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PD - 94536
IRLR3802
IRLU3802
应用
l
高频3.3V和5V输入点 -
的负载同步降压转换器
l
网通电源管理,
计算机和便携式应用。
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
12V
R
DS ( ON)
最大
8.5m
Q
g
27nC
好处
l
超低栅极阻抗
l
非常低R
DS ( ON)
l
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR3802
I- PAK
IRLU3802
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲?
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
12
± 12
84
60
320
88
44
0.59
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.7
40
110
单位
° C / W
笔记
通过
9页
www.irf.com
1
8/22/02
IRLR/U3802
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅源电荷
后Vth的栅源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
12
–––
–––
–––
0.6
–––
–––
–––
–––
–––
31
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.009
6.5
–––
–––
-3.2
–––
–––
–––
–––
–––
27
3.6
2.0
10
11
12
28
11
14
21
17
2490
2150
530
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
8.5
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 15A
m
30
V
GS
= 2.8V ,我
D
= 12A
1.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
---毫伏/°C的
100
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
200
V
GS
= 12V
nA
-200
V
GS
= -12V
–––
S
V
DS
= 6.0V ,我
D
= 12A
41
–––
V
DS
= 6.0V
–––
V
GS
= 5.0V
–––
NC I
D
= 6.0A
–––
见图16
–––
–––
NC V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
–––
V
DD
= 6.0V, V
GS
= 4.5V
–––
ns
I
D
= 12A
–––
钳位感性负载
–––
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 6.0V
–––
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
典型值。
–––
–––
马克斯。
300
20
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.81
0.65
52
54
50
50
84
A
320
1.2
–––
78
81
75
75
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 12A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C,I
F
= 12A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
2
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IRLR/U3802
1000
VGS
顶部
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
BOTTOM 1.5V
1000
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
BOTTOM 1.5V
顶部
10
10
1
1.5V
1
1.5V
0.1
0.01
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
1.5
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
ID = 84A
VGS = 4.5V
ID ,漏 - 源电流
)
T J = 25°C
100
T J = 175℃
10
(归一化)
1.0
1
0
1.0
2.0
3.0
VDS = 5.0V
20μs的脉冲宽度
4.0
5.0
6.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T J ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U3802
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + C ,光盘短路
gs
gd
CRSS = C
gd
科斯
= C +C
ds
gd
12
ID = 6.0A
VGS ,栅 - 源极电压( V)
VDS = 12V
10
8
6
4
2
0
C,电容(pF )
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q g总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限制根据RDS ( ON)
100.0
T J = 175℃
10.0
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100sec
1msec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0
1
10
100
10msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ,源toDrain电压( V)
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U3802
L
D
V
DS
100
不限按包
80
ID ,漏电流( A)
D.U.T
V
DD
60
V
GS
脉冲宽度和LT ; 1μS
占空比< 0.1 %
40
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
0
T C ,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D(上)
t
f
t
D(关闭)
t
r
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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PD - 94536
IRLR3802
IRLU3802
应用
l
高频3.3V和5V输入点 -
的负载同步降压转换器
l
网通电源管理,
计算机和便携式应用。
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
12V
R
DS ( ON)
最大
8.5m
Q
g
27nC
好处
l
超低栅极阻抗
l
非常低R
DS ( ON)
l
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR3802
I- PAK
IRLU3802
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲?
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
12
± 12
84
60
320
88
44
0.59
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.7
40
110
单位
° C / W
笔记
通过
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8/22/02
IRLR/U3802
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅源电荷
后Vth的栅源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
12
–––
–––
–––
0.6
–––
–––
–––
–––
–––
31
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.009
6.5
–––
–––
-3.2
–––
–––
–––
–––
–––
27
3.6
2.0
10
11
12
28
11
14
21
17
2490
2150
530
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
8.5
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 15A
m
30
V
GS
= 2.8V ,我
D
= 12A
1.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
---毫伏/°C的
100
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
200
V
GS
= 12V
nA
-200
V
GS
= -12V
–––
S
V
DS
= 6.0V ,我
D
= 12A
41
–––
V
DS
= 6.0V
–––
V
GS
= 5.0V
–––
NC I
D
= 6.0A
–––
见图16
–––
–––
NC V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
–––
V
DD
= 6.0V, V
GS
= 4.5V
–––
ns
I
D
= 12A
–––
钳位感性负载
–––
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 6.0V
–––
= 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
典型值。
–––
–––
马克斯。
300
20
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.81
0.65
52
54
50
50
84
A
320
1.2
–––
78
81
75
75
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C,I
S
= 12A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 12A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C,I
F
= 12A ,V
R
=20V
的di / dt = 100A / μs的
2
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IRLR/U3802
1000
VGS
顶部
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
BOTTOM 1.5V
1000
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
BOTTOM 1.5V
顶部
10
10
1
1.5V
1
1.5V
0.1
0.01
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
1.5
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
ID = 84A
VGS = 4.5V
ID ,漏 - 源电流
)
T J = 25°C
100
T J = 175℃
10
(归一化)
1.0
1
0
1.0
2.0
3.0
VDS = 5.0V
20μs的脉冲宽度
4.0
5.0
6.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T J ,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRLR/U3802
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + C ,光盘短路
gs
gd
CRSS = C
gd
科斯
= C +C
ds
gd
12
ID = 6.0A
VGS ,栅 - 源极电压( V)
VDS = 12V
10
8
6
4
2
0
C,电容(pF )
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q g总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限制根据RDS ( ON)
100.0
T J = 175℃
10.0
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100sec
1msec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0
1
10
100
10msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ,源toDrain电压( V)
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U3802
L
D
V
DS
100
不限按包
80
ID ,漏电流( A)
D.U.T
V
DD
60
V
GS
脉冲宽度和LT ; 1μS
占空比< 0.1 %
40
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
0
T C ,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D(上)
t
f
t
D(关闭)
t
r
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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