【PD - 95089AIRLR3802PbFIRLU3802PbF应用l高频3.3V和5V输入点 -】,IC型号IRLU3802PBF,IRLU3802PBF PDF资料,IRLU3802PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95089A

IRLR3802PbF

IRLU3802PbF

应用

l

高频3.3V和5V输入点 -

的负载同步降压转换器

l

网通电源管理，

计算机和便携式应用。

l

LEAD -FREE

好处

l

超低栅极阻抗

l

非常低R

DS （ ON）

l

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

12V

R

DS （ ON）

最大

8.5m

Q

g

27nC

D- PAK

IRLR3802

I- PAK

IRLU3802

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

12

± 12

84

60

320

88

44

0.59

-55 + 175

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.7

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

9页

www.irf.com

1

12/7/04

IRLR/U3802PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅源电荷

后Vth的栅源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

g

fs

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

12

–––

0.6

–––

31

–––

典型值。

–––

0.009

6.5

–––

-3.2

–––

27

3.6

2.0

10

11

12

28

11

14

21

17

2490

2150

530

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

8.5

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 15A

m

30

V

GS

= 2.8V ，我

D

= 12A

1.9

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

---毫伏/°C的

100

V

DS

= 9.6V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 9.6V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 12V

nA

-200

V

GS

= -12V

–––

S

V

DS

= 6.0V ，我

D

= 12A

41

–––

V

DS

= 6.0V

–––

V

GS

= 5.0V

–––

NC I

D

= 6.0A

–––

见图16

–––

NC V

DS

= 10V, V

GS

= 0V

–––

V

DD

= 6.0V, V

GS

= 4.5V

–––

ns

I

D

= 12A

–––

钳位感性负载

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 6.0V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

300

20

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.81

0.65

52

54

50

84

A

320

1.2

–––

78

81

75

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 12A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 12A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

2

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IRLR/U3802PbF

1000

VGS

顶部

10V

4.5V

3.5V

2.5V

2.3V

2.0V

1.8V

BOTTOM 1.5V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

VGS

10V

4.5V

3.5V

2.5V

2.3V

2.0V

1.8V

BOTTOM 1.5V

顶部

10

1

1.5V

1

0.1

1.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

1.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 84A

VGS = 4.5V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 25°C

100

T J = 175℃

10

（归一化）

1.0

1

0

1.0

2.0

3.0

VDS = 5.0V

20μs的脉冲宽度

4.0

5.0

6.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRLR/U3802PbF

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，光盘短路

gs

gd

CRSS = C

gd

科斯

= C +C

ds

gd

12

ID = 6.0A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 12V

10

8

6

4

2

0

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

1000

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

1msec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

1

10

10msec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRLR/U3802PbF

L

D

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

DD

D.U.T

60

V

GS

脉冲宽度和LT ; 1μS

占空比< 0.1 ％

40

图10A 。

开关时间测试电路

20

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

V

DS

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

f

t

D（关闭）

t

r

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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IRLR3802PbF

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应用

l

高频3.3V和5V输入点 -

的负载同步降压转换器

l

网通电源管理，

计算机和便携式应用。

l

LEAD -FREE

好处

l

超低栅极阻抗

l

非常低R

DS （ ON）

l

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

12V

R

DS （ ON）

最大

8.5m

Q

g

27nC

D- PAK

IRLR3802

I- PAK

IRLU3802

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲？

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

12

± 12

84

60

320

88

44

0.59

-55 + 175

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.7

40

110

单位

° C / W

笔记

通过

9页

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1

12/7/04

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静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅源电荷

后Vth的栅源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

g

fs

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

12

–––

0.6

–––

31

–––

典型值。

–––

0.009

6.5

–––

-3.2

–––

27

3.6

2.0

10

11

12

28

11

14

21

17

2490

2150

530

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

8.5

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 15A

m

30

V

GS

= 2.8V ，我

D

= 12A

1.9

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

---毫伏/°C的

100

V

DS

= 9.6V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 9.6V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 12V

nA

-200

V

GS

= -12V

–––

S

V

DS

= 6.0V ，我

D

= 12A

41

–––

V

DS

= 6.0V

–––

V

GS

= 5.0V

–––

NC I

D

= 6.0A

–––

见图16

–––

NC V

DS

= 10V, V

GS

= 0V

–––

V

DD

= 6.0V, V

GS

= 4.5V

–––

ns

I

D

= 12A

–––

钳位感性负载

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 6.0V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

300

20

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.81

0.65

52

54

50

84

A

320

1.2

–––

78

81

75

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 12A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 12A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

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1000

VGS

顶部

10V

4.5V

3.5V

2.5V

2.3V

2.0V

1.8V

BOTTOM 1.5V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

VGS

10V

4.5V

3.5V

2.5V

2.3V

2.0V

1.8V

BOTTOM 1.5V

顶部

10

1

1.5V

1

0.1

1.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

1.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 84A

VGS = 4.5V

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 25°C

100

T J = 175℃

10

（归一化）

1.0

1

0

1.0

2.0

3.0

VDS = 5.0V

20μs的脉冲宽度

4.0

5.0

6.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，光盘短路

gs

gd

CRSS = C

gd

科斯

= C +C

ds

gd

12

ID = 6.0A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 12V

10

8

6

4

2

0

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

1000

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

1msec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

1

10

10msec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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L

D

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

DD

D.U.T

60

V

GS

脉冲宽度和LT ; 1μS

占空比< 0.1 ％

40

图10A 。

开关时间测试电路

20

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

V

DS

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

f

t

D（关闭）

t

r

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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