【PD - 95851数字音频MOSFET特点先进的工艺技术l优化的D类音频关键参数扩增fi er应用】,IC型号IRLR4343,IRLR4343 PDF资料,IRLR4343经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95851

数字音频MOSFET

特点

先进的工艺技术

l

优化的D类音频关键参数

扩增fi er应用

l

低R

DSON

为提高效率

l

低Q

g

和Q

sw

为更好的THD和改进

效率

l

低Q

rr

更好的总谐波失真和较低的EMI

l

175 ° C的工作结温

耐用性

l

重复雪崩能力的坚固性和

可靠性

l

多种封装选择

l

IRLR4343

IRLU4343

IRLU4343-701

主要参数

55

42

57

28

175

V

m:

nC

°C

V

DS

R

DS （ ON）

（典型值）。 @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

（典型值）。 @ V

GS

= 4.5V

Q

g

典型值。

T

J

最大

D

G

S

I- PAK

IRLU4343

我朴Leadform 701

IRLU4343-701

请参阅第10页的封装外形

D- PAK

IRLR4343

描述

这一数字音频HEXFET

是专门为D类音频放大器应用设计的。这个MOSFET采用最新的

处理技术来实现低通态电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管的反向恢复

和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能因素，如效率， THD

和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结温重复雪崩能力。

这些功能结合起来，使这个MOSFET高效，强大和可靠的设备D类音频放大器

应用程序。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

c

功耗

线性降额因子

工作结

存储温度范围

夹紧压力

h

马克斯。

55

±20

26

19

80

79

39

0.53

-40 + 175

–––

单位

V

A

W

W / ℃，

°C

N

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

g

结到环境（ PCB安装）

gj

结到环境（自由空气）

g

典型值。

–––

马克斯。

1.9

50

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

3/26/04

IRLR / U4343 & IRLU4343-701

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

godr

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

L

D

L

S

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容

内部排水电感

内部源极电感

分钟。

55

–––

1.0

–––

8.8

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

15

42

57

–––

-4.4

–––

28

3.5

9.5

15

5.7

19

23

5.3

740

150

59

250

4.5

7.5

–––

50

65

–––

2.0

25

100

-100

–––

42

–––

nH

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 50V

ns

S

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 4.7A

e

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.8A

e

V

毫伏/°C的

A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 25V ，我

D

= 19A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

I

D

= 19A

参见图。 6和19

V

DD

= 28V, V

GS

= 10V

I

D

= 19A

R

G

= 2.5

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

= 1.0MHz的，

见图5

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至-44V

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

f

G

D

S

雪崩特性

参数

典型值。

马克斯。

单位

mJ

A

mJ

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩Energyd

雪崩电流

i

重复性雪崩能量

i

–––

160

参见图。 14，15， 17a和17b的

二极管的特性

参数

I

S

@ T

C

= 25 ° C连续源电流

（体二极管）

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

脉冲源电流

（体二极管）

c

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

–––

52

100

80

1.2

78

150

V

ns

nC

分钟。

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

26

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 19A ，V

GS

= 0V

e

T

J

= 25 ° C，I

F

= 19A

的di / dt = 100A / μs的

e

2

www.irf.com

IRLR / U4343 & IRLU4343-701

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.3V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.3V

1

2.3V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000.0

图2 。

典型的输出特性

2.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 19A

VGS = 10V

2.0

100.0

T J = 25°C

T J = 175℃

10.0

1.5

1.0

VDS = 30V

≤

在60μs脉冲宽度

0.1

0

2

4

6

8

10

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

ID = 19A

VDS = 44V

VDS = 28V

VDS = 11V

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

12

8

100

4

测试电路

见图19

10

1

10

100

0

10

20

30

40

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRLR / U4343 & IRLU4343-701

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

10.0

100

100sec

10

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

0

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

30

2.0

图8 。

最大安全工作区

25

20

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

1.5

ID = 250μA

15

10

1.0

5

0

25

50

75

100

125

150

175

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150 175

T J ，结温（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流与外壳温度

10

图10 。

阈值电压与温度的关系

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

RI（ ° C / W）

1.359

0.5409

τi

（秒）

0.00135

0.003643

τ

1

0.01

CI-

τi /日

次I /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRLR / U4343 & IRLU4343-701

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）

200

700

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

ID = 19A

150

600

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

ID

顶部

2.4A

3.3A

底部

19A

100

T J = 125°C

50

T J = 25°C

0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

125

150

175

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

开始T J ，结温（ ° C）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

1000

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

占空比=单脉冲

雪崩电流（ A）

100

0.01

10

0.05

0.10

允许雪崩电流与

雪崩脉冲宽度， TAV

假设

TJ =由于25℃

雪崩损失。注意：在无

本案应TJ被允许

超过TJMAX

1

0.1

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

TAV （秒）

图14 。

典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth

180

160

EAR ，雪崩能量（兆焦耳）

140

120

100

80

60

40

20

0

25

50

顶部

单脉冲

BOTTOM 1 ％占空比

ID = 19A

75

100

125

150

175

开始T J ，结温（ ° C）

图15 。

最大雪崩能量比。温度

对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：

（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）

1.雪崩失效的假设：

纯粹的热现象而发生故障时，在一个

温度远远超过的T

JMAX

。这验证了

每一部分的类型。

在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST

JMAX

is

不超标。

下面3.方程基于电路和中所示的波形

图17a ， 17b中。

4. P

D（ AVE ）

每单=平均功耗

雪崩脉冲。

5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占

雪崩过程中电压上升）。

6. I

av

=允许雪崩电流。

7.

T

=

允许上升的结温，不超过

T

JMAX

（假定为25 ℃，在图14中， 15）。

t

AV =

平均时间在雪崩。

D =占空比雪崩= T

av

·f

Z

thJC

（ D，T

av

） =瞬态热阻抗，参见图11）

P

D（ AVE ）

= 1/2（ 1.3 BV · ·我

av

) =

DT /

Z

thJC

I

av

= 2DT / [1.3 BV · ·

th

]

E

AS （ AR ）

= P

D（ AVE ）

·t

av

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5

PD - 95851

数字音频MOSFET

特点

先进的工艺技术

l

优化的D类音频关键参数

扩增fi er应用

l

低R

DSON

为提高效率

l

低Q

g

和Q

sw

为更好的THD和改进

效率

l

低Q

rr

更好的总谐波失真和较低的EMI

l

175 ° C的工作结温

耐用性

l

重复雪崩能力的坚固性和

可靠性

l

多种封装选择

l

IRLR4343

IRLU4343

IRLU4343-701

主要参数

55

42

57

28

175

V

m:

nC

°C

V

DS

R

DS （ ON）

（典型值）。 @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

（典型值）。 @ V

GS

= 4.5V

Q

g

典型值。

T

J

最大

D

G

S

I- PAK

IRLU4343

我朴Leadform 701

IRLU4343-701

请参阅第10页的封装外形

D- PAK

IRLR4343

描述

这一数字音频HEXFET

是专门为D类音频放大器应用设计的。这个MOSFET采用最新的

处理技术来实现低通态电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管的反向恢复

和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能因素，如效率， THD

和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结温重复雪崩能力。

这些功能结合起来，使这个MOSFET高效，强大和可靠的设备D类音频放大器

应用程序。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

c

功耗

线性降额因子

工作结

存储温度范围

夹紧压力

h

马克斯。

55

±20

26

19

80

79

39

0.53

-40 + 175

–––

单位

V

A

W

W / ℃，

°C

N

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

g

结到环境（ PCB安装）

gj

结到环境（自由空气）

g

典型值。

–––

马克斯。

1.9

50

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

3/26/04

IRLR / U4343 & IRLU4343-701

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

godr

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

L

D

L

S

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容

内部排水电感

内部源极电感

分钟。

55

–––

1.0

–––

8.8

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

15

42

57

–––

-4.4

–––

28

3.5

9.5

15

5.7

19

23

5.3

740

150

59

250

4.5

7.5

–––

50

65

–––

2.0

25

100

-100

–––

42

–––

nH

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 50V

ns

S

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 4.7A

e

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.8A

e

V

毫伏/°C的

A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 25V ，我

D

= 19A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

I

D

= 19A

参见图。 6和19

V

DD

= 28V, V

GS

= 10V

I

D

= 19A

R

G

= 2.5

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

= 1.0MHz的，

见图5

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至-44V

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

f

G

D

S

雪崩特性

参数

典型值。

马克斯。

单位

mJ

A

mJ

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩Energyd

雪崩电流

i

重复性雪崩能量

i

–––

160

参见图。 14，15， 17a和17b的

二极管的特性

参数

I

S

@ T

C

= 25 ° C连续源电流

（体二极管）

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

脉冲源电流

（体二极管）

c

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

–––

52

100

80

1.2

78

150

V

ns

nC

分钟。

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

26

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 19A ，V

GS

= 0V

e

T

J

= 25 ° C，I

F

= 19A

的di / dt = 100A / μs的

e

2

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IRLR / U4343 & IRLU4343-701

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.3V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.3V

1

2.3V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000.0

图2 。

典型的输出特性

2.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 19A

VGS = 10V

2.0

100.0

T J = 25°C

T J = 175℃

10.0

1.5

1.0

VDS = 30V

≤

在60μs脉冲宽度

0.1

0

2

4

6

8

10

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

ID = 19A

VDS = 44V

VDS = 28V

VDS = 11V

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

12

8

100

4

测试电路

见图19

10

1

10

100

0

10

20

30

40

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRLR / U4343 & IRLU4343-701

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

10.0

100

100sec

10

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

0

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

30

2.0

图8 。

最大安全工作区

25

20

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

1.5

ID = 250μA

15

10

1.0

5

0

25

50

75

100

125

150

175

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150 175

T J ，结温（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流与外壳温度

10

图10 。

阈值电压与温度的关系

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

RI（ ° C / W）

1.359

0.5409

τi

（秒）

0.00135

0.003643

τ

1

0.01

CI-

τi /日

次I /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRLR / U4343 & IRLU4343-701

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）

200

700

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

ID = 19A

150

600

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

ID

顶部

2.4A

3.3A

底部

19A

100

T J = 125°C

50

T J = 25°C

0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

125

150

175

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

开始T J ，结温（ ° C）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

1000

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

占空比=单脉冲

雪崩电流（ A）

100

0.01

10

0.05

0.10

允许雪崩电流与

雪崩脉冲宽度， TAV

假设

TJ =由于25℃

雪崩损失。注意：在无

本案应TJ被允许

超过TJMAX

1

0.1

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

TAV （秒）

图14 。

典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth

180

160

EAR ，雪崩能量（兆焦耳）

140

120

100

80

60

40

20

0

25

50

顶部

单脉冲

BOTTOM 1 ％占空比

ID = 19A

75

100

125

150

175

开始T J ，结温（ ° C）

图15 。

最大雪崩能量比。温度

对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：

（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）

1.雪崩失效的假设：

纯粹的热现象而发生故障时，在一个

温度远远超过的T

JMAX

。这验证了

每一部分的类型。

在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST

JMAX

is

不超标。

下面3.方程基于电路和中所示的波形

图17a ， 17b中。

4. P

D（ AVE ）

每单=平均功耗

雪崩脉冲。

5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占

雪崩过程中电压上升）。

6. I

av

=允许雪崩电流。

7.

T

=

允许上升的结温，不超过

T

JMAX

（假定为25 ℃，在图14中， 15）。

t

AV =

平均时间在雪崩。

D =占空比雪崩= T

av

·f

Z

thJC

（ D，T

av

） =瞬态热阻抗，参见图11）

P

D（ AVE ）

= 1/2（ 1.3 BV · ·我

av

) =

DT /

Z

thJC

I

av

= 2DT / [1.3 BV · ·

th

]

E

AS （ AR ）

= P

D（ AVE ）

·t

av

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