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PD - 95774A
汽车MOSFET
IRLR2905ZPbF
IRLU2905ZPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
特点
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS ( ON)
= 13.5m
I
D
= 42A
描述
专为汽车应用,这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理技术,
实现极低的导通电阻每硅片面积。另外
这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作
TURE ,开关速度快,提高了重复性雪崩
投资评级。这些功能结合起来,使这个设计非常
高效,可靠的装置,用于在汽车应用中使用,并
各种各样的其它应用。
D- PAK
IRLR2905Z
马克斯。
60
43
42
240
110
I- PAK
IRLU2905Z
单位
A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流, V
GS
@ 10V
@ 10V
(硅有限公司)
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
I
DM
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS (限热)
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
(测试)
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
d
0.72
± 16
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
h
57
85
看到图12a , 12b中,15,16
-55 + 175
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
°C
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
y
y
j
参数
典型值。
马克斯。
1.38
40
110
单位
° C / W
结到环境(印刷电路板安装)
结到环境
j
ij
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
12/07/04
IRLR/U2905ZPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
–––
–––
–––
0.053
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
8.5
12
14
130
24
33
4.5
7.5
1570
230
130
840
180
290
–––
–––
13.5
20
22.5
3.0
–––
20
250
200
-200
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 36A
毫欧V
GS
= 5.0V ,我
D
= 30A
m
V
S
A
V
GS
= 4.5V ,我
D
e
e
= 15A
e
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
1.0
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ,我
D
= 36A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 36A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V
V
DD
= 28V
I
D
= 36A
R
G
= 15
V
GS
= 5.0V
e
e
D
G
S
铅之间,
6毫米(0.25英寸)。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
14
42
A
240
1.3
33
21
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 36A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 36A ,V
DD
= 28V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
2
www.irf.com
IRLR/U2905ZPbF
1000
顶部
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
1000
顶部
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
100
底部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
10
10
3.0V
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
3.0V
1
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
1
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.0
60
ID ,漏 - 源电流
(Α)
T J = 25°C
政府飞行服务队,正向跨导( S)
50
40
30
T J = 175℃
100.0
T J = 175℃
T J = 25°C
10.0
20
10
0
0
10
20
30
40
50
ID ,漏极 - 源极电流(A )
VDS = 10V
在60μs脉冲宽度
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS = 8.0V
380μs脉宽
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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3
IRLR/U2905ZPbF
2500
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ,C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12
ID = 36A
VDS = 44V
VDS = 28V
VDS = 11V
VGS ,栅 - 源极电压( V)
2000
10
8
6
4
2
0
C,电容(pF )
西塞
1500
1000
500
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100.0
T J = 175℃
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD ,源极到漏极电压(V )
100
10
100sec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
1msec
10msec
100
1000
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U2905ZPbF
60
2.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
不限按包
50
ID ,漏电流( A)
ID = 30A
VGS = 5.0V
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ,结温( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.765
0.000269
0.6141
0.001614
τ
1
τ
2
0.01
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRLU2905ZPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRLU2905ZPBF
Infineon Technologies
2442+
32210
TO-251-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IRLU2905ZPBF
IR
22+
3756
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRLU2905ZPBF
Infineon Technologies
24+
5000
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
IRLU2905ZPBF
INFINEON
24+
8000
TO-251
100%原装正品,只做原装正品
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRLU2905ZPBF
IR
18+
15600
TO-252
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRLU2905ZPBF
Infineon Technologies
24+
10000
IPAK(TO-251AA)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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INFINEON/英飞凌
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRLU2905ZPBF
VBSEMI/台湾微碧
24+
8640
TO-251
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRLU2905ZPBF
VB
25+23+
35500
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电话:13711580601
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1000
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