IRLR/U3715Z
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
33
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
8.8
12.4
2.1
-4.8
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
2.3
0.90
2.6
1.4
3.5
3.8
7.8
13
10
4.3
810
270
150
–––
–––
11
15.5
2.55
–––
1.0
150
100
-100
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
19
12
4.0
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
3.5
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
49
f
200
1.0
17
5.3
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRLR/U3715Z
10000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
底部
100
底部
10
10
1
2.5V
1
0.1
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
100
T J = 175℃
1.5
10
1
TJ = 25°C
1.0
0.1
0
2
4
6
8
10
12
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRLR/U3715Z
10000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS
西塞
CRSS
科斯
西塞
科斯
CRSS
= 0V,
F = 1 MHz的
= C GS + Cgd的，C DS短路
= C GD
= C DS + Cgd的
6.0
ID = 12A
5.0
VDS = 16V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
1000
4.0
3.0
100
2.0
1.0
10
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1msec
1.00
TJ = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRLR/U3715Z
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
33
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
8.8
12.4
2.1
-4.8
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
2.3
0.90
2.6
1.4
3.5
3.8
7.8
13
10
4.3
810
270
150
–––
–––
11
15.5
2.55
–––
1.0
150
100
-100
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
ns
nC
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 12A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
19
12
4.0
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
3.5
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
49
f
200
1.0
17
5.3
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRLR/U3715Z
10000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
底部
100
底部
10
10
1
2.5V
1
0.1
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
100
T J = 175℃
1.5
10
1
TJ = 25°C
1.0
0.1
0
2
4
6
8
10
12
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRLR/U3715Z
10000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS
西塞
CRSS
科斯
西塞
科斯
CRSS
= 0V,
F = 1 MHz的
= C GS + Cgd的，C DS短路
= C GD
= C DS + Cgd的
6.0
ID = 12A
5.0
VDS = 16V
VDS = 10V
C，电容（pF ）
1000
4.0
3.0
100
2.0
1.0
10
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1msec
1.00
TJ = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
QQ：2881677436 复制
