数据表No.PD60270
IRS2004(S)PbF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+200 V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定
兼容3.3 V ， 5 V和15 V输入逻辑
跨导预防逻辑
内部设置死区时间
同相输入高侧输出
关机输入可关闭两个通道
匹配的传播延迟为两个通道
符合RoHS
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间（典型值）。
200 V最大。
130毫安/ 270毫安
10 V - 20 V
680纳秒/ 150纳秒
520纳秒
套餐
描述
该IRS2004是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，低
侧参考输出通道。专有的HVIC和
8引脚SOIC
8引脚PDIP
锁存免疫CMOS技术使加固
IRS2004S
IRS2004
单片式结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3 V
逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨
传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置，它工作在10V至200V。
典型连接
到200伏
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
IN
SD
COM
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。此图显示的电
连接而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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1
IRS2004 （S ）的PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（IN &
SD
)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25
°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
该
输入/输出
逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试所有供应偏置15 V差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（IN &
SD
)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注2
V
S
10
0
0
-40
马克斯。
V
S
+ 20
200
V
B
20
V
CC
V
CC
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
-5 V至+200 V.逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
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2
IRS2004 （S ）的PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
）= 15 V ，C
L
= 1000 pF的和T
A
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
吨
花花公子
TSD
tr
tf
DT
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
死区时间， LS关断到HS开启&
HS开启到LS关断
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
400
—
680
150
160
70
35
520
—
820
220
220
170
90
650
60
ns
V
S
= 0 V
V
S
= 200 V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
）= 15 V和T
A
= 25
°C
除非另有规定。在V
IN
, V
TH ，
我
IN
参数是参照
COM 。在V
O
我
O
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH +
V
SD ， TH-
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1” （HO） &逻辑“0” （LO）输入电压
逻辑“0” （HO） &逻辑“1” （LO）输入电压
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.5
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
8
7.4
130
270
—
—
—
—
0.05
0.02
—
30
150
3
—
8.9
8.2
290
600
—
0.8
—
0.8
0.2
0.1
50
55
270
10
5
9.8
V
9
—
mA
—
V
O
= 0 V
PW
≤
10
s
V
O
= 15 V
PW
≤
10
s
A
V
I
O
= 2毫安
V
B
= V
S
= 200 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10到20V
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3
IRS2004 （S ）的PbF
功能框图
VB
HV
水平
移
Q
脉冲
滤波器
R
S
VS
HO
IN
脉冲
根
死区时间&
SHOOT - THROUGH
预防
UV
检测
VCC
SD
LO
COM
铅定义
符号说明
IN
高侧和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
关机逻辑输入
高侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
低端回报
SD
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
铅作业
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IRS2004PbF
www.irf.com
IRS2004SPbF
4
QQ：2880707522 复制
