PD - 9.1333B
初步
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR3103 ）
直铅（ IRLU3103 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
IRLR/U3103
HEXFET
功率MOSFET
D
l
l
l
l
l
l
l
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.019
I
D
= 46A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU系列）是通孔安装
应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是
有可能在典型的表面贴装应用。
-P A K
T O服务-2 52 A A
I-P第k
为-2 5 1 A A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
46
29
220
69
0.56
±16
240
34
6.9
2.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
1.8
50
110
单位
° C / W
R
θJC
结到外壳
––––
––––
R
θJA
结到环境（印刷电路板安装） **
––––
––––
R
θJA
结到环境
––––
––––
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
8/7/96
IRLR/U3103
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
100
I
D
，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
10
10
2.5 V
2.5 V
1
0.1
1
20 μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 2 5°C
10
A
1
0.1
1
2 0μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 1 50 °C
10
A
100
100
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
V
S
，漏到-S环境允许的电压（V ）
图1 。
典型的输出特性，
T
J
= 25
o
C
图2 。
典型的输出特性，
T
J
= 150
o
C
1000
2.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 46 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
1.5
100
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 5 0 ° C
1.0
10
0.5
1
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
= 1 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
6.0
7.0
8.0
9.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160
A
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V olta GE （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRLR/U3103
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
1
10
100
0
0
10
20
30
V
的s
，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）
C
国际空间站
C
OS s
V
GS
C
为s
C
RS s
C
OS s
=
=
=
=
0V ,
F = 1MH
C
gs
+ C
克
, C
ds
SH或TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 34A
V
DS
= 2 4V
V
DS
= 1 5V
12
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
9
6
C
RS s
3
FO 测试CIR CU IT
SEE图UR ê 13
40
50
60
70
A
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，T otal门哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
10 s
100
100
1 00s
T
J
= 15 0°C
T
J
= 25 °C
10
1米s
10米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
= 0 V
2.4
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 15 0°C
S荷兰国际集团乐脉
10
2.8
A
100
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRLR/U3103
50
V
DS
L IM IT E D B Y形P A C K A G ê
40
R
D
V
GS
R
G
I
D
，D RA C语言④此T（ A M P S）
D.U.T.
+
-
V
DD
30
4.5V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
A
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
千卡人 ESP ONSE （Z
thJC
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
P
D M
0.1
0 .0 2
0 .0 1
S IN摹L E P ü L性S E
（T HE RM一个L R （E S） P 2 O NS E）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2. P·E A K T J = P DM X Z吨 J·C + T C
A
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
， Rectan gular脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
QQ：2880707522 复制
