PD - 94404
开关电源MOSFET
IRLR8203
IRLU8203
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
l
高频降压转换器的
计算机处理器电源
好处
l
l
l
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
6.8m
I
D
110A
超低栅极阻抗
非常低的RDS（on ），在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR8203
I- PAK
IRLU8203
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
30
± 20
110
76
120
140
69
0.92
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.09
50
110
单位
° C / W
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
笔记
通过
在第10页
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1
03/12/02
IRLR/U8203
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
30
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.027 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
5.6
6.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
m
静态漏 - 源极导通电阻
–––
7.1
9.0
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
栅极阈值电压
1.0
––– 3.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 20
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
A
漏极至源极漏电流
––– ––– 100
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
栅 - 源正向漏
––– ––– 200
V
GS
= 20V
nA
栅 - 源反向漏
––– ––– -200
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
33
5.7
17
23
15
99
30
69
2430
1200
250
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
50
I
D
= 12A
8.5
NC V
DS
= 24V
25
V
GS
= 4.5V
34
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 12A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 15V
–––
pF
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
310
30
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 110
A
–––
0.75
0.65
48
62
49
67
120
1.3
–––
72
92
74
100
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
R
=15V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 12A ，V
R
=15V
的di / dt = 100A / μs的
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