数据表号PD60238亮采
IRS2153(1)D(S)PbF
自振荡半桥驱动器IC
特点
集成600 V半桥栅极驱动器
C
T
, R
T
可编程振荡器
15.4 V齐纳钳位在V
CC
微功率启动
非锁存C关闭
T
销（1 / 6 V
CC
)
内部自举场效应管
在所有输入和输出优秀的锁定能力
+/- 50 V / ns的的dV / dt抗扰性
所有引脚的ESD保护
8引脚SOIC和PDIP封装
内部死区时间
产品概述
V
OFFSET
占空比
驱动程序的源/汇
当前
V
钳
死区时间
600 V最大
50%
180毫安/ 260毫安典型。
15.4 V （典型值） 。
1.1
s
（典型值） 。 （ IRS2153D ）
0.6
s
（典型值） 。 （ IRS21531D ）
描述
该IRS2153 （ 1 ）D是基于流行的IR2153自
振荡半桥栅极驱动器IC使用更
先进的芯片平台，并采用了高
带的前端振荡器电压半桥栅极驱动器
类似的工业标准CMOS 555定时器。 HVIC
和锁存免疫CMOS技术使坚固
单片式结构。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。抗噪声能力实现低
二/栅极驱动器的dt的峰值。
包
PDIP8
IRS2153(1)DPbF
SO8
IRS2153(1)DSPbF
典型连接图
+ AC整流线
RVCC
VCC
1
8
VB
CBOOT
讯息处理系统
IRS2153(1)D
RT
2
7
HO
RT
CT
CVCC
CT
COM
3
6
VS
L
RL
4
5
LO
MLS
- 交流整流线
1
IRS2153(1)D
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
I
RT
V
RT
V
CT
I
CC
I
OMAX
dV
S
/ DT
P
D
P
D
R
thJA
R
thJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
R
T
引脚电流
R
T
引脚电压
C
T
引脚电压
电源电流（注1 ）
在LO和HO由于外部最大允许电流
功率晶体管米勒效应。
允许偏移电压摆率
最大功率耗散@ T
A
≤
+25 C ， 8引脚DIP
最大功率耗散@ T
A
≤
+25 C ， 8引脚SOIC
热阻，结到环境， 8引脚DIP
热阻，结到环境， 8引脚SOIC
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
– 0.3
-0.3
-5
-0.3
-0.3
---
-500
-50
---
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
5
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
20
500
50
1.0
0.625
85
128
150
150
300
单位
V
mA
V
mA
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
注1 ：
该IC包含芯片V的齐纳二极管钳位结构
CC
和COM其标称
15.4五击穿电压请注意，此电源引脚不应该由直流驱动，低
阻抗电源大于V
钳
在电气特性部分中指定。
2
IRS2153(1)D
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。
符号
V
BS
V
S
V
CC
I
CC
T
J
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压
稳态侧浮动电源偏置电压
电源电压
电源电流
结温
分钟。
V
CC
- 0.7
-3.0 （注2 ）
V
CCUV +
+0.1 V
（注3）
-40
马克斯。
V
钳
600
V
CC CLAMP
5
125
单位
V
mA
C
注2 ：
建议避免输出开关条件，其中在V的负向尖峰
S
节点会降低V
S
下面地面以上-5V。
注3 ：
足够大的电流，应供给至V
CC
IC的引脚，以保证内部15.6 V齐纳二极管
夹紧在这个引脚上的电压。
推荐元件值
符号
R
T
C
T
参数
部件
定时电阻值
C
T
引脚电容值
分钟。
1
330
马克斯。
---
---
单位
k
pF
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
)
= 14 V, V
S
= 0 V和T
A
= 25°C ， CLO = CHO = 1 nF的。
频率与RT
1,000,000
CT值
100,000
频率（Hz）
10,000
1,000
100
10
1,000
330pf
470pF
1nF
2.2nF
4.7nF
10nF
10,000
100,000
1,000,000
RT （欧姆）
欲了解更多信息，请参阅图。 12 。
3
IRS2153(1)D
电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
)
= 14 V ，C
T
= 1 nF的，V
S
= 0 V和T
A
= 25°C除非另有规定。输出电压和电流（V
O
我
O
)
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。 CLO = CHO = 1 nF的。
符号
V
CCUV +
V
CCUV-
V
CCUVHYS
I
QCCUV
I
QCC
I
CC
V
CC
钳
I
QBS
V
BSUV +
V
BSUV-
I
LK
德网络nition
瑞星V
CC
欠压锁定阈值
落V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
微功率启动V
CC
电源电流
静态V
CC
电源电流
V
CC
电源电流
V
CC
齐纳钳位电压
静态V
BS
电源电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
偏置电源漏电流
民
10.0
8.0
1.6
---
---
---
14.4
---
8.0
7.0
---
18.4
88
---
---
0.20
---
---
2.2
---
---
---
---
---
---
典型值
11.0
9.0
2.0
130
800
1.8
15.4
60
9.0
8.0
---
19.0
93
50
0.02
最大
12.0
10.0
2.4
170
1000
---
16.8
80
9.5
单位
测试条件
低压电源特性
V
V
CC
≤
V
CCUV-
R
T
= 36.9 k
I
CC
= 5毫安
A
mA
V
A
浮动电源特性
V
9.0
50
19.6
100
---
1.0
0.6
---
---
2.4
50
300
50
300
100
50
300
mV
I
RT
= -100
A
I
RT
= -1毫安
I
RT
= 100
A
I
RT
= 1毫安
V
CC
≤
V
CCUV-
I
RT
= -100
A,
V
CT
= 0 V
A
V
B
= V
S
= 600 V
R
T
= 36.5 k
R
T
= 7.15 k
f
o
< 100千赫
V
CC
= 7 V
振荡器的I / O特性
f
OSC
d
I
CT
I
CTUV
V
CT +
V
CT-
V
CTSD
V
RT +
V
RT-
V
RTUV
振荡器频率
R
T
脚占空比
C
T
引脚电流
UV-方式C
T
引脚下拉电流
UPPER
T
斜坡电压阈值
LOWER
T
斜坡电压阈值
C
T
电压关断阈值
高水平的研发
T
输出电压V
CC
- V
RT
低电平R
T
输出电压
UV-模式v
T
输出电压
千赫
%
A
mA
V
0.30
9.32
4.66
2.3
10
100
10
100
0
10
100
V
RTSD
SD-模式v
T
输出电压V
CC
- V
RT
---
I
RT
= -1毫安，
V
CT
= 0 V
4
IRS2153(1)D
电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS ）
= 14 V ，C
T
= 1 nF的，V
S
= 0 V和T
A
= 25°C除非另有规定。输出电压和电流（V
O
我
O
)
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。 CLO = CHO = 1 nF的。
符号
V
OH
V
OL
V
OL_UV
t
r
t
f
t
sd
t
d
t
d
I
O+
I
O-
德网络nition
高电平输出电压
低电平输出电压
UV-模输出电压
输出上升时间
输出下降时间
关断传播延迟
输出死区时间（HO或LO ） （ IRS2153D ）
输出死区时间（HO或LO ） （ IRS21531D ）
输出源电流
输出灌电流
民
---
---
---
---
---
---
0.65
0.35
---
---
典型值
V
CC
COM
COM
120
50
350
1.1
0.6
180
260
最大
---
---
---
220
80
---
1.75
0.85
---
---
单位
测试条件
栅极驱动器输出特性
I
O
= 0 A
V
I
O
= 0 A,
V
CC
≤
V
CCUV-
ns
s
s
mA
引导FET特点
V
B_ON
I
B_CAP
I
B_10V
V
B
当引导FET是
V
B
源极电流时， FET是
V
B
源极电流时， FET是
---
40
10
13.7
55
12
---
---
---
V
mA
C
BS
= 0.1 uF的
V
B
=10 V
5
QQ：2881677436 复制
