步

chronously与时钟（设置和保持时间相同，其它输入），内部时钟被暂停

从下一个时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE

仍然low.When所有银行都处于空闲状态，停用时钟控制入门到

关机和自刷新modes.CKE是同步的，除了设备进入电源后，

下来，自刷新模式，在CKE变成异步直到退出以相同的模式。

输入缓冲器，包括CLK ，被禁止在关机和自刷新模式，提供

低待机功耗。

银行选择： BS0

和BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或BankPrecharge

命令被应用。

地址输入： A0 -A11

在BankActivate命令期间进行采样（行地址A0 -A11 ）和

读/写命令（列地址A0- A7与A10定义自动预充电），选择一个

在各个bank.During一个预充电命令的位置， A10被采样，以确定是否所有

银行将被预充电（ A10 =高）。

地址输入时也一个模式寄存器设置为操作码。

BS0 ， BS1输入

A0 -A11输入

CS ＃

输入

芯片选择： CS ＃使

（采样为低电平）和禁用（采样HIGH）命令decoder.All

当CS ＃采样HIGH.CS ＃为外部银行选择上的命令被屏蔽

多banks.It系统被认为是命令代码的一部分。

行地址选通：中

RAS ＃信号定义结合的操作命令与

CAS ＃和WE ＃信号，并锁定在CLK.When RAS ＃和CS ＃正边缘AS-i

牢固插入“LOW”和CAS ＃是断言“高”，无论是BankActivate命令或预充电

命令被选中的WE＃ signal.When在WE ＃被认定为“高”的BankActivate的COM

命令被选中，由BS指定的银行接通到活动状态。当在WE ＃是

置为“低”的预充电命令被选中，由BS指定的银行被切换到

在预充电操作之后的空闲状态。

列地址选通：中

CAS ＃信号定义结合的操作命令与

RAS＃和WE＃信号，并锁存于CLK的上升沿。当RAS ＃保持“高”，

CS ＃是断言“低”栏目的访问是通过断言CAS ＃启动“低”。然后，阅读或

写命令由WE＃置“低”或“高”。

写使能：该

WE＃信号的定义结合的操作命令与RAS ＃和

CAS＃信号，并锁存于CLK.The WE＃的输入的上升沿被用于选择

BankActivate或预充电命令和读或写命令。

数据输入/输出面膜： DQM0 - DQM3

字节是具体的非持久性的I / O缓冲区的控制。在I / O

缓冲器置于高阻抗状态时的DQM采样HIGH.Input数据时掩蔽DQM

在写cycle.Output数据被屏蔽采样为高电平（双时钟延迟）时， DQM是

在读cycle.DQM3口罩DQ31 - DQ24 ， DQM2口罩DQ23 - DQ16 ， DQM1高采样

口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。

RAS ＃

输入

CAS ＃

输入

WE＃

输入

DQM0-3输入

DQ0-31输入/输出数据I / O：在

DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步

CLK.The I / O是字节屏蔽期间读取和写入。

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启示录

05/24/06

IS42S32800B

销刀豆网络gurations

86引脚TSOP - II型的X32

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQM0

CAS

RAS

A11

BA0

BA1

A10

DQM2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

ISSI

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

DQ8

DQM1

CLK

CKE

DQM3

DQ31

DQ30

DQ29

DQ28

DQ27

DQ26

DQ25

DQ24

引脚说明

A0-A11

A0-A8

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

DQM0-DQM3

VSS

DDQ

VSS

写使能

X32输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

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启示录

05/24/06

IS42S32800B

引脚配置

ISSI

1 2 3 4 5 6 7 8 9

封装代码： B 90球FBGA （顶视图）（8.00毫米× 13.00毫米身体， 0.8毫米球间距）

DQ26 DQ24

VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

A10

BA0

CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

BA1

A11

RAS

DQ28 VDDQ VSSQ

VSSQ DQ27 DQ25

VSSQ DQ29 DQ30

VDDQ DQ31

VSS DQM3

CLK

DQM1

CKE

VSS

DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

VDDQ DQ8

VSSQ DQ10 DQ9

VSSQ DQ12 DQ14

DQ11 VDDQ VSSQ

DQ13 DQ15

VSS

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

引脚说明

A0-A11

A0-A8

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

DQM0-DQM3

VSS

DDQ

VSS

写使能

X32输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

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05/24/06