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$ GYDQFHG 3RZHU 026 ）（7
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 10μA （最大值） @ V
DS
= 100V
低
DS （ ON）
： 0.101Ω （典型值）
IRLR/U130A
BV
DSS
= 100 V
R
DS （ ON）
= 0.12
I
D
= 13 A
D- PAK
2
1
3
1
I- PAK
2
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25°C) *
总功率耗散（T
C
=25°C)
线性降额因子
T
J
, T
英镑
T
L
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8
案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
100
13
8
45
±20
225
13
4.6
6.5
2.5
46
0.37
- 55 + 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境*
结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
2.7
50
110
° C / W
单位
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
版本B
1999仙童半导体公司
1
IRLR/U130A
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（米勒）充电
分钟。典型值。马克斯。单位
100
--
1.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
--
10.1
580
140
60
10
11
29
15
16.9
2.7
9.7
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.12
--
755
175
75
30
30
70
40
24
--
--
nC
ns
pF
A
V
V
nA
1&+$11(/
32:(5 026)(7
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
V / ° C I
D
=250A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
DS
=80V,T
C
=150°C
V
GS
=5V,I
D
=6.5A
V
DS
=40V,I
D
=6.5A
(4)
(4)
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=50V,I
D
=14A,
R
G
=6
见图13
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=14A
(4) (5)
参见图6 &图12
(4) (5)
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(1)
(4)
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
109
0.41
13
45
1.5
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25°C,I
S
=13A,V
GS
=0V
T
J
=25°C,I
F
=14A
di
F
/dt=100A/s
(4)
注意事项;
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
（ 2 ） L = 2MH ，我
AS
= 13A ，V
DD
= 25V ，R
G
=27
，起始物为
J
=25°C
(3) I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
350A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=25°C
（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
≤
2%
（ 5 ）基本上是独立工作温度
2
1&+$11(/
32:(5 026)(7
IRLR/U130A
如图2传输特性
看图1，输出特性
1
2
0
V
上图：
GS
7.0V
6.0 V
I
D
，漏电流[ A]
5.5 V
I
D
，漏电流[ A]
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
下图： 3.0V
1
1
0
1
1
0
1 0
o
C
5
1
0
0
2
o
C
5
@ Nt个S：
oe
1 V =0 V
.
GS
2 V =4 V
.
DS
0
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
4
6
8
1
0
1
0
0
-1
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2 C
.
C
5
o
- 5
o
C
5
1
1
0
1
-1
0
0
2
1
0
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
02
.0
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
01
.5
V =5V
GS
1
1
0
R
DS （ ON）
, [
]
01
.0
V =1 V
0
GS
00
.5
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
00
.0
0
1
5
D
1
0
0
@ Nt个S：
oe
1 V =0 V
.
GS
美国东部
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
10
.
12
.
14
.
16
.
18
.
20
.
22
.
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
3
0
4
5
6
0
我，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
10
00
C = C + C（ C = S 0吨四）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
6
图6.栅极电荷与栅源电压
80
0
C
国际空间站
V =2 V
0
V
GS
，栅源电压[V]
DS
电容[ pF的]
V =5 V
0
DS
V =8 V
0
DS
4
60
0
C
OSS
40
0
C
RSS
20
0
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
2
@ Nt个S： I = 1
oe
4
D
0
0
3
G
0
1
0
0
1
1
0
6
9
1
2
1
5
1
8
V
DS
，漏源电压[V]
Q，总栅极电荷[ NC ]
IRLR/U130A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
25
.
1&+$11(/
32:(5 026)(7
图8.导通电阻与温度的关系
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
11
.
漏源导通电阻
20
.
BV
DSS
（归一化）
15
.
10
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =5V
.
GS
2 I = 7A
.
D
09
.
@ Nt个S：
oe
1 V =0 V
.
GS
2 I = 2 0
A
.
D
5
05
.
08
.
-5
7
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
T
J
，结温[
o
C]
T
J
，结温[
o
C]
图9.最大。安全工作区
1
2
0
在我的Ti阂 EA
PR吨 N·H S R一
我L M T d设定B R
DS （ ON）
的I即
1 0
s
0
1
1
0
1 m
0 s
D
C
1
0
0
@ Nt个S：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 S NL PL ê
。 IG 我们
1
-1 0
0
1
0
1m
s
图10.最大。漏电流与外壳温度
1
5
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1
2
0
1
2
9
6
3
1
1
0
0
2
5
5
0
c
7
5
10
0
15
2
10
5
V
DS
，漏源电压[V]
T，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
热响应
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
@注意事项：
1. Z
J·C
(t)=2.7
o
C / W最大。
θ
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
P
DM
θ
JC
0.02
0.01
单脉冲
(t)
Z（ T）
t
1
t
2
θ
JC
10
- 2 - 5
10
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
IRLR/U130A
图12.栅极电荷测试电路波形&
电流调节器
50k
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
5V
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
---- L
L
I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
5V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
5
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