2011年8月8日
IRS2113MPBF
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压 - 的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
兼容3.3 V输入逻辑
独立的逻辑电源电压范围为3.3 V至20 V
逻辑和电源接地± 5 V的偏移
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
输出同相输入端
无铅，符合RoHS标准
产品概述
拓扑
V
OFFSET
V
OUT
I
o+
＆放大器;我
o-
（典型值）
t
ON
＆放大器;牛逼
关闭
（典型值）
延迟匹配
2通道
600 V最大
10 V – 20 V
2.5 A / 2.5 A
130纳秒& 120纳秒
20 ns（最大值）
封装选项
描述
该IRS2113MPBF是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高，
低侧参考输出通道。专有的HVIC
和锁存免疫CMOS技术使
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。传播延迟相匹配
简化在高频应用中使用。浮动
信道可被用于驱动N沟道功率
MOSFET或IGBT在高侧配置中哪些
工作频率高达600 V.
MLPQ4x4-16-Lead
（无引线2 ）
典型连接图
（参考信息分配的正确的引脚配置）此图仅显示电气连接。
请参考我们的应用笔记和设计技巧进行适当的电路板布局。
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2008国际整流器
IRS2113MPBF
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
IC闩锁测试
符合RoHS
产业
（每JEDEC JESD 47 ）
点评：这款IC通过了JEDEC的工业
资格。 IR的消费资格水平
授予延伸产业更高水平。
MSL2
MLPQ4x4 14L
（根据IPC / JEDEC J -STD-
020)
A（ +/- 200V ）班
（根据JEDEC标准JESD22- A115 ）
1B类（ +/- 1000V ）
（每EIA / JEDEC标准EIA / JESD22- A114 ）
III类（ +/- 1000V ）
（根据JEDEC标准JESD22- C101 ）
II级， A级
（每JESD78A ）
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
高学历额定值可应用户有这样的需求。请
请联系您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
高等教育MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系
您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2
IRS2113MPBF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
德网络nition
分钟。
马克斯。
单位
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
S
/ DT
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低端固定电源电压
低边输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
可允许的偏移电压瞬变（图2）
-0.3
V
B
- 20
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 20
V
SS
-0.3
—
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 20 ()
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
V
P
D
封装的功率耗散@ TA≤ 25℃
—
2.08
RTH
JA
热阻，结到环境
—
36
T
J
结温
—
150
T
S
储存温度
-55
150
T
L
引线温度（焊接， 10秒）
—
300
所有物资都在25 V全面的测试，以及内部20 V夹存在于每个供应。
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正常工作的设备应
推荐的条件下使用。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置电源的所有测试
在15 V差分。
符号
V
B
V
S
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
分钟。
V
S
+10
马克斯。
V
S
+20
600
单位
V
HO
高侧浮动输出电压
V
S
V
B
V
CC
低端固定电源电压
10
20
V
LO
低边输出电压
0
V
CC
V
DD
逻辑电源电压
V
SS
+ 3
V
SS
+ 20
V
SS
逻辑地偏移电压
5
-5 ()
V
IN
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
V
SS
V
DD
T
A
环境温度
-40
125
逻辑运算的V
S
-4 V至+500 V.逻辑状态保持V
S
V - -4 V至
BS 。
（请参考设计提示DT97 -3详细介绍） 。
当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD
.
V
°C
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3
IRS2113MPBF
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS ，
V
DD
） ≤ 15 V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
白细胞介素，
V
TH
我
IN
参数是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。该
V
O,
我
O
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极门槛
V
BS
电源欠压负门槛
V
CC
电源欠压积极门槛
V
CC
电源欠压负门槛
高输出短路电流脉冲
最小典型最大单位
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
—
—
—
—
—
—
6.0
1.4
0.15
50
A
TEST
条件
V
I
O
= 0 A
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600
V
V
IN
= 0 V或
V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
125 230
180 340
15 30
20 40
— 5.0
8.6 9.7
8.2 9.4
8.5 9.6
8.2 9.4
2.5
—
V
A
I
O-
低输出短路脉冲电流
2.0
2.5
—
V
O
= 0 V,
V
IN
= V
DD
PW = 10我们
V
O
= 15 V,
V
IN
= 0 V
PW = 10我们
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS ，
V
DD
）= 15 V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。该
动态电特性用图中所示的测试电路进行测量。 3 。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS开启/关闭
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
130 200
120 190
130 160
25 35
17 25
—
20
TEST
条件
V
S
= 0 V
V
S
= 600 V
ns
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