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PD - 95093A
IRLR8103VPbF
N沟道特定应用的MOSFET
理想的CPU内核的DC -DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
最大限度地减少并行MOSFET的大电流
应用
D
100% R
G
经过测试
LEAD -FREE
描述
这种新设备采用了先进的HEXFET功率
MOSFET技术，实现了前所未有的平衡
的导通电阻和栅极电荷。所述减小的导电
和开关损耗，使其非常适用于高效率的直流
DC转换器供电的最新一代
微处理器。
该IRLR8103V已经优化所有参数
这是关键中的同步降压转换器，包括
R
DS （ ON）
，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。
该IRLR8103V提供了一个非常低的组合
Q
sw
＆放大器;
DS （ ON）
为控制减亏
同步FET应用。
该包是专门为气相，红外，
对流，或波峰焊技术。动力
大于2W耗散可以在一个典型的PCB
安装应用程序。
G
D- PAK
S
器件的特性？
R
DS （ ON）
Q
G
Q
SW
Q
OSS
IRLR8103V
7.9 m
27 NC
12 NC
29nC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极或源极电流
(V
GS
> 10V ）
漏电流脉冲
TC = 25°C
TC = 90℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
I
S
I
SM
IRLR8103V
30
±20
91
63
363
115
60
-55到150
91
363
单位
V
TC = 25°C
功耗
e
TC = 90℃
结&存储温度范围
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
A
W
°C
A
热阻
参数
最大结点到环境
最大结到外壳
www.irf.com
h
eh
符号
R
θJA
R
θJC
典型值。
–––
–––
马克斯。
50
1.09
单位
° C / W
1
12/0604
IRLR8103VPbF
电气特性
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏源
导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
符号最小值典型值最大值单位
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
30
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.9
7.9
–––
–––
–––
–––
9.0
10.5
3.0
50
20
V
m
V
A
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
d
= 15A
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0, T
J
= 100°C
V
GS
= ± 20V
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A ，V
DS
= 16V
V
GS
= 5V, V
DS
＆ LT ; 100mV的
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷，控制用FET
总栅极电荷，同步FET
预Vth的栅源电荷
后Vth的栅源电荷
栅漏电荷
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
GSS
Q
G
Q
G
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
SW
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
––– 100
––– ±100
27
23
4.7
2.0
9.7
12
29
–––
10
9
24
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.1
–––
–––
–––
–––
nC
V
DS
= 16V ，我
D
= 15A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
V
DD
= 16V
ns
I
D
= 15A
V
GS
= 5.0V
钳位感性负载
pF
V
GS
= 16V, V
GS
=0
2672 –––
1064 –––
109
–––
源极 - 漏极评级&特点
参数
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复电荷
（与并行肖特基）
符号最小值典型值最大值单位
V
SD
Q
rr
Q
RR （S ）
–––
–––
–––
0.9
103
96
1.3
–––
–––
V
nC
nC
f
IS = 15A ，V
GS
= 0V
的di / dt = 700A / μs的
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
F
= 15A
的di / dt = 700A / μs的， （有10BQ040 ）
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
F
= 15A
d
条件
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
典型值=测量 - Q
OSS
的R的典型值
DS
（上）在V测
GS
= 4.5V ，Q
G
, Q
SW
和Q
OSS
测量V
GS
= 5.0V ，我
F
= 15A.
2
www.irf.com
IRLR8103VPbF
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
1000
100
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
2.7V
2.7V
10
10
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
2.0
I
D
= 15A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
1.5
100
1.0
0.5
10
2.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRLR8103VPbF
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
4000
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RSS
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
gd
C
ds
+ C
gd
6
I
D
=
15A
5
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
C，电容（pF ）
4
3000
西塞
3
2000
科斯
2
1000
1
0
CRSS
1
10
100
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
1000
10000
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
100
1000
10us
10
100
100us
1ms
T
J
= 25
°
C
1
10
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
前锋
电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRLR8103VPbF
100
V
DS
R
D
不限按包
80
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
-
60
40
无花果
10a.
开关时间
TEST
电路
V
DS
90%
20
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大
漏电流与
外壳温度
10
图10B 。
开关
时间波形
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大
有效的瞬态热阻抗，结至外壳
有效的瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
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ISL6132IR
IRKV105/12A
ISL6522CR
IDT72V253L15PFI
IDT72V285L10PF
IRCC230
IN74AC138D
IDT74FCT825CTD
IDT72V285L20TF
ISL9005IRRZ-T
供货商
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    IRLR8103VPBF
    -
    -
    -
    -
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IRLR8103VPBF
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IRLR8103VPBF
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5780
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电话：18913062888
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地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRLR8103VPBF
Infineon Technologies
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TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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深圳信泰电子器材有限公司
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IRLR8103VPBF
INFINEON
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8000
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IRLR8103VPBF
Infineon
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
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IRLR8103VPBF
IR
18+
15600
D-pak
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联系人：林先生
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IRLR8103VPBF
IR
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62885
TO-252
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRLR8103VPBF
Infineon Technologies
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10000
TO-252AA (DPAK)
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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IR
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRLR8103VPBF
IR
24+
9634
DPAK
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