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IRS2608DSPbF
2011年6月1日
IRS2608DSPbF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+600 V
耐负瞬态电压 - 的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
兼容3.3 V , 5 V和15 V输入逻辑
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与LIN输入
内置530 ns的死区时间
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
集成自举二极管
适用于梯形和正弦电机控制
符合RoHS
套餐
8引脚SOIC
应用范围:
*
冷气机
*微/小型变频器驱动
*通用变频器
*电机控制
描述
该IRS2608D ( S)是一种高电压,高速功率MOSFET和相关的高侧和低侧IGBT驱动器
参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3 V逻辑兼容。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或1GBT ,其中可在高达高侧配置
600 V.
典型连接
www.irf.com
1
IRS2608DSPbF
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
产业
点评:这款芯片已通过JEDEC的
工业资质。 IR的消费
资质等级给予延长
更高的产业层次。
MSL2 , 260℃
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
2级
(根据JEDEC标准JESD22- A114 )
B类
(每EIA / JEDEC标准EIA / JESD22- A115 )
I类, A级
(每JESD78 )
是的
湿度敏感度等级
人体模型
ESD
机器型号
IC闩锁测试
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
较高的资质等级可提供用户应该有这样的要求。
请联系您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
www.irf.com
2
IRS2608DSPbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
COM
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN &LIN )
逻辑地
允许的偏移电压瞬变
封装的功率耗散@ TA≤ + 25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
V
B
- 20
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
V
CC
- 20
-50
马克斯。
620
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在V
S
和COM偏移的评价是
与偏置电压为15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
St
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
静态高侧浮动电源偏置电压
瞬态高压侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+10
COM- 8 (注1 )
-50 (注2 )
V
S
10
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+20
600
600
V
B
20
V
CC
V
CC
125
单位
V
°C
注1 :
逻辑运算的V
S
-8 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
V - -8 V至
BS 。
注2 :
运作了COM瞬态负VS - 50 V与50 ns的脉冲宽度。通过设计保证。参阅
该数据表的详细信息,应用信息部分。
www.irf.com
3
IRS2608DSPbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
)= 15 V , COM = V
CC
, C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
t
on
t
关闭
MT
t
r
t
f
DT
MT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延迟匹配
t
ON -
t
关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间: LO关断何导通( DT
LO- HO)
&放大器;
何关断到LO开启( DT
HO- LO )
延迟匹配时间(t
ON
, t
关闭
)
死区时间匹配DT =
LO- HO
- DT
HO- LO
最小值典型值最大值单位测试条件
120
120
350
250
250
150
50
530
380
380
60
220
80
800
60
60
纳秒
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V或600 V
V
S
= 0 V或600 V
V
IN
= 0 V & 5 V
无需外部
死区时间
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V ,和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
白细胞介素,
V
IH
IN
参数参考COM
并适用于各自的输入导线: HIN和LIN 。在V
O,
I
O
和Ron参数参考COM和
适用于各输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
苏格兰皇家银行
德网络nition
逻辑“1”输入电压HIN &逻辑“0” LIN
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
自举电阻
最小值典型值最大值单位测试条件
0.8
0.3
45
2.2
1.4
0.6
50
70
A
V
B
= V
S
= 600 V
V
IN
= 0 V或24 V
V
IN
= 0 V或24 V
V
IN
= 4 V
V
IN
= 0 V
V
I
O
= 20毫安
逻辑“0”输入电压HIN &逻辑“1”的LIN 0.8
1000 1700 3000
8.0
7.4
120
250
15
10
8.9
8.2
0.7
200
350
200
30
20
9.8
9.0
V
mA
欧姆
V
O
= 0 V,
PW = 10我们
V
O
= 15 V,
PW = 10我们
www.irf.com
4
IRS2608DSPbF
功能方框图
www.irf.com
5
IRS2608DSPbF
2009年8月18日
IRS2608DSPbF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
适合免费集成自举二极管
只有PWM开关方案
IRS2608DSPBF适合于正弦电机控制
应用
IRS2608DSPBF不建议
梯形电机控制应用
充分运作,以+600 V
耐负瞬态电压 - 的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
兼容3.3 V , 5 V和15 V输入逻辑
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与LIN输入
内置530 ns的死区时间
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
符合RoHS
套餐
8引脚SOIC
应用范围:
*
冷气机
*微/小型变频器驱动
*通用变频器
*电机控制
描述
该IRS2608D ( S)是一种高电压,高速功率MOSFET和相关的高侧和低侧IGBT驱动器
参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3 V逻辑兼容。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或1GBT ,其中可在高达高侧配置
600 V.
典型连接
www.irf.com
1
IRS2608DSPbF
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
产业
点评:这款芯片已通过JEDEC的
工业资质。 IR的消费
资质等级给予延长
更高的产业层次。
MSL2 , 260℃
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
2级
(根据JEDEC标准JESD22- A114 )
B类
(每EIA / JEDEC标准EIA / JESD22- A115 )
I类, A级
(每JESD78 )
是的
湿度敏感度等级
人体模型
ESD
机器型号
IC闩锁测试
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
较高的资质等级可提供用户应该有这样的要求。
请联系您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
www.irf.com
2
IRS2608DSPbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
COM
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN &LIN )
逻辑地
允许的偏移电压瞬变
封装的功率耗散@ TA
+25°
C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
V
B
- 20
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
V
CC
- 20
-50
马克斯。
620
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
°
C / W
°
C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在V
S
和COM偏移的评价是
与偏置电压为15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
St
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
静态高侧浮动电源偏置电压
瞬态高压侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+10
COM- 8 (注1 )
-50 (注2 )
V
S
10
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+20
600
600
V
B
20
V
CC
V
CC
125
单位
V
°
C
注1 :
逻辑运算的V
S
-8 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
V - -8 V至
BS 。
注2 :
运作了COM瞬态负VS - 50 V与50 ns的脉冲宽度。通过设计保证。参阅
该数据表的详细信息,应用信息部分。
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3
IRS2608DSPbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
)= 15 V , COM = V
CC
, C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°
C.
符号
t
on
t
关闭
MT
t
r
t
f
DT
MT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延迟匹配
t
ON -
t
关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间: LO关断何导通( DT
LO- HO)
&放大器;
何关断到LO开启( DT
HO- LO )
延迟匹配时间(t
ON
, t
关闭
)
死区时间匹配DT =
LO- HO
- DT
HO- LO
最小值典型值最大值单位测试条件
120
120
350
250
250
150
50
530
380
380
60
220
80
800
60
60
纳秒
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V或600 V
V
S
= 0 V或600 V
V
IN
= 0 V & 5 V
无需外部
死区时间
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V ,和T
A
= 25° ,除非另有规定。在V
白细胞介素,
V
IH
IN
参数参考COM
C
并适用于各自的输入导线: HIN和LIN 。在V
O,
I
O
和Ron参数参考COM和
适用于各输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
苏格兰皇家银行
德网络nition
逻辑“1”输入电压HIN &逻辑“0” LIN
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
自举电阻
最小值典型值最大值单位测试条件
0.8
0.3
45
2.2
1.4
0.6
50
70
A
V
B
= V
S
= 600 V
V
IN
= 0 V或24 V
V
IN
= 0 V或24 V
V
IN
= 4 V
V
IN
= 0 V
V
I
O
= 20毫安
逻辑“0”输入电压HIN &逻辑“1”的LIN 0.8
1000 1700 3000
8.0
7.4
120
250
15
10
8.9
8.2
0.7
200
350
200
30
20
9.8
9.0
V
mA
欧姆
V
O
= 0 V,
PW
10我们
V
O
= 15 V,
PW
10我们
集成自举二极管,适用于只提供免费的PWM方案。 IRS2608D适合于正弦电机
控制应用。 IRS2608D是不建议梯形电机控制应用。请参考整合
此数据表以了解更多信息引导功能部分。
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IRS2608DSPbF
功能方框图
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRS2608DSPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRS2608DSPBF
Infineon Technologies
2431+
32210
SOIC-8
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1269876724 复制 点击这里给我发消息 QQ:807746069 复制

电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
IRS2608DSPBF
IR
新年份
35600
SOP-8
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRS2608DSPBF
Infineon Technologies
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IRS2608DSPBF
IR
08+
8909
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
IRS2608DSPBF
IR
08+
SOP-8
全新自己现货市场可以送货
普通
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:358410056 复制
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
IRS2608DSPBF
Internation.Rectifer
13+
2,365
标准封装
全新原装热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:962800405 复制 点击这里给我发消息 QQ:475055463 复制 点击这里给我发消息 QQ:545433074 复制
电话:0755-83223957 83247340
联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
IRS2608DSPBF
International Rectifier
23+
7220
原厂原封装
进口原包装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRS2608DSPBF
Infineon Technologies
24+
4514
8-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
IRS2608DSPBF
International Rectifier
21+
26000
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
IRS2608DSPBF
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24+
82800
原厂封装
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力!
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