IS41C16105
IS41LV16105
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
2000年2月
该
ISSI
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。快速页模式允许在一个单一的1024随机访问
行访问周期时间尽可能短，每16位字为20 ns 。该
字节写入控制，上下字节，使得IS41C16105
非常适合于16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400密耳SOJ和400密耳44-（ 50- ）引脚TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
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REV 。一
03/03/00
1
IS41C16105
IS41LV16105
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
2
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IS41C16105
IS41LV16105
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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3
IS41C16105
IS41LV16105
功能说明
该IS41C16105和IS41LV16105是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
is
用于锁存所述第一9位和
CAS
使用后者
9位。
该IS41C16105和IS41LV16105有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其它1M ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16105和IS41LV16105
CAS
功能是阻止 -
通过第一采
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105和IS41LV16105两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
4
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IS41C16105
IS41LV16105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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5
IS41C16105
IS41LV16105
特点
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
??刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
隐
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
16位高性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许1024随机访问
访问周期单列短至每20纳秒以内
16位的字。上下字节的字节写入控制，
使得IS41C16105适合用于16-， 32位宽的数据
总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105
理想地适用于高带宽图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
描述
该
1+51
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400mil SOJ和400mil 44-（ 50- ）引脚TSOP - 2 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
DR005-0C
1
IS41C16105
IS41LV16105
功能说明
该IS41C16105和IS41LV16105是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过10位地址唯一解决。这些
输入10位（ A0- A9）的时间。行地址是
由行地址选通（RAS）的锁存。列
地址由列地址选通（CAS）的锁存。
RAS
用于锁存所述第一10比特和
CAS
所使用的
后10位。
该IS41C16105和IS41LV16105有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
内部输入
生成
CAS
以相同的方式运作的信号
到单
CAS
输入另一1M ×16的DRAM 。该
关键的区别是，每个
CAS
控制其相应的
I / O三态逻辑（与联
OE
和
WE
和
RAS ） 。
LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O8
通过I / O15 。
该IS41C16105和IS41LV16105
CAS
功能DE-
由第一termined
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105和IS41LV16105两个
字节读和字节写周期的能力。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环，一个内部的10位计数器提供的行
地址和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
4
集成电路解决方案公司
DR005-0C
IS41C16105
IS41LV16105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
INDUSTRAIL工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
1.0
0.3
0
40
典型值。
5.0
3.3
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
集成电路解决方案公司
DR005-0C
5
IS41C16105
IS41LV16105
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
2000年2月
该
ISSI
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。快速页模式允许在一个单一的1024随机访问
行访问周期时间尽可能短，每16位字为20 ns 。该
字节写入控制，上下字节，使得IS41C16105
非常适合于16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400密耳SOJ和400密耳44-（ 50- ）引脚TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
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1
IS41C16105
IS41LV16105
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
2
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IS41C16105
IS41LV16105
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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3
IS41C16105
IS41LV16105
功能说明
该IS41C16105和IS41LV16105是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
is
用于锁存所述第一9位和
CAS
使用后者
9位。
该IS41C16105和IS41LV16105有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其它1M ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16105和IS41LV16105
CAS
功能是阻止 -
通过第一采
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105和IS41LV16105两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
4
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IS41C16105
IS41LV16105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/03/00
5
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