【IS42S32200C1512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）同步动态RAM特点时钟频】,IC型号IS42S32200C1-6TLI,IS42S32200C1-6TLI PDF资料,IS42S32200C1-6TLI经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS42S32200C1

512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 183 ， 166 ， 143 MHz的

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

隐藏行存取/预充电银行内部

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度：

（ 1，2， 4，8，全页）

可编程突发序列：

顺序/交错

自刷新模式

4096刷新周期每64毫秒

随机列地址每个时钟周期

可编程

CAS

延迟（2,3时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发停止和预充电

命令

可在工业温度级

提供400万86针TSOP II和90球

BGA

提供无铅

ISSI

初步信息

2006年5月

概观

ISSI

的64Mb的同步DRAM IS42S32200C1是

组织为524,288位×32位×4 -银行提高

性能。该同步DRAM实现高

使用流水线架构的高速数据传送。所有输入

并将其输出的信号参阅到所述时钟的所述个上升沿

输入。

关键时序参数

参数

CLK周期时间

CAS

延时= 3

CAS

延时= 2

CLK频率

CAS

延时= 3

CAS

延时= 2

从时钟存取时间

CAS

延时= 3

CAS

延时= 2

-55

5.5

183

100

7.5

-6

166

100

5.5

7.5

-7

143

100

5.5

单位

兆赫

恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户

之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。

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修订版00E

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IS42S32200C1

概述

64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态

随机存取存储器的设计在3.3V操作

含67,108,864位内存系统。国内

配置为四组的DRAM ，具有同步

界面。每个16777216位银行的组织结构2048

行，256列32位。

64MB的SDRAM包括自动刷新模式，

和节电，省电模式。所有的信号都

登记在时钟信号CLK的上升沿。

所有输入和输出都是LVTTL兼容。

64MB的SDRAM有能力同步爆

在高数据速率的自动列地址的数据

一代，有能力内部银行之间的交错

隐藏预充电时间和能力，以随机

在更改地址栏上的每个时钟周期

突发存取。

在突发年底启动自定时行预充电

序列可与自动预充电

ISSI

功能启用。同时访问一个预充电一家银行

其他三家银行将隐藏预充电周期，

提供无缝，高速随机存取操作。

SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发

在选定的位置，并继续进行编程

在编程顺序位置号。该

激活命令的登记开始访问，

其次是读或写命令。在ACTIVE

命令与注册地址位结合

用于选择和行要访问（ BA0 ， BA1

选择银行; A0 - A10选择行）。读或

在地址位一起写命令稳压

istered用于选择为起始列位置

突发的访问。

可编程的读或写突发长度由

1，2， 4 ，8个单元或整页，用一个脉冲串终止

选项。

功能框图

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM0-3

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

DATA IN

卜FF器

模式

刷新

调节器

DQ 0-31

自

刷新

调节器

A10

BA0

BA1

数据输出

卜FF器

DDQ

GND / GNDQ

刷新

计数器

2048

行解码器

多路复用器

记忆细胞

ARRAY

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

BANK 0

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址锁存

256

(x 32)

银行控制逻辑

串计数器

列解码器

COLUMN

地址缓冲器

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IS42S32200C1

销刀豆网络gurations

86引脚TSOP - II型的X32

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQM0

CAS

RAS

BA0

BA1

A10

DQM2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

DQ8

DQM1

CLK

CKE

DQM3

DQ31

DQ30

DQ29

DQ28

DQ27

DQ26

DQ25

DQ24

ISSI

引脚说明

A0-A10

A0-A7

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

DQM0-DQM3

VSS

DDQ

VSS

写使能

X32输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

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引脚配置

ISSI

1 2 3 4 5 6 7 8 9

封装代码： B 90球FBGA （顶视图）（8.00毫米× 13.00毫米身体， 0.8毫米球间距）

DQ26 DQ24

VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

A10

BA0

CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

BA1

RAS

DQ28 VDDQ VSSQ

VSSQ DQ27 DQ25

VSSQ DQ29 DQ30

VDDQ DQ31

VSS DQM3

CLK

DQM1

CKE

VSS

DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

VDDQ DQ8

VSSQ DQ10 DQ9

VSSQ DQ12 DQ14

DQ11 VDDQ VSSQ

DQ13 DQ15

VSS

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

引脚说明

A0-A10

A0-A7

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

DQM0-DQM3

VSS

DDQ

VSS

写使能

X32输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

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IS42S32200C1

引脚功能

符号

A0-A10

引脚号（ TSOP ）

25至27

60至66

TYPE

输入引脚

功能（详细）

地址输入： A0 - A10在活动进行采样

ISSI

命令（行地址A0 - A10）和读/写命令（ A0 -A7

与A10限定自动预充电）选择一个位置从存储器阵列的

在各个银行。预充电命令时A10采样

确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择银行

BA0 ， BA1 （ LOW ）。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码

模式寄存器命令。

输入引脚

银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ， READ ，

写或预充电命令被应用。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

"Command真相Table"对设备命令的详细信息。

BA0 ， BA1

CAS

CKE

22,23

所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿

CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当

CKE为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，

或自刷新模式。 CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该

装置被同步于该引脚的上升沿取得。

该

输入决定了装置内的指令输入是否被使能。

指令输入时启用

低，与残疾人

为HIGH 。该

设备保持在以前的状态时

为高。

DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制

使用DQM0 - DQM3销

CLK

输入引脚

DQ0 2 ，4，5 ，7，8 ， 10,11,13

DQ31 74,76,77,79,80,82,83,85

45,47,48,50,51,53,54,56

31,33,34,36,37,39,40,42

DQM0

DQM3

16,28,59,71

DQ引脚

输入引脚

DQMx控制THEL奥尔和DQ缓冲区的高位字节。在读取模式下，

输出缓冲器都发生在高阻状态。在写周期的输入数据

蒙面。当DQMx被采样到高，是一个输入掩码信号写入访问

和输出使能信号，用于读访问。通过DQ7 DQ0被控制

DQM0 。 DQ8 throughDQ15由DQM1控制。 DQ16通过DQ23是

通过DQM2控制。 DQ24通过DQ31是由DQM3控制。

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。看到"Command

真相Table"项目对设备命令的详细信息。

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。看到"Command

真相Table"项目对设备命令的详细信息。

DDQ

是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GND

是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

RAS

DDQ

GND

3,9,35,41,49,55,75,81

1,15,29,43

6,12,32,38,46,52,78,84

44,58,72,86

输入引脚

电源引脚

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