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PD - 94830
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
D
IRLZ34NPbF
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.035
I
D
= 30A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。在低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
30
21
110
68
0.45
±16
110
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
典型值。
0.50
马克斯。
2.2
62
单位
° C / W
11/11/03
IRLZ34NPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
55
1.0
11
典型值。
0.065
8.9
100
21
29
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.035
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
0.046
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 16A
0.060
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 14A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
25
I
D
= 16A
5.2
NC V
DS
= 44V
14
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
V
DD
= 28V
I
D
= 16A
ns
R
G
= 6.5, V
GS
= 5.0V
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
4.5
6毫米（0.25英寸）。
nH
从包
7.5
而中心的模具接触
880
V
GS
= 0V
220
pF
V
DS
= 25V
94
= 1.0MHz的，见图。五
D
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
30
展示
A
G
整体反转
110
p-n结二极管。
1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
76 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
190 290
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
注意事项：
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
270A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
T
J
≤
175°C
IRLZ34NPbF
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
10
2.5V
1
1
2.5V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
1
10
100
A
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175°C
1
10
100
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 27A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
100
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
2.0
10
1.5
1.0
1
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
7
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRLZ34NPbF
1400
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1200
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
国际空间站
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 16A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
12
C，电容（pF ）
1000
800
9
C
OSS
600
6
400
C
RSS
200
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
12
16
测试电路
见图13
20
24
28
32
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
100s
10
1ms
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
GS
= 0V
1.8
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
10ms
100
2.0
A
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRLZ34NPbF
40
V
DS
V
GS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
30
R
G
5.0V
D.U.T.
+
-
V
DD
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
10
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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