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PD - 95085A
IRLR/U3103PbF
逻辑电平栅极驱动
l
超低导通电阻
l
表面贴装（ IRLR3103 ）
l
直铅（ IRLU3103 ）
l
先进的工艺技术
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 0.019
G
S
I
D
= 55A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相，红外，或波焊工艺。
直引线型（ IRFU系列）是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
55
39
220
107
0.71
± 16
240
34
11
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
1
12/7/04
IRLR/U3103PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
30
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.037 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.019
V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
––– ––– 0.024
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
23
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 34A
––– ––– 25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 18V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 50
I
D
= 34A
––– ––– 14
NC V
DS
= 24V
––– ––– 28
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
9.0 –––
V
DD
= 15V
––– 210 –––
I
D
= 34A
ns
–––
20 –––
R
G
= 3.4, V
GS
= 4.5V
–––
54 –––
R
D
= 0.43Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 1600 –––
V
GS
= 0V
––– 640 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 320 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 55
展示
A
G
整体反转
––– ––– 220
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 28A ，V
GS
= 0V
––– 81 120
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 34A
––– 210 310
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 300μH
R
G
= 25, I
AS
= 34A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
基于最大允许结计算的连续电流
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
D- PAK的是铅和测量之间
模具联络中心
使用IRL3103数据和测试条件
温度;套餐限制电流= 20A
I
SD
≤
34A ， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
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IRLR/U3103PbF
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
顶部
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
100
10
10
2.5V
2.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
10
1
100
A
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175°C
1
10
100
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
2.0
I
D
= 56A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25°C
100
1.5
T
J
= 175°C
1.0
10
0.5
1
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
= 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U3103PbF
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
1
10
100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
ISS
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 34A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
12
C，电容（pF ）
C
OSS
9
C
RSS
6
3
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图13
40
50
60
70
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10s
100
100s
100
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
1ms
10
10ms
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 0V
2.4
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
2.8
100
A
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U3103PbF
60
不限按包
50
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
40
-
V
DD
5.0V
30
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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