IS41C16105
IS41LV16105
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
2000年2月
该
ISSI
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。快速页模式允许在一个单一的1024随机访问
行访问周期时间尽可能短，每16位字为20 ns 。该
字节写入控制，上下字节，使得IS41C16105
非常适合于16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400密耳SOJ和400密耳44-（ 50- ）引脚TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/03/00
1
IS41C16105
IS41LV16105
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
2
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IS41C16105
IS41LV16105
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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3
IS41C16105
IS41LV16105
功能说明
该IS41C16105和IS41LV16105是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
is
用于锁存所述第一9位和
CAS
使用后者
9位。
该IS41C16105和IS41LV16105有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其它1M ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16105和IS41LV16105
CAS
功能是阻止 -
通过第一采
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105和IS41LV16105两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
4
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IS41C16105
IS41LV16105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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IS41LV16105
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16105 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16105 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
描述
2000年2月
该
ISSI
IS41C16105和IS41LV16105是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。快速页模式允许在一个单一的1024随机访问
行访问周期时间尽可能短，每16位字为20 ns 。该
字节写入控制，上下字节，使得IS41C16105
非常适合于16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16105和IS41LV16105理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16105和IS41LV16105被封装在一个
42引脚400密耳SOJ和400密耳44-（ 50- ）引脚TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
44 （50） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
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IS41LV16105
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
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IS41C16105
IS41LV16105
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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REV 。一
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IS41LV16105
功能说明
该IS41C16105和IS41LV16105是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
is
用于锁存所述第一9位和
CAS
使用后者
9位。
该IS41C16105和IS41LV16105有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其它1M ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16105和IS41LV16105
CAS
功能是阻止 -
通过第一采
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105和IS41LV16105两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间试样
经t田间
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
,
t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间
依赖于它们之间的定时关系
参数。
4
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REV 。一
03/03/00
IS41C16105
IS41LV16105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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REV 。一
03/03/00
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