IRLR/U8743PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
2.4
3.0
1.9
-6.4
–––
–––
–––
–––
–––
39
10
3.9
13
12
17
21
0.85
19
35
21
17
4880
950
470
–––
–––
3.1
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
m
3.9
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
2.35
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
e
e
–––
1.0
150
100
-100
–––
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
毫伏/°C的
A
nA
S
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
V
DS
= 15V
nC
V
GS
= 4.5V
I
D
= 20A
参照图16
nC
ns
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 20A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
e
R
G
= 1.8
参照图14
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
马克斯。
250
20
13.5
单位
mJ
A
mJ
pF
雪崩特性
d
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
32
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
160
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 20A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 300A / μs的
f
A
640
1.0
27
48
V
ns
nC
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRLR/U8743PbF
1000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
1
100
0.1
1
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
ID = 25A
VGS = 10V
1.5
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
T J = 175℃
1
T J = 25°C
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
1.0
0.1
0
2
4
6
8
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U8743PbF
100000
5.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
ID = 20A
4.0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
3.0
2.0
1000
科斯
CRSS
1.0
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
1000
100sec
100
1msec
10msec
10
T J = 25°C
10
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
100
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U8743PbF
180
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
2.5
160
140
不限按包
2.0
ID ，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
ID = 100μA
1.0
0.5
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175 200
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）° C / W
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
C
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
RI（ ° C / W）
0.02879
τ
τi
（秒）
0.000017
0.000143
0.001411
0.25773
0.48255
0.01
CI-
τi /日
次I /日
0.34135 0.010617
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
1E-006
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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