PD - 95386A
数字音频MOSFET
特点
先进的工艺技术
l
优化的D类音频关键参数
扩增fi er应用
l
低R
DSON
为提高效率
l
低Q
g
和Q
sw
为更好的THD和改进
效率
l
低Q
rr
更好的总谐波失真和较低的EMI
l
175 ° C的工作结温
耐用性
l
重复雪崩能力的坚固性和
可靠性
l
多种封装选择
l
LEAD -FREE
l
IRLR9343PbF
IRLU9343PbF
IRLU9343-701PbF
主要参数
-55
93
150
31
175
V
m
:
m
:
nC
°C
V
DS
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ V
GS
= -4.5V
Q
g
典型值。
T
J
最大
D
G
S
I- PAK
IRLU9343
我朴Leadform 701
IRLU9343-701
请参阅第10页的封装外形
D- PAK
IRLR9343
描述
这一数字音频HEXFET
是专门为D类音频放大器应用设计的。这个MOSFET采用最新的
处理技术来实现低通态电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管的反向恢复
和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能因素，如效率， THD
和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结温重复雪崩能力。
这些功能结合起来，使这个MOSFET高效，强大和可靠的设备D类音频放大器
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
-55
±20
-20
-14
-60
79
39
0.53
-40 + 175
–––
单位
V
A
c
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
夹紧压力
W
W / ℃，
°C
N
h
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装）
结到环境（自由空气）
g
参数
典型值。
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
g
gj
–––
–––
–––
笔记
通过
在第10页
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1
12/07/04
IRLR / U9343PbF & IRLU9343-701PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
godr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
L
D
L
S
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
内部排水电感
内部源极电感
分钟。
-55
–––
–––
–––
-1.0
–––
–––
–––
–––
–––
5.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
-52
93
150
–––
-3.7
–––
–––
–––
–––
–––
31
7.1
8.5
15
9.5
24
21
9.5
660
160
72
280
4.5
7.5
–––
–––
105
170
–––
–––
-2.0
-25
-100
100
–––
47
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
pF
ns
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= -1mA
毫欧V
GS
= -10V ，我
D
= -3.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.7A
e
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
毫伏/°C的
A
nA
S
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
V
DS
= -25V ，我
D
= -14A
V
DS
= -44V
V
GS
= -10V
I
D
= -14A
参见图。 6和19
V
DD
= -28V, V
GS
= -10V
I
D
= -14A
R
G
= 2.5
V
GS
= 0V
V
DS
= -50V
= 1.0MHz的，
见图5
e
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至-44V
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
f
单位
mJ
A
mJ
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
i
d
典型值。
马克斯。
–––
120
i
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
57
120
参见图。 14，15， 17a和17b的
二极管的特性
参数
I
S
@ T
C
= 25 ° C连续源电流
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
TYP 。 MAX 。单位
-20
A
-60
-1.2
86
180
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -14A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -14A
的di / dt = 100A / μs的
e
e
2
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IRLR / U9343PbF & IRLU9343-701PbF
100
顶部
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-5.5V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
100
顶部
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-5.5V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
10
底部
1
1
-2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
-2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
0.1
0.1
1
0.1
0.1
1
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100.0
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
-I D，漏 - 源电流
(Α)
T J = 25°C
TJ = 175℃
10.0
ID = -14A
VGS = -10V
1.5
1.0
1.0
VDS = -25V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.0
5.0
10.0
15.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
-V GS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
10000
-V GS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
ID = -14A
16
C，电容（pF ）
VDS = -44V
VDS = -28V
VDS = -11V
1000
西塞
科斯
100
12
8
CRSS
4
测试电路
见图19
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
QG总栅极电荷（ NC）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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3
IRLR / U9343PbF & IRLU9343-701PbF
100.0
1000
-I SD ，反向漏电流（ A）
T J = 175℃
10.0
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
1.0
T J = 25°C
100sec
10
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
10
1msec
10msec
100
1000
-VSD ，源极到漏极电压（V ）
-VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
20
2.5
图8 。
最大安全工作区
16
-VGS （次）栅极阈值电压（ V）
-ID ，漏电流（ A）
2.0
12
ID = -250μA
1.5
8
4
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175
T J ，结温（ ° C）
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
10
图10 。
阈值电压与温度的关系
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
1
τ
2
RI（ ° C / W）
1.162
0.7370
τi
（秒）
0.000512
0.002157
0.01
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRLR / U9343PbF & IRLU9343-701PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
600
500
ID = -14A
500
ID
400
-4.0A
-5.5A
底部
-14A
顶部
400
300
300
200
200
T J = 125°C
100
100
0
4.0
6.0
T J = 25°C
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
175
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
1000
图13 。
最大雪崩能量与漏电流
占空比=单脉冲
-Avalanche电流（A ）
100
0.01
10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
TJ =由于25℃
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.05
0.10
1
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
140
120
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = -14A
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在一个
温度远远超过的T
JMAX
。这验证了
每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
is
不超标。
下面3.方程基于电路和中所示的波形
图17a ， 17b中。
4. P
D（ AVE ）
每单=平均功耗
雪崩脉冲。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占
雪崩过程中电压上升） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过
T
JMAX
（假定为25 ℃，在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻抗，参见图11）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
