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PD - 94266
开关电源MOSFET
IRLR3714
IRLU3714
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
l
高频降压转换器的
计算机处理器电源
好处
l
l
l
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
20m
I
D
36A
超低栅极阻抗
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR3714
I- PAK
IRLU3714
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
I
D
@ T
C
I
DM
P
D
@T
C
P
D
@T
C
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
20
± 20
36
31
140
47
33
0.31
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
W / ℃，
°C
= 25°C
= 70°C
= 25°C
= 70°C
T
J
, T
英镑
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.2
50
110
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
06/15/01
IRLR3714/IRLU3714
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。
20
–––
静态漏 - 源极导通电阻---
–––
栅极阈值电压
1.0
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
––– V
0.022 --- V /°C的
15
20
m
21
28
–––
3.0
V
–––
20
A
–––
100
–––
200
nA
–––
-200
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 14A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
6.5
1.8
2.9
7.1
8.7
78
10
4.5
670
470
68
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 14A
9.7
I
D
= 14A
–––
NC V
DS
= 10V
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 14A
ns
–––
R
G
= 1.8
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 10V
–––
pF的 = 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
72
14
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
––– 36
A
––– 140
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 1.3
0.88 –––
35
53
34
51
35
53
35
53
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 18A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
2
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IRLR3714/IRLU3714
10000
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
BOTTOM 2.0V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
100
VGS
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
BOTTOM 2.0V
顶部
10
10
1
2.0V
1
0.1
2.0V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
100
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
2.5
I
D
= 36A

ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.0
100.00
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
T J = 25°C
TJ = 175℃
（归一化）
1.5
1.0
10.00
0.5
1.00
2.0
4.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
8.0
10.0
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V

100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR3714/IRLU3714
10000
15
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
I
D
=
14A


V
DS
= 16V
V
DS
= 10V
12
C，电容（pF ）
西塞
科斯
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1000
9
6
100
CRSS
3
10
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
10
1msec
10.00
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.0
1.0
2.0
3.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
100
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR3714/IRLU3714
40

不限按包
V
GS
30
V
DS
R
D
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
热响应

单脉冲
（热反应）
注意事项：
0.01
0.00001

1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
J
= P
DM
X Z
thJC

P
DM
t
1
t
2
+T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD - 94266
开关电源MOSFET
IRLR3714
IRLU3714
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
对于电信和工业应用
l
高频降压转换器的
计算机处理器电源
好处
l
l
l
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
最大
20m
I
D
36A
超低栅极阻抗
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
充分界定雪崩电压
和电流
D- PAK
IRLR3714
I- PAK
IRLU3714
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
I
D
@ T
C
I
DM
P
D
@T
C
P
D
@T
C
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
结温和存储温度范围
马克斯。
20
± 20
36
31
140
47
33
0.31
-55 + 175
单位
V
V
A
W
W
W / ℃，
°C
= 25°C
= 70°C
= 25°C
= 70°C
T
J
, T
英镑
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.2
50
110
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
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1
06/15/01
IRLR3714/IRLU3714
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。
20
–––
静态漏 - 源极导通电阻---
–––
栅极阈值电压
1.0
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
––– V
0.022 --- V /°C的
15
20
m
21
28
–––
3.0
V
–––
20
A
–––
100
–––
200
nA
–––
-200
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 14A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
6.5
1.8
2.9
7.1
8.7
78
10
4.5
670
470
68
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 14A
9.7
I
D
= 14A
–––
NC V
DS
= 10V
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 14A
ns
–––
R
G
= 1.8
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 10V
–––
pF的 = 1.0MHz的
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
72
14
单位
mJ
A
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向
反向
反向
反向
恢复
恢复
恢复
恢复
时间
收费
时间
收费
分钟。典型值。马克斯。单位
––– 36
A
––– 140
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 1.3
0.88 –––
35
53
34
51
35
53
35
53
V
ns
nC
ns
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 18A ，V
R
=10V
的di / dt = 100A / μs的
2
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IRLR3714/IRLU3714
10000
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
BOTTOM 2.0V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
100
VGS
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
BOTTOM 2.0V
顶部
10
10
1
2.0V
1
0.1
2.0V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
100
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
2.5
I
D
= 36A

ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.0
100.00
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
T J = 25°C
TJ = 175℃
（归一化）
1.5
1.0
10.00
0.5
1.00
2.0
4.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
8.0
10.0
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V

100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRLR3714/IRLU3714
10000
15
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
I
D
=
14A


V
DS
= 16V
V
DS
= 10V
12
C，电容（pF ）
西塞
科斯
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1000
9
6
100
CRSS
3
10
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
10
1msec
10.00
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.0
1.0
2.0
3.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
100
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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40

不限按包
V
GS
30
V
DS
R
D
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
热响应

单脉冲
（热反应）
注意事项：
0.01
0.00001

1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
J
= P
DM
X Z
thJC

P
DM
t
1
t
2
+T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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