IS41C85125
IS41LV85125
512K ×8 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
快速访问和周期时间
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C85125 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV85125 ）
工业应用温度
ISSI
描述
初步信息
2001年8月
该
ISSI
IS41C85125和IS41LV85125是512288 ×8位
高性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许1024随机访问
与存取周期时间的单行短12内
每8位字纳秒。
这些特性使得IS41C85125和IS41LV85125
理想地适用于高频段宽度的图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IS41C85125和IS41LV85125处于可用
28引脚， 400万SOJ封装。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
28引脚SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
NC
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-I/O7
WE
OE
RAS
CAS
V
CC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
本文件包含的初步信息数据。 ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供合适的
最好的产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有2001年，集成的芯片解决方案，公司
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初步信息
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IS41C85125
IS41LV85125
功能框图
ISSI
OE
WE
CAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
RAS
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
列解码器
感测放大器
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
I/O0-I/O7
行解码器
地址
缓冲器
A0-A9
存储阵列
512,288 x 8
真值表
功能
待机
读
写：字（早期写）
读 - 写
隐藏刷新
读
写
(1)
RAS-只
刷新
CBR刷新
注意事项：
1.早期只写。
RAS
H
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
CAS
H
L
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
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初步信息牧师00A
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IS41C85125
IS41LV85125
功能说明
该IS41C85125和IS41LV85125是CMOS DRAM的
高速带宽，低功耗优化
应用程序。在读或写周期，每个位
通过19位地址唯一解决。第一
10位地址（ A0 - A9）输入为行地址和
后者的9位地址（ A0 - A8 ）的输入为列
地址。的行地址由行地址锁存
选通脉冲（RAS）的。列地址被锁存
列地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述
行地址的第10位，
CAS
用于锁存所述
后9位的列地址。
ISSI
刷新周期
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环，一个内部的10位计数器提供的行
地址和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
内存循环是通过将启动
RAS
LOW和它
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（含周期的任意组合
a
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
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3
IS41C85125
IS41LV85125
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
50
1
0到70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
ISSI
COM 。
IND 。
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND）
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入高电压
输入低电压
输入低电压
环境温度
电压
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3
COM 。
IND 。
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O7
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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IS41LV85125
电气特性
(1)
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号
I
IL
I
IO
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
待机电流： TTL
测试条件
任何输入0V
≤
V
IN
≤
VCC
其他投入不被测= 0V
输出禁用（高阻）
0V
≤
V
OUT
≤
VCC
I
OH
= -2.5毫安
I
OL
= 2.1毫安
RAS ， CAS
≥
V
IH
5V
5V
3.3V
3.3V
5V
3.3V
-35
-60
-35
-60
-35
-60
-35
-60
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
速度
分钟。
–10
–10
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ISSI
马克斯。
10
10
—
0.4
2
3
1
2
2
1
230
170
220
160
230
170
230
170
A
A
V
V
mA
单位
I
CC2
I
CC3
待机电流： CMOS
工作电流：
随机读/写
(2,3,4)
平均供电电流
工作电流：
快速页模式
(2,3,4)
平均供电电流
刷新电流：
RAS-只
(2,3)
平均供电电流
刷新电流：
CBR
(2,3,5)
平均供电电流
RAS ， CAS
≥
V
CC
– 0.2V
mA
mA
RAS ， CAS ，
地址骑自行车，T
RC
= t
RC
（分）
RAS
= V
IL
,
CAS ，
自行车吨
PC
= t
PC
（分）
RAS
骑自行车，
CAS
≥
V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS ， CAS
循环
t
RC
= t
RC
（分）
I
CC4
mA
I
CC5
mA
I
CC6
mA
注意事项：
1. 200微秒的初始暂停，需要跟八个电后
RAS
前正确的设备更新周期（ RAS - Only或CBR ）
操作assured.The 8
RAS
周期唤醒应反复随时吨
REF
刷新的要求超出。
2.取决于循环率。
3.指定值与最小周期时间，输出开获得。
4，列地址被更改一次，每次快速页面周期。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
初步信息
09/25/01
修订版00A
5
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