IS42S16400B
1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
时钟频率： 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
隐藏行存取/预充电银行内部
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
自刷新模式
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读/写操作的能力
突发终止突发停止和预充电
命令
字节由LDQM和UDQM控制
工业温度可用性
包装： 400万54针TSOP II
无铅封装可用
2007年5月
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S16400B组织
作为1,048,576位×16位×4银行改进
性能。该同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
GND
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
GND
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM
UDQM
V
DD
GND
V
DD
Q
GND
Q
NC
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
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因本文所描述的任何信息，产品或服务的应用或使用的法律责任。建议客户获取该设备规范的最新版本依赖于前
任何公开信息及订货产品之前。
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1
IS42S16400B
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态
随机存取存储器的设计在3.3V操作
含67,108,864位内存系统。国内
配置为四组的DRAM ，具有同步
界面。每个16777216位银行的组织结构4096
行，256列16位。
64MB的SDRAM包括自动刷新模式，
和节电，省电模式。所有的信号都
登记在时钟信号CLK的上升沿。
所有输入和输出都是LVTTL兼容。
64MB的SDRAM有能力同步爆
在高数据速率的自动列地址的数据
一代，有能力内部银行之间的交错
隐藏预充电时间和能力，以随机
在更改地址栏上的每个时钟周期
突发存取。
在突发年底启动自定时行预充电
序列可与自动预充电
功能启用。同时访问一个预充电一家银行
其他三家银行将隐藏预充电周期，
提供无缝，高速随机存取操作。
SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发
在选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。该
激活命令的登记开始访问，
其次是读或写命令。在ACTIVE
命令与注册地址位结合
用于选择和行要访问（ BA0 ， BA1
选择银行; A0 -A11选择行） 。读或
在地址位一起写命令稳压
istered用于选择为起始列位置
突发的访问。
可编程的读或写突发长度由
1，2， 4和8的位置，或整页，用一个脉冲串终止
选项。
功能框图
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
DQM
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
DATA IN
卜FF器
16
16
模式
注册
11
刷新
调节器
DQ 0-15
自
刷新
调节器
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
11
数据输出
卜FF器
16
16
V
DD
/V
DDQ
GND / GNDQ
刷新
计数器
4096
4096
4096
4096
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
8
256K
(x 16)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
8
2
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IS42S16400B
引脚功能
符号
A0-A11
PIN号
23至26
29至34
22, 35
TYPE
输入引脚
功能（详细）
地址输入： A0 - A11在活动进行采样
命令（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（ A0 -A7
与A10限定自动预充电）选择一个位置从存储器阵列的
在各个银行。预充电命令时A10采样
确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择银行
BA0 ， BA1 （ LOW ） 。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
输入引脚
输入引脚
输入引脚
银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ， READ ，
写或预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿
CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当
CKE为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，
或自刷新模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该
装置被同步于该引脚的上升沿取得。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是I / O引脚。 I / O通过这些引脚可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去的
高阻抗状态时LDQM / UDQM高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制输入缓冲器。
当LDQM UDQM或为低，相应的缓冲区字节使能，数据可
被写入到设备。当LDQM或UDQM为高电平时，输入数据被屏蔽，并
不能被写入到设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
DD
是设备内部电源。
GND
Q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
BA0 ， BA1
CAS
CKE
20, 21
17
37
CLK
CS
38
19
输入引脚
输入引脚
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
2, 4, 5, 7, 8, 10,
11,13, 42, 44, 45,
47, 48, 50, 51, 53
15, 39
DQ引脚
输入引脚
RAS
WE
V
DDQ
V
DD
GND
Q
GND
18
16
3, 9, 43, 49
1, 14, 27
6, 12, 46, 52
28, 41, 54
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
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IS42S16400B
功能
（详细）
A0 -A11是在有效采样地址输入
（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（ A0 -A7
与A10定义自动预充电） 。在A10采样
预充电命令，以确定是否所有银行都来
预充电（ A10 HIGH）或选择BA0银行，
BA1 （ LOW ） 。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。
银行选择地址（ BA0和BA1 ）定义了银行
ACTIVE ，读，写或预充电命令是
被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成
设备的命令。请参阅“命令真值表”为
在设备命令的详细信息。
在CKE输入确定的CLK输入是否
启用。 CLK信号的一个上升沿将
有效时，是CKE高和无效时低。当
CKE是低电平时，该设备将在任一电源关闭
模式，时钟挂起模式，或自刷新
模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。以外
CKE ，所有输入到该设备中synchroni-被收购
矩阵特殊积与该引脚的上升沿。
该
CS
输入决定命令输入是否是
在设备内启用。输入命令启用
当
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为HIGH 。 DQ0
到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可
控制中使用LDQM和UDQM销字节单位。
LDQM和UDQM控制的下部和上部的字节
DQ缓冲区。在读模式， LDQM和UDQM控制
输出缓冲器。当LDQM UDQM或者是低，它对应
应的缓冲区字节使能，而当高，显示
体健。输出进入高阻抗状态时，
LDQM / UDQM高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM
控制输入缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
对应的缓冲器字节使能，并且数据可以是
写入器件。当LDQM UDQM或为高，
输入数据是被屏蔽而不能写入器件。
RAS ，
与联
CAS
和
WE
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项为
在设备命令的详细信息。
WE
在与结合
RAS
和
CAS
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项为
在设备命令的详细信息。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
DD
是设备内部电源。
GND
Q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
4
读
READ命令选择银行从BA0 ， BA1
输入并启动突发读取访问活动行。
输入A0 -A7提供了起始列位置。当
A10为高电平时，该命令的功能为自动
预充电命令。当自动预充电是
选择时，被访问的行会在预充电
在读的最后破裂。该行将保持开放
随后的访问时，自动预充电不
选择。 DQ的读出的数据是受逻辑电平上
在DQM输入两个时钟更早。当一个给定的DQM
信号注册HIGH ，相应的DQ的意志
是高阻两个时钟后。 DQ公司将提供有效的数据
当DQM信号被登记为低电平。
写
突发写入访问活动行启动与
写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，并
起始列的位置由输入A0 - A7的设置。
不管是不是自动预充电时是阻止 -
通过A10开采。
被访问的行会在年底进行预充电
在写突发，如果自动预充电选择。如果
自动预充电没有被选择，则该行仍将
打开后续访问。
存储器阵列中写入相应的输入数据
DQ上的和DQM的输入逻辑电平出现在同一
时间。数据将被写入存储器时， DQM信号
低。当DQM为高电平时，相应的数据输入端
将被忽略，并且一写将不会被执行到
字节/列位置。
预充电
在预充电命令用于停用
开行特定的银行或开行的所有银行。
BA0 ， BA1 ，可用于选择银行被预充电
或者他们被视为“无关” 。 A10确定
一个或所有银行是否被预充电。执行后
该命令时，所选银行的下一个命令（多个）
在周期t的流逝之后被执行
RP
，这是
要求银行预充电时间。一旦银行有
预充电，它是在空闲状态中，并且必须
任何读取或写入的命令是之前被激活
颁发给该银行。
自动预充电
在自动预充电功能，可确保
预充电是在一个发起在最早有效阶段
爆裂。此功能允许个人银行预充电
而无需显式命令。 A10以使
在同一个spe-一起自动预充电功能
cific读或写命令。对于每个单独的
读或写命令，自动预充电或者是
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IS42S16400B
BURST TERMINATE
启用或禁用。自动预充电不适
除了在全页突发模式。一旦竣工
读或写突发，银行/行预充电的
被寻址时自动执行。
该BURST TERMINATE命令强行终止
突发读取并通过截断或者固定的写操作
长度或整页突发和最近注册
读或写操作之前BURST命令TERMI-
内特。
自动刷新命令
此命令执行自动刷新操作。
该行地址和银行进行自动刷新都
此操作过程中生成的。在规定期限（T
RC
)
需要一个单一的刷新操作，并且没有其他
命令可以在此期间被执行。这个化合物
命令执行至少4096次，每次64毫秒。中
一个自动刷新命令，地址位是“无关
关心“ 。这个命令相当于CBR自动刷新。
COMMAND INHIBIT
COMMAND INHIBIT防止新的命令被
执行。在正在进行的操作不会受到影响，除了
从在CLK信号是否启用
无操作
当
CS
低，中的NOP指令防止不必要的
从在空闲或正在等待注册的命令
状态。
自刷新
在自刷新操作时，该行地址，以
被刷新，银行和刷新间隔是
自动生成的内部。自刷新即可
用于保留数据在SDRAM中没有外部
计时，即使在系统的其余部分被断电。
通过滴加开始自刷新操作
CKE引脚从高电平变为低电平。在自刷新
运行所有其他输入到SDRAM成为“不
关心“ 。该装置必须保持在自刷新模式时为一
最低期限等于t
RAS
或可保持在自刷新
模式为超出无限期。自我
刷新操作继续，只要所述CKE销
保持低电平并且也没有必要对外部控制
任何其他引脚。下一个命令不能被执行之前，
该器件内部回收期（T
RC
）是否已经过去。一旦
CKE变高时，必须出具的NOP指令
（至少两个时钟） ，为完成提供时间
任何内部更新正在进行中。自刷新后，由于
就不可能确定到最后一行的地址
被刷新，自动刷新，应立即
执行用于所有地址。
加载模式寄存器
在加载模式寄存器命令模式
寄存器是从A0 -A11加载。该命令只能
当所有银行都空闲的发行。
主动命令
当激活的命令被激活， BA0 ， BA1
输入选择一组将被访问，并且地址
在A0 -A11输入选择行。直到预充电
命令被发送到银行，该行保持打开
访问。
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5
QQ：2881677436 复制
