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IS41C8512
IS41LV8512
.eatures
512K ×8 ( 4兆位)动态RAM
与EDO页模式
扩展数据输出( EDO )页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔: 1024次/ 16毫秒
刷新方式:
RAS -只, CAS先于RAS
(CBR) ,
?? JEDEC标准引脚
单电源供电:
5V ±10 % ( IS41C8512 )
3.3V±10 % ( IS41LV8512 )
通过字节和写字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
描述
1+51
IS41C8512和IS41LV8512为524,288个8位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
该IS41C8512提供所谓的EDO加速周期访问
页面模式。 EDO页面模式可以让512的随机访问
与存取周期时间的单行短每10纳秒内
8-bit.
这些特性使得IS41C8512and IS41LV8512理想
适合于高带宽图形,数字信号处理,
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41C8512封装在一个28引脚400mil SOJ和
400mil TSOP -2。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间(吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间(吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间(t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间(t
PC
)
分钟。读/写周期时间(T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CON.IGURATIONS
28引脚SOJ , TSOP- 2
引脚说明
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
NC
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A0-A9
I/O0-7
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
DR008-0B
1
IS41C8512
IS41LV8512
.UNCTIONAL框图
OE
WE
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
CAS
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O7
存储阵列
524,288 x 8
地址
缓冲器
A0-A9
真值表
.unction
待机
写:字(早期写)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
注意:
1.早期只写。
(1)
RAS
H
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
CAS
H
L
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
I / O
X
高-Z
ROW / COL
D
OUT
ROW / COL
D
IN
ROW / COL
D
OUT
, D
IN
ROW / COL
D
OUT
ROW / COL
D
OUT
ROW / NA
高-Z
X
高-Z
2
集成电路解决方案公司
DR008-0B
IS41C8512
IS41LV8512
.UNCTIONAL描述
该IS41C8512和IS41LV8512是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化,低功率
应用程序。在读或写周期,每个位
通过10位地址唯一解决。这些
输入10位( A0- A9)的时间。行地址是
由行地址选通(RAS)的锁存。列
地址由列地址选通(CAS)的锁存。
RAS
用于锁存所述第一10比特和
CAS
所使用的
后9位。
CAS先于RAS
是刷新-only模式,没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此,输出
在循环过程中保持在高阻状态。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有512列
所选择的行,以在较高的数据进行随机访问
率。
在EDO页面模式读取周期,数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿,而不是上升沿边缘。
。或者由于这个原因,在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中,有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。因此,
在EDO页模式,在读周期的时序裕量
比的快速页面模式,即使大
CAS
周期
时间变短。
在EDO页模式中,由于扩展的数据的功能,该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期,但性能是等价
借给该在这种情况下,快速页模式。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低,这是
通过返回两个终止
RAS
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期,一旦启动,不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动,直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ,
为准过去,一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是,在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
POWER- ON
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
WE ,
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ,
任何
先发生。
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期(含周期的任意组合
RAS
信号)。
上电过程中,则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
刷新周期
保留数据, 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址( A0
通过A9 )与
RAS
至少每16毫秒。任何
读,写,读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ,
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期,内部10位计数器提供的AD-行
礼服和外部地址输入将被忽略。
集成电路解决方案公司
DR008-0B
3
IS41C8512
IS41LV8512
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
工业Operationg温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
注意:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
(电压参考GND )。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
工业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
1.0
0.3
0
40
典型值。
5.0
3.3
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容: A0 -A8
输入电容:
RAS , UCAS , LCAS , WE , OE
数据输入/输出电容: I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
p.
p.
p.
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫。
4
集成电路解决方案公司
DR008-0B
IS41C8512
IS41LV8512
电气特性
(1)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
符号
I
IL
I
IO
V
OH
V
OL
I
CC
1
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
测试条件
任何输入0V < V
IN
& LT ; VCC
其他投入不被测= 0V
输出禁用(高阻)
0V & LT ; V
OUT
& LT ; VCC
I
OH
= -2.5毫安
I
OL
=+2.1mA
RAS , CAS
& GT ; V
IH
商用
产业
商用
产业
5V
5V
3V
3V
5V
3V
-35
-50
-60
-35
-50
-60
-35
-50
-60
-35
-50
-60
速度
分钟。
10
10
2.4
马克斯。
10
10
0.4
3
4
2
3
2
1
230
180
170
220
170
160
230
180
170
230
180
170
单位
A
A
V
V
mA
I
CC
2
I
CC
3
工作电流:
随机读/写
(2,3,4)
平均供电电流
工作电流:
EDO页模式
(2,3,4)
平均供电电流
刷新电流:
RAS-只
(2,3)
平均供电电流
刷新电流:
CBR
(2,3,5)
平均供电电流
RAS , CAS
& GT ; V
CC
0.2V
RAS , CAS ,
地址骑自行车,T
RC
= t
RC
(分)
RAS
= V
IL
,
CAS ,
自行车吨
PC
= t
PC
(分)
RAS
骑自行车,
CAS
& GT ; V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
RAS , CAS
循环
t
RC
= t
RC
(分)
mA
mA
I
CC
4
mA
I
CC
5
mA
I
CC
6
mA
注意事项:
1. 200微秒的初始暂停,需要跟八个电后
RAS
前正确的设备更新周期( RAS - Only或CBR )
操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒应反复随时吨
RE 。
刷新的要求超出。
2.取决于循环率。
3.指定值与最小周期时间,输出开获得。
4,列地址被更改一次,每次EDO页面周期。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
集成电路解决方案公司
DR008-0B
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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