【应用l高频率同步降压转换为计算机处理器电源l高频隔离DC- DC转换器的同步整流对于电信和工业应用l】,IC型号IRLR7821PBF,IRLR7821PBF PDF资料,IRLR7821PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

应用

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

LEAD -FREE

好处

非常低的RDS（on ），在4.5V V

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET功率MOSFET

IRLR7821PbF

IRLU7821PbF

10m

PD - 95091B

DSS

DS （ ON）

最大

30V

10nC

D- PAK

I- PAK

IRLR7821PbF IRLU7821PbF

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

= 100°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

单位

260

37.5

± 20

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

W / ℃，

°C

0.50

-55 + 175

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

马克斯。

2.0

110

单位

° C / W

–––

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

10/02/06

IRLR/U7821PbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

DSS

ΒV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

政府飞行服务队

gs1

gs2

godr

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.0

–––

7.5

9.5

–––

-5.3

–––

2.0

1.2

2.5

4.3

3.7

8.5

4.2

3.2

1030

360

120

–––

12.5

–––

1.0

150

100

-100

–––

= 0V

= 15V

= 16V

= 4.5V

= 12A

毫伏/°C的

条件

= 0V时，我

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

毫欧V

= 10V ，我

= 15A

= 4.5V ，我

= 12A

= V

, I

= 250A

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

= -20V

= 15V ，我

= 12A

参照图16

= 16V, V

= 0V

= 15V, V

= 4.5V

= 12A

钳位感性负载

= 1.0MHz的

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

典型值。

–––

马克斯。

230

7.5

单位

重复性雪崩能量

–––

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

260

1.0

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 12A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 12A ，V

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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IRLR/U7821PbF

10000

顶部

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

2.5V

1000

顶部

VGS

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

2.7V

2.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

100

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

= 65A

100

T = 175

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

（归一化）

1.0

0.5

= 25

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

0.0

-60

-40

-20

= 10V

100 120 140 160 180

栅极 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，C短路

GD DS

CRSS = C

COSS =硫化镉+ Cgd的

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 12A

VDS = 24V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

1msec

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

10msec

，反向漏电流（ A）

= 175

= 25

0.1

0.0

0.5

1.0

= 0 V

1.5

2.0

100

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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2.5

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

不限按包

2.0

，漏电流（ A）

ID = 250μA

1.5

1.0

100

125

150

175

0.5

-75 -50 -25

75 100 125 150 175 200

，外壳温度（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

/ t

= P

X Z

thJC

0.1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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27200

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