PD-97026
超低压降
正，固定式线性稳压器
产品概述
产品型号
IRUH50P253A1M
IRUH50P253A1M
+ 5.0Vin至+ 2.5Vout在3.0A
降
0.4V
I
O
3.0A
V
in
5.0V
V
OUT
2.5V
8引脚扁平封装
产品特点：
该IRUH50P253A1M是一个合格的空间，超低
差线性稳压器专为空间设计
应用程序。该产品的特点为总
1.0毫拉德（SI ）每MIL -STD- 883电离剂量，方法
在1019偏见下的高和低剂量率和
偏置条件下以考虑在两极ELDRS效果
设备。的0.4V @ 3A使得超低压差
部分特别有用的要求低的应用
噪声和更高的效率。
n
n
n
n
n
n
n
n
总剂量为1.0兆拉德（Si）和低剂量
能力500拉德（Si）的允许使用在
空间应用
单事件闭锁免疫
LET = 84兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
)
流畅度= 1 ×10
9
离子/ cm
2
噪音低，效率高
的0.4V @ 3A超低压差电压输出
显著降低功耗
远程关机允许电源
测序可以很容易地实现
密封8引脚扁平封装确保可靠
更高的可靠性
空间层次屏蔽
这部分也可以在MO- 078AA
封装IRUH50P253B1M
绝对最大额定值
参数
输出电流
输入电压
功耗，T
C
= 25°C
热阻，结到外壳
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
符号
I
O
V
IN
P
合计
R
thJC
T
J
T
S
T
L
价值
3.5
7.0
19
6.5
-55到+125
-65到+150
300
单位
A
V
W
° C / W
°C
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1
11/15/05
IRUH50P253A1M
后辐射
电气特性@T
C
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
测试条件
V
IN
= 5.0V ，我
O
= 1.5A
V
IN
= 4.5V ，我
O
= 50毫安
输出电压
V
IN
= 4.5V ，我
O
= 3.0A
V
IN
= 5.5V ，我
O
= 50毫安
V
IN
= 5.5V ，我
O
= 3.0A
电流限制
纹波抑制
输出电压关断
V
IN
= 5.0V
F = 120Hz时，我
O
= 50毫安
V
IN
= 5.0V ，我
O
= 50mA时V
SHDN
= +5.0V V
OUT （ SHDN ）
I
最大
V
OUT
符号
分钟。
2.375
2.375
2.375
2.375
2.375
3.0
40
-0.1
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
2.625
2.625
2.625
2.625
2.625
-
-
+0.1
单位
V
A
dB
V
电气特性表的注意事项
V
关闭
坡道从0.8V到4.8V ，输出监测的标称规格为V低于100mV的压降
OUT
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3
IRUH50P253A1M
VIN
VIN
16V 100uF的
钽
VOUT
VOUT
IRUH50P253A1M
SHDN
GND
1.0uFx10
陶瓷X 7R
6.3V 1000uF的
低ESR的钽
地
图2.典型应用电路
输入电容
推荐的输入电容为一个通用的应用程序是一个100μF ， 16V的钽电容。然而，该
输入电容是不稳压的稳定性至关重要，因此，依赖于应用的。在
设计用干净的总线电压是位于靠近调节器的输入端，只有一个小的陶瓷
电容器将需要去耦高频噪声。另一方面，在同一个嘈杂的总线设计，
一个更大的电容是必要的。应当小心，以确保输入到调节器是足够
无噪音和干扰。
输出电容
最喜欢的超低压差稳压器， IRUH50P253A1M需要使用输出电容器作为
该设备的频率补偿的一部分。该设备需要至少220
？F的钽保证
稳定。
许多不同类型的电容器可用与已经广泛变化的特性。这些电容器
不同的电容器容差，等效串联电阻（ESR ） ，等效串联电感和电容
温度系数。该IRUH50P253A1M频率补偿优化与频率响应
低ESR电容。在一般情况下，使用具有小于50mΩ的ESR的电容器。重负载应用。
高质量的旁路电容也必须被用来限制由负载产生的高频噪声。
多个小的陶瓷电容器通常需要限制寄生电感（ESL）和ESR的
电容到可接受的水平。
电容的上限是由调节器的延迟过流锁存功能约束。该
器有一个保护电路，以便在短路的情况下锁存器关闭。然而，由于它是
众所周知，稳压器将绘制一个大的浪涌电流在启动时，锁存关断延迟了约10毫秒
以允许outout电容器充电到一个稳定的状态，而无需关闭。在此期间，该
监管机构将有一个输出电流最大5A左右的典型。因此，最大输出
电容可高达20000
C时即使没有使设备在启动期间闩锁关闭。
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