数据表No.PD 60133 -H
IRSF3011
(注:对于新的设计中,我们
推荐IR的新产品IPS021和IPS021L )
充分保护功率MOSFET开关
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
极为坚固,适用于恶劣的工作环境
过温保护
过电流保护
活性的漏 - 源钳位
ESD保护
铅的标准功率MOSFET兼容
低操作电流输入
整体结构
产品概述
V
DS (钳)
R
DS ( ON)
I
DS ( SD)
T
J(下标清)
E
AS
应用
·
电磁驱动器
·
直流电机驱动器
50V
200m
W
7A
165
o
C
200mJ
描述
该IRSF3011是一个三端单片智能功率
MOSFET,具有内置的短路,过温,防静电
和过电压保护。
芯片上的保护电路闭锁的功率MOSFET
的情况下的漏电流超过7A (典型值) ,或结
温度超过165 ° C(典型值) ,并保持它关闭,直到
输入被拉低。漏极到源极电压是积极
钳位在55V (典型值) ,电源的雪崩之前
MOSFET的关断过程中以由此提高其性能
感性负载。
输入电流的要求是非常低的( 300μA ),其
使得与大多数现有的设计中IRSF3011兼容
基于标准的功率MOSFET。
可用的软件包
3 LEAD
SOT223
3 LEAD
TO220AB
漏
框图
输入
来源
www.irf.com
1
IRSF3011
开关ElectricalCharacteristics
(V
CC
= 14V ,电阻性负载(R
L
) = 5W ,T
C
= 25℃ )。请参考图3 ,用于切换的时间的定义。
符号参数
t
DON
t
r
t
DOFF
t
f
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。马克斯。单位测试条件
160
90
650
250
250
300
180
170
250
—
1200
—
350
—
350
—
V
in
= 5V
V
in
= 10V
V
in
= 5V
V
in
= 10V
V
in
= 5V
V
in
= 10V
V
in
= 5V
V
in
= 10V
nS
保护特性
(T
C
= 25
o
C除非另有规定编)
符号参数
I
DS ( SD)
T
J(下标清)
V
保护
t
Iresp
t
Iblank
I
PEAK
V
RESET
t
RESET
t
TRESP
过流关断阈值
过温关断阈值
分钟。输入电压过温功能
过电流响应时间
过电流消隐时间
峰值短路电流
保护复位电压
保护复位时间
过温度响应时间
分钟。
5
155
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
7
165
3
4
4
16
1.3
8
12
马克斯。单位测试条件
10
—
—
—
—
—
—
—
—
o
A
C
V
VIN = 5V
VIN = 5V ,IDS = 2A
参见图4的定义
参见图4的定义
参见图4的定义
参见图5的定义
参见图6定义
mS
A
V
mS
电气特性的温度系数
(请参阅在等电参量的热特性更多的数据图7至图18 。
符号参数
V
DS,钳
V
th
V
IN,钳
I
DS ( SD)
漏极 - 源极钳位电压T.C.
输入阈值电压T.C.
输入钳位电压T.C.
过流关断阈值T.C.
分钟。
—
—
—
—
典型值。
18.2
-2.7
7.0
-9.8
马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
I
ds
= 10毫安
毫伏/ C V
ds
= 5V ,我
ds
= 10毫安
I
in
= 10毫安
o
毫安/ C V
in
= 5V
o
N
OTES
:
x
当安装在1"正方形板(FR-4或G10材料)。对于推荐的足迹和焊接技术,
参考国际整流器应用笔记AN- 994 。
y
E
AS
与图6A的一个恒定电流源测试为700毫秒施加在V
in
= 0V和起始物为
j
= 25
o
C.
z
输入电流必须与输入的体漏二极管时限制到小于5毫安用1kW的电阻串联
正向偏置。
www.irf.com
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