IS41C4100
IS41LV4100
1MEG ×4 （ 4 - MBIT ）动态RAM的
与EDO页模式
特点
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电
5V ±10 ％ （ IS41C4100 ）
3.3V±10 ％ （ IS41LV4100 ）
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
初步信息
2001年9月
该
ISSI
IS41C4100和IS41LV4100是1048576 ×4位
高性能CMOS动态随机存取
内存。这两种产品都提供了加速周期访问
EDO页面模式。 EDO页面模式允许512随机
与存取周期时间作为一个单一的行内访问
短，每4比特字为10ns 。
这些特性使得IS41C4100和IS41LV4100理想
适用于高频段宽度的图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围设备的应用程序。
该IS41C4100和IS41LV4100是一个20引脚可用，
300万SOJ封装。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
20引脚SOJ
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
引脚说明
A0-A9
I/O0-I/O3
WE
OE
RAS
CAS
V
CC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
A0
A1
A2
A3
VCC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
本文件包含的初步信息数据。 ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供合适的
最好的产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有2001年，集成的芯片解决方案，公司
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修订版00A
1
IS41C4100
IS41LV4100
功能框图
OE
WE
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
RAS
ISSI
CAS
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
列解码器
感测放大器
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
I/O0-I/O3
行解码器
地址
缓冲器
A0-A9
存储阵列
1,048,576 x 4
2
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IS41C4100
IS41LV4100
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
D
OUT
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
EDO页面模式写
(1)
EDO页面模式
D
OUT
, D
IN
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
D
OUT
D
OUT
RAS-只
刷新
CBR刷新
(3)
L
→ L
H
L
X
X
X
X
ROW / NA
X
第一个周期：
第二个周期：
第一个周期：
第二个周期：
读
写
CAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
OE
地址吨
R
/t
C
X
L
L
L
X
X
X
L-H
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
ROW / COL
NA / COL
OUT
NA / NA
OUT
行/列，D
IN
NA / COL
IN
ROW / COL
NA / COL
OUT
, D
IN
ROW / COL
ROW / COL
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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3
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IS41LV4100
功能说明
该IS41C4100和IS41LV4100是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过19位地址寻址。第10
地址位（ A0 - A9）输入为行地址和
9位地址（ A0 - A8 ）的输入为后面的9位
列地址。的行地址由行锁存
地址选通（ RAS）的。列地址被锁存
列地址选通（ CAS） 。
RAS
用来锁存
第9位，
CAS
使用后者的9位。
ISSI
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环，一个内部的10位计数器提供的行
地址和外部地址输入时，忽略
接异。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有512列
所选择的行，以在较高的数据进行随机访问
率。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
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IS41C4100
IS41LV4100
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
°C
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O3
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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