PD - 97284
汽车MOSFET
特点
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IRLR3114ZPbF
IRLU3114ZPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
逻辑电平
V
DSS
= 40V
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计非常高效，
在汽车应用中使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
R
DS （ ON）
= 4.9m
D- PAK
I- PAK
IRLR3114ZPbF IRLU3114ZPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS （限热）
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
回流焊温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
130
89
42
500
140
0.95
±16
130
260
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
d
h
g
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
300
10磅的（ 1.1N M）
y
y
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
马克斯。
1.05
40
110
单位
° C / W
j
ij
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
5/9/07
IRLR/U3114ZPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
–––
1.0
98
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
3.9
5.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
40
12
18
25
140
33
50
4.5
7.5
3810
650
350
2390
580
820
–––
–––
4.9
6.5
2.5
–––
20
250
100
-100
56
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 42A
NC V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
纳秒
G
= 3.7
V
GS
= 4.5V
D
铅之间，
e
e
e
e
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
27
130
A
500
1.3
45
41
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRLR/U3114ZPbF
140
120
ID ，漏电流（ A）
2.0
不限按包
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 42A
VGS = 10V
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）° C / W
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
C
τ
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
0.1
RI（ ° C / W）
0.0350
0.2433
0.4851
0.2867
τi
（秒）
0.000013
0.000077
0.001043
0.004658
τ
J
τ
1
0.01
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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