IS41C16256
IS41LV16256
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电
5V ±10 ％ （ IS41C16256 ）
3.3V±10 ％ （ IS41LV16256 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2000年6月
描述
该
ISSI
IS41C16256和IS41LV16256是262,144 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。两
产品提供加速周期存取EDO页面模式。 EDO
页模式允许用一个行内512随机访问
存取周期时间尽可能短，每16位字为10ns 。字节写
上下字节的控制，使得IS41C16256和
IS41LV16256适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16256和IS41LV1626理想
适用于高频段宽度的图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围设备的应用程序。
该IS41C16256和
IS41LV16256
封装采用40引脚
400万SOJ和TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A8
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
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1
IS41C16256
IS41LV16256
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
ISSI
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
262,144 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
2
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IS41C16256
IS41LV16256
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
EDO页面模式写
(1)
第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
RAS-只
刷新
CBR刷新
(3)
第一个周期：
第二个周期：
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
UCAS LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
阅读L→H → L
写L→H → L
L
→ L
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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IS41C16256
IS41LV16256
功能说明
该IS41C16256和IS41LV16256是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过18位地址寻址。这些都是恩
羊羔9位（ A0 - A8）的时间。行地址是
由行地址选通（RAS）的锁存。列
地址由列地址选通（CAS）的锁存。
RAS
用于锁存所述第一9位和
CAS
所使用的
后9位。
该IS41C16256和IS41LV16256有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其他256K X
16的DRAM 。在关键的区别是，每个
CAS
控制
其相应的I / O的三态逻辑（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16256和IS41LV16256
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16256两个字节读取
字节写周期的能力。
ISSI
刷新周期
保留数据， 512刷新周期需要在每
8毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每512行地址（ A0通过
A8 ）与
RAS
至少每8毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS-只
周期刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有512列
所选择的行，以在较高的数据进行随机访问
率。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
4
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IS41C16256
IS41LV16256
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A8
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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IS41LV16256
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电
5V ±10 ％ （ IS41C16256 ）
3.3V±10 ％ （ IS41LV16256 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2000年6月
描述
该
ISSI
IS41C16256和IS41LV16256是262,144 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。两
产品提供加速周期存取EDO页面模式。 EDO
页模式允许用一个行内512随机访问
存取周期时间尽可能短，每16位字为10ns 。字节写
上下字节的控制，使得IS41C16256和
IS41LV16256适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16256和IS41LV1626理想
适用于高频段宽度的图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围设备的应用程序。
该IS41C16256和
IS41LV16256
封装采用40引脚
400万SOJ和TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A8
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
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功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
ISSI
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
262,144 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
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真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
EDO页面模式写
(1)
第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
RAS-只
刷新
CBR刷新
(3)
第一个周期：
第二个周期：
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
UCAS LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
阅读L→H → L
写L→H → L
L
→ L
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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3
IS41C16256
IS41LV16256
功能说明
该IS41C16256和IS41LV16256是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过18位地址寻址。这些都是恩
羊羔9位（ A0 - A8）的时间。行地址是
由行地址选通（RAS）的锁存。列
地址由列地址选通（CAS）的锁存。
RAS
用于锁存所述第一9位和
CAS
所使用的
后9位。
该IS41C16256和IS41LV16256有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其他256K X
16的DRAM 。在关键的区别是，每个
CAS
控制
其相应的I / O的三态逻辑（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16256和IS41LV16256
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16256两个字节读取
字节写周期的能力。
ISSI
刷新周期
保留数据， 512刷新周期需要在每
8毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每512行地址（ A0通过
A8 ）与
RAS
至少每8毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS-只
周期刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有512列
所选择的行，以在较高的数据进行随机访问
率。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
4
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牧师
06/29/00
IS41C16256
IS41LV16256
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
-1.0到+7.0
-0.5到4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A8
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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牧师
06/29/00
5
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