【IS42S16128128K字×16位×2组（ 4兆位）同步动态RAM特点时钟频率： 125兆赫，】,IC型号IS42S16128-10T,IS42S16128-10T PDF资料,IS42S16128-10T经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS42S16128

128K字×16位×2组（ 4兆位）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 125兆赫， 100兆赫， 83兆赫

两个银行可以同时操作，

独立地

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度

- （ 1，2， 4，8，全页）

可编程突发序列：

顺序/交错

自动刷新，自刷新

1K刷新周期每16毫秒

随机列地址每个时钟周期

可编程

CAS

延迟（2,3时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

字节由LDQM和UDQM控制

包400万50针TSOP II

ISSI

描述

引脚说明

A0-A9

A0-A8

A0-A7

I / O0至I / O15

CLK

CKE

RAS

CAS

LDQM

UDQM

地址输入

行地址输入

银行选择地址

列地址输入

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

低再见，输入/输出面膜

上再见，输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

2000年2月

ISSI公司的4Mb的同步DRAM IS42S16128的组织结构

一131072字×16位×2 ，银行提高了性能。

该同步DRAM实现高速数据传输

采用流水线结构。所有输入和输出信号是指

到时钟输入的上升沿。

销刀豆网络gurations

50引脚TSOP （ II型）

VCC

I/O0

I/O1

GNDQ

I/O2

I/O3

VCCQ

I/O4

I/O5

GNDQ

I/O6

I/O7

VCCQ

LDQM

CAS

RAS

VCC

GND

I/O15

I/O14

GNDQ

I/O13

I/O12

VCCQ

I/O11

I/O10

GNDQ

I/O9

I/O8

VCCQ

UDQM

CLK

CKE

GND

VCC

GND

VCCQ

GNDQ

订购信息

商业范围：0 ° C至70℃

频率

125兆赫

100兆赫

83兆赫

速度快（纳秒）

订购编号

IS42S16128-8T

IS42S16128-10T

IS42S16128-12T

包

400密耳的TSOP II

ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任

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03/13/00

IS42S16128

引脚功能

PIN号

20至24 ，

27日至30

符号

A0-A8

TYPE

输入引脚

功能（详细）

ISSI

输入引脚

CAS

CKE

输入引脚

CLK

输入引脚

2, 3, 5, 6, 8, 9, 11

12, 39, 40, 42, 43,

45, 46, 48, 49

14, 36

I / O0至

I/O15

LDQM ，

UDQM

I / O引脚

A0到A8是地址输入。 A0 -A8都在积极作为行地址输入

在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入

输入。 A8也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果

A8是预充电命令在低，通过A9所选择的银行进行预充电，但

如果A8为高，两家银行将预充电。

当A8为高电平的读或写命令周期，预充电开始automati-

之后美云的突发访问。

这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分

输入。

A9是所述存储体选择信号。当A9为低电平时，选择Bank 0和高的时候，

银行1被选中。该信号成为操作码的模式寄存器中的一部分

set命令的输入。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。

当是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，并且当

低，无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，

时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备

同步于该引脚的上升沿被获取。

该

输入决定了装置内的指令输入是否被使能。

指令输入时启用

低，与残疾人

为HIGH 。该

设备保持在以前的状态时

为高。

I / O0到I / O15的I / O引脚。 I / O通过这些引脚可以以字节为单位进行控制

使用LDQM和UDQM引脚。

LDQM和UDQM控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读

模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，

相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去

到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能corre-

sponds到

在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制

输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是

启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，

输入数据是被屏蔽而不能写入器件。

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。见

＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。

Q是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GNDQ是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

输入引脚

7, 13, 38, 44

1, 25

4, 10, 41, 47

26, 50

RAS

GNDQ

GND

输入引脚

电源引脚

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IS42S16128

功能框图

CLK

CKE

RAS

CAS

ISSI

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

行解码器

模式

ROW

地址

卜FF器

记忆细胞

ARRAY

512

BANK 0

DQM

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址缓冲器

串计数器

COLUMN

地址锁存

DATA IN

卜FF器

256x16

列解码器

行解码器

多路复用器

刷新

调节器

自

刷新

调节器

I / O 0-15

256x16

SENSE AMP I / O GATE

刷新

计数器

数据输出

卜FF器

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

512

记忆细胞

ARRAY

VCC / VCCQ

GND / GNDQ

银行1

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IS42S16128

绝对最大额定值

(1)

符号

CC MAX

VCCQ

最大

OUT

MAX

OPR

英镑

参数

最大电源电压

最大电源电压为输出缓冲

输入电压

输出电压

允许功耗

输出短路电流

工作温度

储存温度

等级

-1.0到+4.6

-1.0到+5.5

-1.0到+4.6

0至+70

-55到+150

单位

°C

ISSI

DC推荐工作条件

在T

= 0至+ 70°C

(2)

符号

, V

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

3.0

2.0

–0.3

典型值。

3.3

—

马克斯。

3.6

5.5

+0.8

单位

注意：

1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些

或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响

可靠性。

2.所有电压参考GND 。

3. V

（最大值） = 5.5V的脉冲宽度 - 5纳秒。

3. V

（分钟） = -1.0V脉冲宽度 - 5纳秒。

电容特性

在T

= 0至+ 25 ° C， VCC = VCCQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1MHz的

(1,2)

符号

CI / O

参数

输入电容： A0 -A9

输入电容（ CLK ， CKE ，

CS ， RAS ， CAS，WE ，

LDQM ， UDQM ）

数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15

典型值。

—

马克斯。

单位

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DC电气特性

（推荐工作条件，除非另有说明。）

符号参数

2PS

2NS

3PS

3NS

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压电平

输出低电压电平

工作电流

(1,2)

预充电待机电流

（掉电模式）

预充电待机电流

（在非掉电模式）

主动待机电流

（掉电模式）

主动待机电流

（在非掉电模式）

工作电流

（在突发模式）

(1)

测试条件

≤

，比其他引脚

在0V测试针

输出被禁止

≤

OUT

≤

OUT

= -2毫安

OUT

= 2毫安

一家银行工作，突发长度= 1

≥

（分），我

OUT

= 0毫安

CKE

≤

(

最大

) t

= t

(

民

)

= ×

CKE

≥

(

民

)

= t

(

民

)

= ×

CKE

≤

(

最大

)

= t

(

民

)

= ×

CKE

≥

(

民

)

= t

(

民

)

= ×

= t

(

民

)

CAS

延时= 3

OUT

= 0毫安

CAS

延时= 2

速度

分钟。

–10

2.4

—

-8

-10

-12

-8

-10

-12

-8

-10

-12

—

ISSI

马克斯。

—

0.4

100

160

120

110

100

单位

自动刷新当前

= t

(

民

)

自刷新电流

CKE

≤

0.2V

注意事项：

1.这些是在最小循环时间的值。由于电流是瞬时的，这些值减小，循环时间的增加。

还注意的是，至少为0.01 μF的旁路电容应Vcc与GND之间插入的每个存储器芯片来抑制

电源电压噪声（电压降），由于这些瞬态电流。

2. ICC1和ICC4依赖于输出负载。最高值ICC1和ICC4与输出开路状态下得到。

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