【PD - 95440A应用l高频率同步降压转换为计算机处理器电源l高频隔离DC- DC转换器的同步整】,IC型号IRLR7843PBF,IRLR7843PBF PDF资料,IRLR7843PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 95440A

应用

l

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

l

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

LEAD -FREE

好处

l

非常低的RDS（on ），在4.5V V

GS

l

超低栅极阻抗

l

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

IRLR7843PbF

IRLU7843PbF

3.3m

:

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

Qg

34nC

D- PAK

IRLR7843

I- PAK

IRLU7843

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

± 20

161

620

140

71

0.95

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

g

最大功率耗散

g

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

f

113

f

A

W

W / ℃，

°C

焊接温度，持续10秒

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

马克斯。

1.05

50

110

单位

° C / W

g

–––

–––

–––

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

1

12/2/04

IRLR/U7843PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

–––

–––

1.5

–––

–––

–––

–––

–––

37

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

19

2.6

3.2

–––

-5.4

–––

–––

–––

–––

–––

34

9.1

2.5

12

10

15

21

25

42

34

19

4380

940

430

–––

–––

3.3

4.0

2.3

–––

1.0

150

100

-100

–––

50

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

nC

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

V

GS

= 4.5V ，我

D

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

e

= 12A

e

毫伏/°C的

μA V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

nA

S

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 12A

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 12A

参照图16

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

e

ns

I

D

= 12A

钳位感性负载

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

重复性雪崩能量

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

39

36

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

1440

12

14

单位

mJ

A

mJ

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

161

f

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 12A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

A

620

1.0

59

54

V

ns

nC

e

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRLR/U7843PbF

1000

VGS

顶部

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

BOTTOM 2.5V

顶部

10

2.5V

10

1

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

ID = 30A

VGS = 10V

100

10

T J = 25°C

（归一化）

T J = 175℃

1.5

1.0

1

2.0

3.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

4.0

5.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLR/U7843PbF

100000

12

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS

CRSS = C GD

COSS =硫化镉+ Cgd的

短

ID = 12A

10

8

6

4

2

0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

20

40

60

80

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

0.1

1.0

10.0

1msec

10msec

100.0

1000.0

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLR/U7843PbF

160

不限按包

2.5

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

120

2.0

ID = 250μA

1.5

80

1.0

40

0.5

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

0.0

-75 -50 -25

0

25

50

75

100 125 150 175

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

τ

0.1

RI（ ° C / W）

0.5084

0.5423

τi

（秒）

0.000392

0.011108

0.01

CI-

τi /日

CI = I /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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6640

DPAK-3 (TO-252-3)

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32560

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7000

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原装现货

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20918

DPAK

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2024

8689

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