IS42S81600B
IS42S16800B
16兆×8 ， 8Meg X16
128兆位同步DRAM
ISSI
2006年5月
特点
时钟频率： 167 ， 143 ， 133 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
隐藏行存取/预充电银行内部
电源
IS42S81600B
IS42S16800B
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
自动刷新（ CBR ）
自刷新可编程刷新周期
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发停止和预充电
命令
工业温度可用性
无铅可用性
V
DDQ
V
DD
3.3V 3.3V
3.3V 3.3V
概观
ISSI
的128Mb的同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟的上升沿
input.The 128Mb的SDRAM安排如下。
IS42S81600B
4M x8x4银行
54引脚TSOPII
IS42S16800B
2M x16x4银行
54引脚TSOPII
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CLK频率
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
从时钟存取时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
-6
6
–
167
–
5.4
–
-7
7
10
143
100
5.4
6
-75E
–
7.5
–
133
–
6
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何合适的
时间，恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。客户
建议之前，依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS42S81600B,
IS42S16800B
ISSI
设备概述
128MB的SDRAM是高速CMOS ，动态
随机存取存储器的设计中3.3VV操作
DD
和3.3V V
DDQ
含134217728内存系统
位。在内部配置为四银行DRAM与
同步接口。每个33554432位银行奥尔加
认列的4096行×512列16位或4096行
通过1024列由8位。
128MB的SDRAM包括自动刷新模式，
和节电，省电模式。所有的信号都
登记在时钟信号CLK的上升沿。所有
输入和输出都是LVTTL兼容。
128MB的SDRAM有能力同步爆
在高数据速率的自动列地址的数据
一代，有能力内部银行之间的交错
隐藏预充电时间和能力，以随机
在更改地址栏上的每个时钟周期
突发存取。
在突发年底启动自定时行预充电
序列可与自动预充电功能
化启用。预充电一家银行在访问中的一个
其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供
无缝的，高速的，随机存取操作。
SDRAM的读取和写入访问被突发式开始
一个选定的位置，并继续进行编程num-
BER在编程顺序位置。该registra-
激活命令和灰开始访问，随后
读或写命令。在活动命令
与注册地址位一起用于选择
要访问的组和行（ BA0 ， BA1选择
银行; A0 -A11选择行） 。读或写
注册联的命令与地址位
用于选择脉冲串的起始列位置
访问。
可编程的读或写突发长度由1个，
2，4和8的位置或整页，用一个脉冲串终止
选项。
功能块图（供2MX16X4银行只）
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQML
DQMH
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
DATA IN
卜FF器
16
16
2
模式
注册
12
刷新
调节器
DQ 0-15
自
刷新
调节器
A10
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
12
数据输出
卜FF器
16
16
V
DD
/V
DDQ
V
ss
/V
ss
Q
刷新
计数器
4096
4096
4096
4096
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
12
ROW
地址
LATCH
12
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
9
512
(x 16)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
9
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销刀豆网络gurations
54引脚TSOP - II型为X8
V
DD
DQ0
V
DD
Q
NC
DQ1
V
SS
Q
NC
DQ2
V
DD
Q
NC
DQ3
V
SS
Q
NC
V
DD
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ7
V
SS
Q
NC
DQ6
V
DD
Q
NC
DQ5
V
SS
Q
NC
DQ4
V
DD
Q
NC
V
SS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
A0-A11
A0-A9
BA0 ， BA1
DQ0到DQ7
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
DQM
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
数据输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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IS42S16800B
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销刀豆网络gurations
54引脚TSOP - II型的X16
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
A0-A11
A0-A8
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
DQML
DQMH
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
X16低字节，输入/输出面膜
X16高字节，输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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IS42S81600B,
引脚功能
符号
A0-A11
IS42S16800B
ISSI
功能（详细）
TYPE
输入引脚
地址输入： A0 - A11在活动进行采样
命令（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（列地址A0 -A9
（ X8 ） ，或A0 -A8 （ X16 ） ;与A10定义自动预充电），选择一个位置出来的
在各自的组存储器阵列。预充电命令时A10采样
以确定是否所有银行都被预充电（A10高）或选择由银行
BA0 ， BA1 （ LOW ） 。地址输入也期间负荷模式提供了操作码
注册命令。
银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ，读，写或
预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。的下一个上升沿
当CKE是高的，无效的低电平时， CLK信号将是有效的。当CKE为低，
该设备将在这两种省电模式下，时钟挂起模式，或自刷新
模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该装置
保持在以前的状态时
CS
为高。
DQML和DQMH控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， DQML和DQMH控制输出缓冲器。 WhenDQML orDQMH为低时，所述
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去的
高阻抗状态whenDQML / DQMH高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， DQML和DQMH控制输入缓冲器。当
DQML或DQMH为低，相应的缓冲区字节使能，数据可以
写入器件。 WhenDQML或DQMH为高电平时，输入数据被屏蔽而不能
被写入到设备。对于IS42S16800B只。
对于IS42S81600B只。
在数据总线上的数据被锁存，在写命令DQ引脚，用于缓冲
读取后输出的命令。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
DD
是设备内部电源。
V
SSQ
是输出缓冲器地面。
V
SS
是设备内部的地面上。
BA0 ， BA1
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
输入引脚
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
DQML ，
DQMH
输入引脚
DQM
DQ
0
-DQ
7
or
DQ
0
-DQ
15
RAS
WE
V
DDQ
V
DD
V
SSQ
V
SS
输入引脚
输入/输出
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
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05/01/06
5
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